Compton软化过程的扩散方程

本文讨论X射线穿过“冷”等离子体介质时所发生的辐射转移过程,这种由电子-光子散射造成的特殊转移过程被称做Compton软化.文中导出了软化过程的扩散方程式,并指出它在天体物理与辐射物理中的潜在应用.     

对位酚类衍生物作为化学发光分析的增强剂研究

在化学发光分析中，常常要用到碱性条件下鲁米诺与过氧化氢的反应系统，通过催化剂辣根过氧化物酶使反应顺利进行。如果再加入适当的增强剂，则灵敏度提高且发光时间延长，可改善测定的重现性。实验证明，对位酚类衍生物，如：对叔丁基苯酚，对甲苯酚的发光增强作用明显，其发光效率可上升几十倍，发光时间也获得有效延长。     

竖直波纹板表面凝结过程的强化传热研究

根据波纹板壁面与凝结液间的表面张力使液膜减薄的强化凝结传热的机理建立数学模型,计算了波纹板槽道谷底和波峰两侧液膜传热的综合效果与当量竖直平壁相比较的传热结果,提出了一种可兼顾通流截面和强化效应的双尺度波纹形式,对双尺度波纹、普通波纹板和当量平板进行了凝结传热性能比较实验,表明双尺度波纹板凝结侧传热系数可比普通波纹板增强约40％。     

前缘弯掠斜流转子叶顶间隙流动特性数值分析

本文对前缘弯掠斜流转子叶顶间隙内的流动特性进行了数值分析。结果表明:叶顶间隙气流与主流发生卷吸而生成泄漏涡。泄漏涡作用的区域具有较低的压力分布。在叶片通道内,泄漏涡沿着与转子旋向相反的方向朝相邻叶片的压力面移动。大间隙时的泄漏涡比小间隙时强烈。低流量时泄漏涡的作用区域比高流量时大。在各种流量特性下,叶顶尾缘近吸力面区域都存在着二次间隙流。     

中物院发展数控技术的基本思路初探

本文通过对我院数控技术应用的现状分析，提出发展数控技术的基本思路。     

纳米Zr-V-O粉末的XRD及TG-DSC研究

利用机械合金化制备纳米Zr-V粉末，对制备过程的材料进行物相分析和热分析试验。初始粉末Zr（150μm）和V（150μm）元素粉末（纯度99．15％）按原子比1：2或1：1进行混合后在氩气气氛中放入SimoloyerCMol—2球磨仓中，按几种不同的试验条件进行球磨。同时在997K和1047K下热处理40min和1h，并对热处理前后的粉末进行了物相和TG-DSC实验分析。     

物理学中图象的隐含与挖掘

图象不仅能清晰地将抽象的物理过程形象地表述出来，而且还可展示物理情境及反映各物理量的变化情况，既可使该变化的整体特征一目了然，又可将变化过程中的暂态“定格”，从而对变化过程中的某一瞬态进行深入研究。下面笔者从“点”“线”“面”“角”等角度人手，分析解决物理问题的方法，供同学们参考．     

华罗庚(1910——1985)

作者哈贝斯坦教授曾任美国依利诺伊大学数学系主任 ,研究方向是解析数论 ,现已退休 .华罗庚教授曾在 1 948— 1 95 0年间任伊利诺伊大学的教授 ,回国之后与哈贝斯坦的友谊保持终生 .哈贝斯坦教授的这篇有关著名数学家华罗庚的传记文章 ,发表在美国科学院出版的《科学家传记》第 81卷 (BiographicalMemoirs,Vol.81 ,TheNationalAcademyPress,Washington ,D .C .2 0 0 2 )中 .该传记丛书每卷大约 5 0 0页 ,包括 2 0名科学家 .据查 ,在 70—81卷中 ,只收录了一位大陆科学家———华罗庚 .本传记中的观点均属于作者本人 ,并不一定反映美国国家科学院的观点 .本刊特别约请著名数学家王元教授将此文翻译成中文 ,以飨广大读者 .     

HL-2A装置硅化对杂质线辐射的影响

在2004年的实验中，首次在HL-2A偏滤器装置上进行了硅化器壁处理，在这种硅化器壁的条件下，对轻重杂质的线辐射进行了研究，并与无硅化条件下的杂质特性作了比较。在实验中，通过观测杂质的辐射特性研究了硅化对杂质的吸附作用和硅化效果的维持。并通过调整硅化后的辉光放电清洗，研究了硅化对氢再循环的影响。