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采用自悬浮定向流法制备纳米Ni粉体,利用放电等离子烧结技术制备出了直径10 mm、厚2 mm,致密度为96.8 %,显微硬度为4.17 GPa的纳米块体材料。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和显微硬度计分析了烧结块体样品的相组成、晶粒尺寸、微观形貌和显微硬度。研究表明:随烧结温度的升高,块体样品的致密度和晶粒尺寸增大,当烧结温度为650 ℃时,致密度最高,晶粒尺寸为44.8 nm;显微硬度随烧结温度的增高先增大后减小,当烧结温度为550 ℃时,显微硬度最大为4.33 GPa;较高烧结温度下,断口微观形貌的纳米级韧窝出现,显示了韧性断裂的特征。 相似文献
963.
利用耗散粒子动力学模拟方法研究了两嵌段共聚高分子薄膜中的一些微观性质. 结果表明:薄膜中共聚高分子链的均方根末端距2e>1/2、均方根回旋半径2g>1/2与薄膜厚度l、不同粒子间的相互作用强度aij、粒子与薄膜边界间的排斥作用强度apb均呈线性关系,而均方键长与aij、apb呈线性关系,随l增加则呈现出波浪形趋势. 2e>1/2与2g>1/2的变化趋势可以相互对应. 任一组分在薄膜中的密度分布可以通过其与薄膜边界间的相互作用来有效控制与调节. 相似文献
964.
965.
966.
对氢化物发生-原子荧光法测定啤酒中总砷含量的不确定度进行了评定。分析了方法中不确定度的来源,测量结果的不确定度由样品制备、校准曲线、重复性试验、平行试验等所引入的不确定度分量组成。评定结果表明,校准曲线是影响该方法不确定度的主要因素。 相似文献
967.
Microstructure and strain films using in-plane grazing analysis of GaN epitaxial incidence x-ray diffraction
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This paper investigates the major structural parameters, such as crystal quality and strain state of (001)-oriented GaN thin films grown on sapphire substrates by metalorganic chemical vapour deposition, using an in-plane grazing incidence x-ray diffraction technique. The results are analysed and compared with a complementary out-of-plane x- ray diffraction technique. The twist of the GaN mosaic structure is determined through the direct grazing incidence t of (100) reflection which agrees well with the result obtained by extrapolation method. The method for directly determining the in-plane lattice parameters of the GaN layers is also presented. Combined with the biaxial strain model, it derives the lattice parameters corresponding to fully relaxed GaN films. The GaN epilayers show an increasing residual compressive stress with increasing layer thickness when the two dimensional growth stage is established, reaching to a maximum level of-0.89 GPa. 相似文献
968.
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