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991.
Microstructure and strain films using in-plane grazing analysis of GaN epitaxial incidence x-ray diffraction 下载免费PDF全文
This paper investigates the major structural parameters, such as crystal quality and strain state of (001)-oriented GaN thin films grown on sapphire substrates by metalorganic chemical vapour deposition, using an in-plane grazing incidence x-ray diffraction technique. The results are analysed and compared with a complementary out-of-plane x- ray diffraction technique. The twist of the GaN mosaic structure is determined through the direct grazing incidence t of (100) reflection which agrees well with the result obtained by extrapolation method. The method for directly determining the in-plane lattice parameters of the GaN layers is also presented. Combined with the biaxial strain model, it derives the lattice parameters corresponding to fully relaxed GaN films. The GaN epilayers show an increasing residual compressive stress with increasing layer thickness when the two dimensional growth stage is established, reaching to a maximum level of-0.89 GPa. 相似文献
992.
993.
994.
995.
1841年,D elaunay获得如下定理:如果在一平面上沿定直线滚动一条二次圆锥直线,然后将其焦点的轨迹绕定直线旋转,则所得到的曲面具有常数平均曲率,反之,所有旋转常数平均曲率曲面(除球面外)都有如此构造.本文将以上的D elaunay定理推广到Lorentz-M inkow sk i空间Rn1 1中类空的Sm型旋转W超曲面. 相似文献
996.
以1,2,3,4-四氢异喹啉为原料,先依次与二碳酸二叔丁酯、亚氯酸钠反应得到N-Boc-1,2,3,4-四氢-1-异喹啉酮,再和芳基格氏试剂反应得到分子内不对称还原胺化反应的底物,最后以ax-Josiphos为手性配体,[Ir(COD)Cl]2为金属前体,在Ti(OiPr)4和40%HBr溶液组成的催化体系中合成了8个手性1-芳基四氢异喹啉类化合物,其结构经1H NMR和13C NMR表征。该路线提供了一种以廉价1,2,3,4-四氢异喹啉为原料高效合成手性1-芳基四氢异喹啉类衍生物的新方法,为索利那新等药物的合成提供了新路径。
相似文献
997.
报道了加州大学尔湾分校的管志斌教授,以及德国康茨坦茨大学Stefan Mecking教授课题组在中性不对称环番配位的烯烃聚合催化剂方面的研究进展。
相似文献
998.
It is shown that certain multi-component Ermakov systems admit Lewis-Ray-Reid invariants. This extends the result to the two-component Ermakov system. 相似文献
999.
Two types of Mei adiabatic invariants induced by perturbation of Mei symmetry for nonholonomic controllable mechanical systems are reported. Criterion and restriction equations determining Mei symmetry after being disturbed of the system are established. Form and existence condition of Mei adiabatic invariants are obtained. 相似文献
1000.
In this paper, we calculate the branching ratios and the direct CP-violating asymmetries for decays B^0 → a0^0(980)π^0, a0^+ (980)π^-, a0^-(980)π^+ and B^- → a0^0 (980)π^-, a0^- (980)π^0 by employing the perturbative QCD (pQCD) factorization approach at the leading order. We found that (a) the pQCD predictions for the branching ratios are around (0.4-2.8) × 10^-6, consistent with currently available experimental upper limits; (b) the CP asymmetries of B^0→ a0^0(980)π^0 and B^- → a0^- (980)π^0 decays can be large, about (70-80)% for α= 100°. 相似文献