一种利用Gabor小波特征的目标跟踪方法

小波特征跟踪是一种新的目标跟踪方法。这种方法利用Gabor小波提取目标的边界特征来组成特征模板,并由小波滤波器系数组成特征向量。在跟踪过程中不断优化特征模板的旋转、尺度及平移等几何变形参数,使得小波特征向量值在最小平方和的意义上与初始值相匹配,从而实现目标旋转、尺度及平移等几何变形时的自动跟踪。实验表明,该方法能够有效地跟踪飞机、车辆等目标,并且能够抵抗全局亮度的变化和局部遮挡的干扰。     

目标自适应分割算法的研究

初步探讨和分析几种实际典型场景目标与背景的特征，提出相应的目标分割算法，并对几种方法加以融合。实际跟踪算法中，实现目标分割方法的自动转换．自动调整自适应分割门限及搜索方案．实验表明，该算法转换灵活，跟踪平稳。自适应能力强，抗干扰性能好．易于软件实现．     

关于非平行板电容器电容计算的讨论

用串联方法计算非平行板电容器的电容，简便地得到与其他方法相同的结果。     

燃煤烟气中As、Se、Pb的形态分布及S、Cl元素对其形态分布的影响

基于化学热力学平衡分析方法，计算分析了燃煤烟气中重金属As、Se、Pb的形态分布规律，研究了S、Cl等元素对As、Se、Pb的形态分布规律的影响。结果表明，氧化性气氛下，As以As₂O₅、As₄O₆、AsO等氧化物的形式存在；Se主要以SeO₂形式存在；Pb在1000 K以下主要是固态PbSO₄，1200 K以上为气态PbO。还原性气氛下，As在较低温度时为固态As₂S₂，900-1400 K以As₂、AsS、AsN气体共存，2000 K以上全部转化为气态AsO。Se在1100 K以下主要以气态H₂Se存在，1100 K开始生成SeS和Se₂气体，1800 K时主要是气态Se和少量气态SeO；Pb在中低温时主要是PbS，1800 K以上气态Pb为主要存在形态。S在还原性气氛下增大了AsS（g）、PbS（g）、SeS（g）的比例，氧化性气氛下对As、Se、Pb形态分布基本无影响；Cl无论在氧化还是还原气氛下对As、Se影响均较小，但对Pb的形态分布影响较大。     

静电场中零电势点的确定和电势的计算

在静电场中,零电势点位置的确定,对电势计算的方便与否起着致关重要的作用.下面就4种情况,简述零电势点位置的确定及相应电势的计算公式.1 点电荷电场中各点电势的计算 例1 设一带电量为Q的点电荷,放在相对电容率为εT的无限大均匀电介质中,求空间各点的电势.     

用改进嵌入原子法计算Cu晶体的表面能

用改进嵌入原子法(MEAM)计算了Cu晶体12个晶面的表面能.结果表明，密排面(111)的表面能最小.其他晶面的表面能随其晶面与(111)晶面夹角的增加而增加，据此可以粗略地估计各晶面表面能的相对大小.给出的几何结构因子的确定方法及结果可以直接用于计算其他面心立方晶体的表面能及其他特性.在Cu,Ag等面心立方薄膜中出现(111)择优取向或织构的机理是表面能的最小化. 关键词： 改进嵌入原子法 铜 表面能 计算     

分谐波采样锁相环和分频式锁相环的性能比较

锁相环路(PLL)是一个能够跟踪输入信号相位的闭环自动控制系统，具有载波跟踪特性，可以提取淹没在噪声中的信号。锁相环可分为全数字锁相和取样锁相环。其中取样锁相环为数模混合锁相环路，又可分为分谐波采样锁相环和分频式锁相环。分频式锁相环具有较高的稳定度、较低的相位噪声和易于集成等优点，而分谐波采样锁相环还可以提供更低的相位噪声，它们在通信技术中都有着广泛的应用。     

Calculation of the Specific Heats for the Ⅱ—Ⅲ and Ⅱ—Ⅳ Phase transitions in NH4I

This study gives our calculation for the specific heats CVI due to an Ising model using the observed Cp data for the Ⅱ-Ⅲ and Ⅱ-VI phase transitions in NH4I.By fitting to the CP data we determine the values of the critical exponent for the pressure of 0.14GPa(Ⅱ-Ⅲ phase transition)and for the pressures of 0.75,1.35and 1.97 GPa (II-IV phase transition)in NH4I.Our exponent values values are close to the predicted values of the specific heat in a three-dimensional Ising model.Our calculated CVI are in good agreement with the experimental CP for NH4I in most cases.     

Numerical Calculation and Analysis of Track Etching Process

Heavy ion irradiated polymers can be chemically etched to form track membrane with pores in the micro and sub-micro ranges. It has been reported that pore growth during etching can be related to track structures. A latent track has a track core inside and a track halo surrounding the track core. By single track etching it is observed that etching in the track core is much faster than in the track halo where the etching rate is even lower tlian that of bulk material. For multi-track etching, no such stages can be seen by the conductance measurements.