溶胶-凝胶法制备稀土无机发光材料及其发光性能的研究

报道了用溶胶-凝胶法制备可用于光转换农膜的稀土无机发光材料, 用荧光分光光度计研究了其发光性能, 并对实验过程中影响样品发光性能的各种因素(体系pH值、反应温度、不同稀土组合)进行了探讨, 得到了优化的实验条件.当控制体系pH=9, 反应温度50 ℃, Eu3+/Y3+ 值为50/50时, 所得样品的发光性能较好.     

8-羟基喹啉对甲基苯酚合锌配合物的合成及光致发光和电致发光性能

有机电致发光 ( EL )技术作为一种有着广阔应用前景的显示技术 ,自 1 987年 [1] 以来已获得了空前迅速的发展 .部分发光器件的亮度、效率和寿命已经达到或接近实用化的程度 .许多有机化合物 [2～ 5] ,包括小分子和聚合物 ,已被用于制备有机 LEDs.应用于有机 EL的化合物很多 ,这为优化和筛选优秀的 EL材料提供了基础 .以 8-羟基喹啉铝为代表的有机金属配合物是一类重要的有机 EL材料 ,这类材料荧光效率高、易于提纯且性质比较稳定 .目前应用于有机 EL金属配合物的发光材料大多配位数均为偶数 ,四配位的 8-羟基喹啉锌配合物 ( Znq2 ) [6…     

Tb~(3 )在MO(M=Ca,Sr)中的长余辉发光

长余辉发光材料的研究与应用,已有近100年的历史,目前仍在许多领域中有着重要应用[1].此类材料与其他光致发光材料具有相同的发光性能,只是更注重其发光的衰减过程和热释光性能.如,ZnS:Cu作为黄绿色的长余辉发光材料,在1992年以前是余辉性能最好的长余辉发光材料,一直处于发光研究工作的中心.     

在硅磷酸镧中Ce^3＋离子对Tb^3＋离子的敏化

实验表明在La2O3·0.01SiO2·0.95P2O5基质中Ce^3 对Tb^3 有强的敏化作用。254nm紫外光激发下温度对Tb^3 激活的Ce^3 、Tb^3 共激活试样的发射强度的Ce^3 、Tb^3 共激活的试样Tb^3 的^5D4→^7F6:5:4跃迁的发射强度随湿度的变化。计算了Ce^3 到Tb^3 的能量传递效率。初步探讨了Ce对Tb的能量传递机理。     

机械球磨与反应烧结合成Sr2CeO4发光体的研究

Sr₂CeO₄ phosphor was synthesized by mechanical milling and reactive sintering in this work. The solid state reaction of SrCO₃and CeO₂ (2∶1) started at about 850 ℃ and completed at 1 000 ℃ for about 4 h. Two types of formation mechanism of Sr₂CeO₄ were proposed. When the starting powder mixture was fired above 1 000 ℃, the unstable intermediate phase SrCeO₃was developed, which then reacted with SrCO₃to form the final product Sr₂CeO₄, however, SrCO₃and CeO₂ converted directly to Sr₂CeO₄ at a lower temperature. The XRD results showed the crystal structure of Sr₂CeO₄ was orthorhombic. The emission spectra displayed a broad band with maximum at about 465 nm. The mechanical milling of starting power mixture and the sintering temperature had no effect on this emission spectra.     

超声条件下溶胶-凝胶法制备CaSiO_3∶(Pb,Mn)发光材料的研究

采用溶胶-凝胶法并辅以超声技术制备了CaSiO3∶(Pb,Mn)发光材料,对合成物运用荧光光谱、DTA-TG、XRD、FTIR、TEM等手段进行了表征。研究了制备时的物料配比、超声时间及焙烧温度对样品发光强度的影响,找到了最佳的合成条件。结果表明,所得样品其荧光强度约为高温固相法样品的2倍,平均粒径则降低约300 nm。     

掺铒a-SixC1-x-H薄膜的发光特性

用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的方法，以固定的氢气（H2）流量和不同的硅烷（SiH4）和甲烷（CH4）流量比沉积了一系列的氢化非晶SiC（a-Si，C1-x-H）膜。用这种宽带隙的a-SixC1-x-H材料作为掺铒的基体材料，通过离子注入的方法得到掺铒的a-SixC1-x-H（a-SixC1-x-H：Er）膜。注入以后的样品经过不同温度的退火。用X射线光电子能谱（XPS）、红外吸收光谱（IR）、拉曼散射谱（Raman）等技术研究不同的SiH4／CH4流量比和退火温度对a-SixC1-x-H：Er发光强度的影响。结果表明，高温退火引起了膜中C的分凝，对饵的发光是不利的。通过低温和室温下铒发光强度的比较，表明这种材料具有较弱的温度猝灭效应。     

La2CaB10O19∶Ce3+在VUV-Vis范围的发光性质研究

通过研究La2CaB10O19∶Ce3+在VUV-Vis范围的光谱, 发现Ce3+在La2CaB10O19中共有两种格位, 分别取代了十配位的La3+和八配位的Ca2+, 从而发射光谱中没有出现特征的双峰, 而出现了峰值约位于307, 330和356 nm的3个发射峰.由于在低对称性晶体场中d轨道的分裂, 激发光谱中位于194, 224, 243, 260, 274和318 nm的峰是由两个格位的Ce3+的f-d跃迁引起的.Ce3+占据两个格位, 可以通过以Eu3+为荧光探针的发射光谱中出现的两个5D0-7F0跃迁得到验证.峰值位于162 nm的激发谱带是基质吸收带, 与基质禁带宽度相对应.通过计算, 不排除其中包含O2-→Ce3+的电荷迁移带的可能性.     

新型陶瓷材料的光激励发光性质研究

针对以往电子俘获光存储材料存在的问题，利用高温固相反应发制备了一种Eu^2 掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷，研究表明在该材料中具有光激励发光(PSL)特性，并可用于电子俘获光存储。XRD分析表明该材料含有大量的BaF2微晶。根据其与BaF2相似的发光特性，推断玻璃陶瓷的PSL有可能来源于微晶中Eu^2 的5d-4f发射。但是决定光激励发光过程中的电子(空穴)陷阱的存在方式、电子迁移途径都有待进一步探讨的问题。与传统的BaFCl：Eu相比，这种材料的光激励发光衰减速度较慢。