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91.
HuaRongZHAO XiaoFengLI XinJianZHAO YangPingNIU 《中国化学快报》2004,15(11):1292-1294
Aryl selenoamides react smoothly with a-haloacetic acid in various alcohol to givecorresponding bis(carboxyalkylmethyl) diselenides in good yields. 相似文献
92.
将由联苯阴离子和中性萘之间通过刚性环己烷所连接的经典的电子转移体系作一构象修正,得到一个π-σ-π型分子。UHF/6-31G**研究表明,此体系具有更高的能垒和小得多的电子转移耦合,而且其耦合几乎完全通过环己烷桥上的化学键实现。外电场效应的研究进一步发现,该体系在无外场条件下几乎没有电子转移反应发生,但当外电场增至0.001463au时,反应的能垒消失,其电子转移速率达到10^5d^-1数量级。所有特征均显示,该体系具有作为单分子电子器件的分子原型的巨大潜力。 相似文献
93.
用ZINDO、从头算和密度泛函理论方法研究荧光素及其衍生物的电子结构和光谱性质.计算结果表明母体双阴离子荧光素分子(1)与单(2)、双(3)取代形成的单阴离子荧光素分子的基态电子结构不同,而且1与2和3的基态和激发态的电子转移方向相反.体系1~3的最大吸收波长依次发生红移,与实验结果相符合. 相似文献
94.
对-硝基苯甲酸甲酯(1),对-硝基苯甲酸正丁酯(2),对-硝基苯甲酸叔丁酯(3),对-硝基苯甲酸苄酯(4),对-硝基苯甲酸苯酯(5),对-硝基苯甲酸(对-硝基)苯酯(6),间-硝基苯甲酸甲酯(7),间-硝基苯甲酸乙酯(8),间-硝基苯甲酸苯酯(9)和3,5-二硝基苯甲酸甲酯(10)与氢氧化钾在二甲亚砜中反应,反应产物分别为相应的对-硝基苯甲酸和间-硝基苯甲酸.反应液用 ESR 检测,得到1—10自由基负离子的 ESR 谱.用自旋捕获技术证明反应过程中有·OH 自由基生成.自由基捕获剂亚硝基叔丁烷(TNB),苯基叔丁基硝酮(PBN)和氧气使产物硝基苯甲酸的产率降低.结果表明,1—10与 KOH 在 DMSO 中反应存在单电子转移机理. 相似文献
95.
96.
表面引发原子转移自由基聚合方法合成Fe3O4/PMMA复合纳米微粒 总被引:7,自引:1,他引:7
采用表面引发原子转移自由基聚合方法合成了核壳结构的磁性高分子纳米微粒. 作为聚合反应引发剂的3-氯丙酸, 首先与油酸修饰的Fe3O4纳米微粒表面的部分油酸置换, 然后在Fe3O4纳米微粒表面引发甲基丙烯酸甲酯聚合, 合成的纳米复合材料用TEM, FTIR, XRD和DSC表征. 磁性测试结果表明, 所制备的磁性高分子纳米微粒仍具有超顺磁性, 但由于聚合物的存在, 其饱和磁化强度降低. 相似文献
97.
98.
运用三足四齿配体三(2-甲基吡啶)胺(TPA)或三(2-甲基苯丙咪唑)胺(TBA),得到两个双核铁(III)配合物,[Fe2L2(μ2-O)(μ2-p-NH2-C6H4COO)]3+
(L = TPA, 1 和 L = TBA,
2)。两个配合物均为单斜晶系,空间群为P2(1)/c.晶胞参数 1: a =
1.4529(4), b = 1.6622(5), c = 2.0625(6) nm, β= 100.327(5)º,
V = 4.900(3) nm3, z = 4, F(000) = 2344, 分子量Mr = 1142.91, Dc
= 1.549 g/cm3, R1 = 0.0544,
R2 = 0.0962. 2: a = 1.3378(4), b = 2.1174(7), c =
2.4351(7) nm, β= 97.315(6)º, V = 6.842(4) nm3,
z = 4, F (000) = 3116, 分子量Mr = 1505.08, Dc
= 1.444 g/cm3, R1 = 0.0793, R2 = 0.1623. 在两个双核铁(III)配合物中,中心的三价铁和配体TPA或TBA上的四个氮原子和两个氧原子通过不同的桥形成一个畸变的八面体构型。 相似文献
99.
富勒烯(C60/C70)与N,N,N’,N’-四-(对甲苯基)-4,4’-二胺-1,1’-二 苯硒醚(TPDASe)间在激光光诱导条件下,发生了分子间的电子转移过程.在可见- 近红外区(600-1200nm),观测到了TPDASe阳离子自由基、富勒烯(C60/C70)激发三 线态和阴离子自由基,在苯腈溶液中,观测瞬态谱测定了电子从TPDASe转移到富勒 烯(C60/C70)激发三线态的量子转化产率(Φet^T)和电子转移常数(Ket). 相似文献
100.
为了探寻电流脉冲泄流时,设备的接地是否有效可靠,用FDTD法分析了脉冲泄流时均一土壤、分层土壤及局部改善土壤的电导率对冲击接地阻抗(TGR)的影响。结果表明:大地电导率对冲击接地阻抗的影响很大;对均一土壤,TGR随大地电导率的增大而减小,大地电导率越大,TGR对接地体的埋深越不敏感。对分层土壤,接地体要埋在大地电导率大的土壤层中,且不要靠近交界面;局部改善大地导电性能对降低TGR效果明显,TGR对改善区域的体积非常敏感,而当电导率大于一定值时,大地电导率的再增加,对TGR的影响不明显。 相似文献