非贵金属催化剂Ni/AC选择性氢解木质素C-O键

用浸渍法制备了具有高活性的非贵金属催化剂Ni/AC,采用X射线粉末衍射(XRD)、高分辨扫描透射电镜(STEM)对催化剂进行了表征,并研究了催化剂、温度、时间、氢气压力等因素对苯基苯醚选择性裂解C-O键的影响。结果表明Ni/AC在木质素α-O-4模型化合物的氢解反应中表现出较高的活性和选择性,获得了较高收率的甲苯和苯酚(>65.5%)。除此之外该催化剂在真实木质素的氢解反应中也展示出较好的活性。     

微波消解-电感耦合等离子体发射光谱法快速测定盐渍土中二氧化硅

建立微波消解-电感耦合等离子体发射光谱（ICP-OES）法快速测定盐渍土中二氧化硅含量的方法。称取0.100 0 g土壤样品,加入1 mL浓盐酸,1 mL浓硝酸和2 mL氢氟酸,微波消解120 min,最高消解温度为180℃,样品溶液采用ICP-OES法进行测定,以标准工作曲线法定量。硅元素的质量浓度在0～100 mg/L范围内与光谱强度线性关系良好,相关系数为0.999 8,二氧化硅的检出限为0.045 mg/kg。利用该方法对3个土壤样品进行测定,二氧化硅测定结果的相对标准偏差为0.354%～0.608%(n=6),对土壤成分分析标准物质GBW 07408、GBW 07447和GBW 07452进行测定,测定值均在标准值不确定度范围内。该方法可快速测定盐渍土中二氧化硅含量。     

一种快速高选择性检测痕量癌胚抗原的共振散射光谱法

用10 nm的金纳米粒子标记单克隆癌胚抗原抗体制备了检测癌胚抗原（CEA）的共振散射光谱探针（Au-CEAAb）。在pH 6.8 的Na2HPO4- NaH2PO4缓冲溶液中及聚乙二醇-6000存在下, CEA与Au-CEAAb发生免疫反应聚集形成疏水性的、平均粒径为227.0 nm的免疫复合物微粒,并在321 nm、581 nm产生2个共振散射峰。随着癌胚抗原（CEA）浓度的增大,581 nm处的共振散射强度I581nm线性增加,其增加值△I581nm与CEA浓度在1.0～50.0 ng·mL-1范围内呈良好的线性关系,相应的回归方程、相关系数、检出限(3σ)分别为ΔI581nm=1.63 C +5.6、0.9940、0.52 ng·mL-1。该法简便、快速、灵敏且选择性好,用于检测人血清中癌胚抗原（CEA）,结果满意。     

石墨炉原子吸收法测定豆豉中铅和镉

豆豉样品经微波消解后,采用石墨炉原子吸收光谱法快速测定铅、镉。实验优化了石墨炉原子吸收光谱法的测定条件。以磷酸为基体改进剂可提高灰化温度,消除样品中的氯化钠等复杂基体的干扰。该法铅、镉的回收率分别为95.0％、94.6％,精密度（RSD）分别为8.7％和5.1％。结果表明豆豉中铅、镉含量较低。本方法简便、快速、准确,适合于实际的分析工作。     

InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动研究

采用常压金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射／沟道技术、光透射谱、光致发光光谱对InxGa1-xN／GaN／AI2O3样品进行了测试。研究了InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动。结果表明，采用光透射谱、光致发光光谱得到的InxGa1-xN薄膜的禁带宽度一致，InxGa1-xN薄膜并不存在斯托克斯移动。InxGa1-xN薄膜的In组分分别为0．04，0．06，0．24，0．26时，其弯曲因子分别为3．40,2．36，1．82，3．70。随In组分变化。InxGa1-xN薄膜的弯曲因子的变化并没有一定的规律，表明InxGa1-xN薄膜的禁带宽度随In组分的变化关系复杂。     

Baeicklund Transformation and Multiple Soliton Solutions for （3＋1）-Dimensional Potential-YTSF Equation

We study an approach to constructing multiple soliton solutions of the (3 1)-dimensional nonlinear evolution equation. We take the (3 1)-dimensional potential- YTSF equation as an example. Using the extended homogeneous balance method, one can find a Backlund transformation to decompose the (3 1)-dimensional potential-YTSF equation into a set of partial differential equations. Starting from these partial differential equations, some multiple soliton solutions for the (3 1)-dimensional potential-YTSF equation are obtained by introducing a class of formal solutions.     

Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation

Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.     

溶胶—凝胶法制备SiO2基片Er^3＋：Al2O3光学薄膜

用溶胶—凝胶法在SiO2基片上提拉制备了掺Er^3 ：Al2O3光学薄膜。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、差热—热重分析仪、X射线衍射仪研究了掺Er^3 ：Al2O3光学薄膜的肜貌和结构特性。在900℃烧结后，SiO2基片上提拉15次形成厚度8μm掺摩尔比0．01Er^3 的面心立方结构γ-Al2O3薄膜具有明显(110)择优取向，掺摩尔比0．01Er^3 对γ—Al2O3的品体结构和结晶生长过程木产生显著影响。薄膜具有均匀多孔结构，平均粒径为30～100nm，平均孔径为50～100nm，表面起伏度为10～20nm。掺摩尔比0．01Er^3 ：rAl2O3薄膜，获得了中心波长为1．534μm(半峰全宽为36nm)的光敛发光谱。     

用替代法测量电池的电动势和内电阻

许多电学实验都需要用电压表和电流表进行测量，由于电表内阻等因素的影响，实验一般都存在系统误差；另外，有些物理量是间接测量的，其运算公式有时比较复杂(如伏安法测电池的电动势和内电阻)，这些都可能产生较大范围的误差．为了消除电表内阻影响产生的系统误     

1×7锥形混合棒塑料光纤耦合器

利用光线追迹法进行数值仿真得到了锥形混合棒塑料光纤耦合器的分光比与其长度的关系.数值仿真表明:这种耦合器的分光比随锥形光波导长度增加,在0.143(即均分处)上下呈振荡型变化.选择一均分且分光比变化平缓的区域作为制作光波导的长度,通过拉伸粗的光波导棒成锥形且达到所需的长度,并采用精密的机械连接,制作出了1×7塑料光纤耦合器.测试数据表明:这种塑料光纤耦合器具有很高的均匀性.