keV 质子辐照对Kapton/Al光学性能的影响

 采用空间综合辐照设备对Kapton/Al薄膜进行了质子辐照地面模拟试验,选取质子能量90 keV,辐照通量5.0×10¹¹ cm¹²·s^-1。通过辐照前后光谱反射系数的变化考察了实验样品的光学性能退化特征。借助于反射光谱和紫外-可见吸收光谱和傅里叶转换红外光谱分析技术分析了辐照后Kapton/Al光学性能的退化机理。研究结果表明：辐照过程中样品表面发生了复杂的化学反应,随着辐照剂量的增加光能隙逐渐减小,Kapton吸收曲线的末端边缘发生红移并且在可见光区吸收强度增加。     

重离子辐照对人肝癌HepG2细胞蛋白质组图谱的影响

分别制备经1 Gy C离子辐照和未经辐照人肝癌HepG2细胞的总蛋白样品, 采用固相pH梯度双向凝胶电泳技术进行蛋白分离, 用ImageMaster 2D双向电泳凝胶图像分析软件分析数字化图谱。 结果显示, 差异表达的蛋白质点为17个, 其中1个仅在未经C离子辐照的HepG2细胞中表达, 8个蛋白质点在辐照后的细胞中表达上调, 8个蛋白质点在辐照后的细胞中表达下调。 建立了重复性较好和分辨率较高的分离HepG2细胞总蛋白的双向电泳技术。 实验结果表明, C离子辐照HepG2细胞后其蛋白质组发生了改变。     

一种五波长半导体激光生物组织辐照仪

采用GaAlAs单量子阱半导体激光器和LD泵浦的Nd:YVO4－KTP倍频激光器等研制了国内首台可从光导纤维输出5种波长的半导体激光生物组织辐照仪,该仪器已在激光生物医学领域投入应用．     

CsI(Tl)晶体的辐照损伤研究

本文报道CsI(Tl)晶体辐照损伤的实验研究,结果表明,CsI(Tl)晶体具有辐照损伤效应.对被辐照损伤过的CsI(Tl)晶体作恢复研究.表明在200℃下加热4小时,可使辐照操作的CsI(Tl)晶体得到恢复.     

Li-Al模拟靶件内中子注量率分布计算

为确保Li-Al模拟靶件辐照实验顺利实现，需要从理论上了解靶件内的中子注量率。     

雷达前端射频装置效应实验

本报告介绍了雷达前端射频装置的基本组成、特性、工作原理和性能，提出了微波效应实验方法，通过注入法和辐照法的研究，摸索雷达前端射频装置的效应规律和效应阈值。对雷达前端射频装置进行了微波效应实验研究，即采用注入法，将低功率的微波直接注入雷达前端电路和它的单元器件，或采用辐照法近距离辐照雷达前端，模拟微波对它的作用，而摸索雷达前端射频装置的微波效应规律。微波脉冲对射频装置造成损伤，应是在微波脉冲作用下，使射频装置不能完成其正常功能。射频装置的功能受损，体现为系统增益下降。     

核科学百年讲座第五讲辐射化学与辐射加工

介绍辐射化学和辐射加工的发展与应用，以及基本原理，侧重介绍辐射加工在高分子辐射交联改性、食品的辐照处理和医疗用品消毒等方面的应用．     

γ-辐照对纯Y_2SiO_5和Eu~(3+)∶Y_2SiO_5晶体光谱性能的影响

研究了γ-辐照前后纯Y2SiO5和Eu3+掺杂的Y2SiO5晶体吸收光谱的变化,辐照后,未退火和氢气退火的纯Y2SiO5晶体在260~270 nm和320 nm波段产生了附加吸收峰,分别是由F心和O-心的吸收引起的;经过空气退火的纯YSO晶体中,由于消除了氧空位,因此辐照后没有出现色心吸收峰。在Eu3+∶Y2SiO5晶体中,不但有相同的F心和O-心吸收峰,而且还有Eu2+离子在300 nm和390 nm的吸收峰。随着辐照剂量的增加,色心附加吸收峰增强。空气退火能减少Eu3+∶Y2SiO5晶体中的色心,而氢气退火能增加色心。     

相变型半导体存储器研究进展

文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题．C—RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点，被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品．