铜镍和铜钴合金电极在碱性介质中的光电化学

用动电位伏安法对含镍量10％、30％和50％的铜镍合金以及含钴量5.1％、9.7％、15 ％、25％和40％的铜钴合金电极在硼砂-硼酸缓冲溶液（pH 8.5）中的光电化学行为进行了 研究.铜镍合金和铜钴合金均显示p-型光响应,铜镍合金的光响应来自Cu2O,铜钴合金的光 响应来自Cu2O和氧化钴.含镍量10％和30％的铜镍合金电极以及含钴量5.1％铜钴合金电极的 最大光电流iph,max均大于纯铜电极,含钴量15％、25％和40％的铜钴合金电极以及含镍量 50％的铜镍合金电极由于电极表面相当一部分面积分别被氧化钴和氧化镍所占有,iph,max 小于纯铜电极.铜镍合金电极的φv值（电位负向扫描过程中电极表面完全还原为Cu时的电位 ）负于纯铜电极,而铜钴合金电极的φv值与纯铜电极大致相等, NiO的存在致使铜镍合金 表面Cu2O膜具有更大的稳定性.从光电化学角度通过φv和iph,max反映铜合金的耐腐蚀性能 与交流阻抗法测得的结果相符.     

表面过剩S2-对CdS光催化的影响与带位匹配

用ESR方法研究了硫化镉超微粒子表面被不同浓度的过剩硫离子S2－改性后对其光诱导电子转移及底物的氧化还原反应进程的影响.结果表明,在较高浓度下光还原反应易于进行.若所用底物的氧化还原电位E0为负值,在无过剩S2－存在及低浓度S2－环境中不发生光还原反应,但却可在高浓度S2－环境发生反应; 若底物的E0为正值,则在无硫离子及较低硫离子浓度下能够发生的光氧化反应,在高浓度时则被完全抑止.这是由于表面过剩S2－的作用,改变了底物的氧化还原电位与半导体超细微粒带隙间的匹配关系.根据Langmuir 等温吸附模型,进一步导出了修饰物的浓度c与平带电位负移值间的关系表达式ΔEfb=Δ Kc/(1＋Kc).可以合理解释修饰物 S2－的浓度越高,Efb负移越大,越有利于光还原反应的实验事实.因此根据需要,适当地选择修饰物并控制浓度,使带隙位置与底物氧化还原电位间能有合适的匹配,有助于调节光化学反应的选择性与方向.     

RE(NiCoMnTi)5合金不同放电深度下的交流阻抗谱

研究了La(NiCoMnTi)5、Ce(NiCoMnTi)5、Pr(NiCoMnTi)5和Nd(NiCoMnTi)5四种贮氢合金电极在不同放电深度(DOD, depth of discharge)下的交流阻抗谱.结果表明,在金属相α、氧化物相β和α＋β相区,合金有明显不同的放电动力学特征.在50％DOD时,四种合金表面吸附电阻Rsf和法拉第阻抗RF分别与它们的最大放电容量C50,max和高倍率放电率κ呈近似的线性关系,即Rsf和RF越小,C50,max和κ分别越大.     

超声波辐射下固-液相转移催化法合成N-(α -萘乙酰基)-N'- 芳基硫脲化合物

利用超声波辐射固－液相转移催化法合成了十三种未见文献报道的N(α-萘乙酰基)-N'-芳基硫脲新化合物,并经IR,1^HNMR,13^CNMR和元素分析确定了它们的结构。初步考查它们对玉米生长的促进作用,初步生物活性实验结果表明所有合成的化合物在(0.1～10)×10^-6的浓度内对玉米的根部生长具有显著的促进作用,部分化合物对玉米的幼苗具有促生长作用。     

丝素膜修饰电极pH电荷选择效应的研究

研究了丝素膜的带电特性,其等电点在pH4.5附近,利用丝系膜在等电点前后的两性荷电特性和电荷之间的静电作用,研制了丝素膜修饰石墨电极,多巴胺在膜中的表观扩散系数为2.65×10^-7cm^2/s,其电极反应异相电子转移速率常数为8.9×10^-6cm/s,电极用于神经递质类化合物体系的测定中,验证了此修饰电极的pH电荷选择效应。     

氢处理二氧化钛的光催化性能及电化学阻抗谱

通常可通过物理（浸渍法等）、化学方法（溶胶 -凝胶 ,电化学沉积法等）向光催化剂晶格中引入金属“小岛” ,以加速光生电子 -空穴的转移 ,提高改性后光催化剂的活性 [1].同时 ,运用物理和光电化学等手段研究半导体光催化剂的表面性质和光电化学性质 ,可以为评价这些改性光催化剂的活性和研究反应机理提供依据 [2,3].电化学阻抗谱 (EIS)方法是研究材料性质、化学 (特别是电化学 )过程和界面反应机理的有力工具 [4].本工作运用 EIS手段研究了纳米 TiO_2在氢气气氛下热处理后 TiO_2的阻抗谱特征同其光催化活性之间的关系 .1实验部分　　…     

γ-二氧化锰/K3[Fe(CN)6]溶液界面的电子转移反转区

Marcus电子转移理论的主要成果之一是预言了电子转移反应反转区的存在.从实验上 验证Marcus反转区仍是一个热点问题.通过对γ-MnO2/K3[Fe(CN)6]溶液界面平带电位、极 化曲线的测量,计算了在极化条件下,γ-MnO2导带的电子直接转移到溶液中氧化态物种[F e(CN)6]3-空电子能级上的速率常数ket,logket对外加电位作图,观察到了Marcus反转区. 从理论上也论证了在半导体/溶液界面上的直接电子转移反转区的存在.     

三苯基膦和三甲基氯硅烷直接引发丙烯酸乙酯的基团转移聚合研究

在催化剂溴化锌存在下 ,三苯基膦和三甲基氯硅烷用于直接引发丙烯酸乙酯的基团转移聚合 ,得到了含三苯基膦端基的聚丙烯酸乙酯 ,在这样的聚合系统中能容易地实施丙烯酸乙酯的基团转移聚合反应。动力学研究发现 :终止反应在很大程度上取决于催化剂溴化锌的浓度 ,因此 ,在此基团转移聚合反应中催化剂溴化锌的最有效浓度是丙烯酸乙酯的摩尔浓度的 12～ 16%。由于四价的三苯膦基团引入到所生成的烯酮硅基缩醛 (引发剂 )上 ,聚合的终止反应主要是经过膦叶立德中间体 ,活性端基烯酮硅基缩醛异构化成为无基团转移聚合活性的含碳硅键化合物。     

石墨二炔及其电子转移增强特性

石墨二炔是由sp和sp²杂化的碳原子构成的新的碳同素异形体。由于石墨二炔具有独特的拓扑结构和电子结构、较高的电荷迁移率及优异的电子传输性能,使其与其他材料相互作用,可表现出独特的电子转移增强特性。本文基于石墨二炔的电子转移增强特性,概述了石墨二炔及其电子转移增强特性的最新研究进展,包括金属氧化物/石墨二炔、金属纳米颗粒/石墨二炔、聚合物/石墨二炔以及染料分子/石墨二炔等多种石墨二炔基材料。本文从理论和实验研究两个方面详细阐述了石墨二炔的电子转移增强特性、石墨二炔与不同材料的相互作用以及相关的应用。希望该综述能对石墨炔化学的发展起到一定的积极作用。     

黑磷的制备及表征研究

黑磷是一种具有高的载流子迁移率、高的通断比,带隙为0.3~2 eV的二维材料,对中红外、近红外新型光电器件的开发具有十分重要的意义.本文利用高能球磨法和化学气相转移法成功将红磷转化为黑磷,并进行液相剥离,得到了一层或两层的磷烯.利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、差示扫描量热仪对其微观结构和稳定性进行了研究,并表征了化学气相转移法制备黑磷的电学性能.结果表明：高能球磨法制备的黑磷尺寸小、结晶度低,样品中有红磷存在,稳定性差.化学气相转移法制备的黑磷尺寸大、结晶度好、纯度高,且较为稳定.此方法制备的黑磷可成为剥离磷烯的优异原料,进而应用于先进微电子器件.