全文获取类型
收费全文 | 4538篇 |
免费 | 1080篇 |
国内免费 | 751篇 |
专业分类
化学 | 2271篇 |
晶体学 | 117篇 |
力学 | 166篇 |
综合类 | 85篇 |
数学 | 96篇 |
物理学 | 3634篇 |
出版年
2024年 | 23篇 |
2023年 | 100篇 |
2022年 | 110篇 |
2021年 | 110篇 |
2020年 | 88篇 |
2019年 | 98篇 |
2018年 | 77篇 |
2017年 | 94篇 |
2016年 | 125篇 |
2015年 | 130篇 |
2014年 | 328篇 |
2013年 | 205篇 |
2012年 | 249篇 |
2011年 | 245篇 |
2010年 | 270篇 |
2009年 | 309篇 |
2008年 | 347篇 |
2007年 | 261篇 |
2006年 | 265篇 |
2005年 | 276篇 |
2004年 | 240篇 |
2003年 | 251篇 |
2002年 | 232篇 |
2001年 | 241篇 |
2000年 | 217篇 |
1999年 | 164篇 |
1998年 | 155篇 |
1997年 | 156篇 |
1996年 | 157篇 |
1995年 | 172篇 |
1994年 | 128篇 |
1993年 | 126篇 |
1992年 | 84篇 |
1991年 | 117篇 |
1990年 | 84篇 |
1989年 | 88篇 |
1988年 | 13篇 |
1987年 | 12篇 |
1986年 | 5篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 5篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有6369条查询结果,搜索用时 0 毫秒
171.
172.
173.
174.
被三甲基硅(Me3Si-)、三甲基锗(Me3Ge-)和三甲基锡(Me3Sn-)取代的芘衍生的紫外吸收波长和未取代的芘相比较,波长红移.一,二,三,四取代三甲基硅芘最大吸收波长红移小于10nm.荧光强度和周期按Me3SiAr>Me3GeAr>Me3SnAr顺序减弱.1,3,6,8-四-三甲基硅芘的荧光强度在一系列芘衍生物中是最大的. 相似文献
175.
太阳光对液晶显示器件光学特性的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
太阳光对液晶显示器件的影响主要表现在它对其液晶显示器件光稳定性和寿命的影响,从而引起液晶显示器件的迅速老化。通过用分光光度计测量经过不同时间太阳光辐照后液晶显示器件的光谱特性,研究长时间阳光辐照对液晶显示器件的光学性能的影响,分析其光学性能的变化。结果表明, B组普通计算器液晶显示器和C组电话液晶显示器两组液晶片的光学特性类似,品质较好;而A组台式计算器液晶显示器液晶片的老化问题明显比B, C两组严重,品质较差。液晶显示器件长时间受阳光辐照,液晶结构会相应发生变化,光学性能也发生相应变化,表现为液晶表面变黄发黑,其光谱透射特性明显下降。这与液晶材料及制作工艺有关。 相似文献
176.
双缺陷模一维光子晶体的双光子吸收增强研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用真空镀膜工艺制备了具有762 nm和800 nm双缺陷模的含两个CdS缺陷层的TiO2/SiO2一维光子晶体,运用抽运探测技术测量了其双光子吸收。对于两个缺陷模,双光子吸收均得到很大的增强,其中缺陷模为800nm时的双光子吸收系数307 cm/GW要大于缺陷模为762 nm时的116 cm/GW,分别为单层CdS薄膜的48倍和18倍。这种双光子吸收的增强是由于光局域化导致一维光子晶体缺陷层内的电场强度增大而形成的。通过传输矩阵法计算了一维光子晶体的内部场强,发现800 nm波长光入射时缺陷层内的电场强度要大于762 nm波长光入射时的电场强度值。 相似文献
177.
研究了LiNbO3∶Cr∶Cu晶体的吸收特性,发现LiNbO3∶Cr∶Cu(含0.14 wt.% Cr2O3 和 0.011 wt.% CuO)晶体存在两个明显的吸收峰,中心波长分别位于480 nm和660 nm; 随着Cr的含量逐渐减小,Cu的含量逐渐增大,短波段不存在明显吸收峰,掺Cr的含量越大,中心波长在660 nm处的吸收越大;633 nm红光虽然位于中心波长为660 nm的吸收峰内,但它无助于光折变过程.分别采用390 nm紫外光和488 nm蓝光作为敏化光,514 nm绿光作为记录光的记录方案,实现了非挥发全息记录,掺入适量的Cr( 比如NCr=2.795×1025 m-3,NCr/ NCu=1)有助于全息记录性能的提高. 相似文献
178.
用提拉法生长了Lu2Si2O7:Ce晶体,对该晶体的闪烁性能进行了研究。透射光谱表明,Lu2Si2O7:Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5:Ce晶体向短波方向移动了25nm,使透光范围进一步拓宽。X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征,主峰在378nm。UV激发发射谱具有温度效应,即375K以上时,发光效率迅速降低;425K以上时,发光主峰位明显红移。衰减曲线符合单指数式衰减规律,常温下经UV激发后的衰减时间约为34ns。从曲线形态看,375K以下的衰减谱与室温下的几乎完全相同,拟合的结果在32.8~34ns之间;衰减时间的温度效应从375K开始显现,即随温度的升高,衰减时间有加速变短的趋势,到500K时缩短为6.72ns。热释光谱在488,553K处有两个热释光峰,但室温附近几乎观察不到热释光峰。 相似文献
179.
透射光栅广泛应用于软X射线能谱测量.为了获得用于惯性约束聚变研究的透射光栅的各级衍射效率及其他参数,在北京同步辐射源上200—1600 eV能量范围内对其进行了标定,获得了透射光栅衍射效率的实验结果.扩展了透射光栅衍射效率的计算方法,提出了7边准梯形截面衍射效率计算模型.分析拟合了实验数据,理论结果与实验结果很好符合.得到了7边准梯形的透射光栅栅线截面结构.
关键词:
透射光栅
衍射效率
实验标定
光栅模型 相似文献
180.