全文获取类型
收费全文 | 10586篇 |
免费 | 3540篇 |
国内免费 | 3356篇 |
专业分类
化学 | 5308篇 |
晶体学 | 173篇 |
力学 | 716篇 |
综合类 | 280篇 |
数学 | 1758篇 |
物理学 | 9247篇 |
出版年
2024年 | 125篇 |
2023年 | 459篇 |
2022年 | 556篇 |
2021年 | 555篇 |
2020年 | 383篇 |
2019年 | 496篇 |
2018年 | 350篇 |
2017年 | 421篇 |
2016年 | 440篇 |
2015年 | 508篇 |
2014年 | 841篇 |
2013年 | 682篇 |
2012年 | 691篇 |
2011年 | 807篇 |
2010年 | 772篇 |
2009年 | 825篇 |
2008年 | 838篇 |
2007年 | 788篇 |
2006年 | 735篇 |
2005年 | 672篇 |
2004年 | 693篇 |
2003年 | 631篇 |
2002年 | 583篇 |
2001年 | 503篇 |
2000年 | 450篇 |
1999年 | 371篇 |
1998年 | 288篇 |
1997年 | 303篇 |
1996年 | 280篇 |
1995年 | 268篇 |
1994年 | 237篇 |
1993年 | 212篇 |
1992年 | 194篇 |
1991年 | 154篇 |
1990年 | 156篇 |
1989年 | 112篇 |
1988年 | 35篇 |
1987年 | 22篇 |
1986年 | 13篇 |
1985年 | 9篇 |
1984年 | 8篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 7篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 2篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
102.
103.
本文介绍GaAs/AlAs超晶格的室温近共振喇曼散射测量结果。由于超晶格中Fr?hlich相互作用的共振增强效应,GaAs LO声子偶模的散射得到了很大的增强。和前人的结果一样,在偏振谱我们观察到了偶模。但和前人的结果不同,在退偏振谱中我们观察到的是奇模,而不是偶模。从而证明了在近共振条件下LO声子限制模仍遵从与非共振时一样的选择定则。二级喇曼散射实验结果表明,在偏振谱中二级谱是由两个偶模组合而成,而在退偏振谱中的二级谱与前人的结果不同,由一个奇模与一个偶模组合而成。上述结果与最近提出的黄朱模型的预言是一
关键词: 相似文献
104.
本文描述了用膜吸收法测量激光等离子体辐射温度空间分布的原理和方法给出了柱形缝靶轴向辐射温度随空间位置变化的特征,对测量结果进行了分析讨论。 相似文献
106.
超软X射线流气式正比计数管 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了一种用于测量183~933eV超软X射线的圆柱形、侧窗式、流气式正比计数管,工作气体是0.11MPa的P-10气体或氦气-丙烷混合气体。计数管内径为φ25mm,直径为φ0.3mm的入射窗是由厚度80~90μgcm~2聚乙烯甲醛制成的。该计数管的特点:(1)薄窗,对软X射线透过率高。(2)流气式,工作寿命长。(3)能量分辨率好。(4)计数率高(1×10~(14)个/s)。(5)可测能区宽(0.183~10keV)。(6)可以方便更换窗膜材料、厚度及窗口直径。近几年来该计数管已经为高强度低能X光源提供较好监测。 相似文献
107.
用同步辐射光电子能谱表征了不同氧分压下通过热蒸发镁在GaAs(100)面制备氧经物超薄膜过程中的氧物种,结果表明表面氧物种的形式与镁氧配比有关,较高的氧分压下于形成活泼的分子离子等氧中间体,因此通过控制镁氧比可以制备高效的薄膜模型催化剂或适合于功能材料集成的规则氧化物过渡层,氧物种的形式可以通过能谱中不同的原子或分子轨道电子跃迁来有效地区分。 相似文献
108.
对水热处理后得到的USY沸石作进一步的酸处理以及采用改进的氟硅酸盐溶液骨架富硅工艺,分别得到了经XPS剖面分析证实为铝分布均匀的超稳Y沸石HAY-Ⅰ和HAY-Ⅱ。IR分析表明,在酸处理过程中从USY沸石中去掉的那部分非骨架铝类与3690cm~(-1)处羟基有关,仍残留在HAY-Ⅰ沸石中的那部分非骨架铝类与3670cm~(-1)和3600cm~(-1)处羟基有关。XRD和化学分析表明HAY-Ⅰ沸石仍含有约50%的非骨架铝类,而HAY-Ⅱ沸石则基本上不含非骨架铝类,HAY-Ⅱ沸石还显示更高的结晶保留度。DTA分析表明,HAY-Ⅰ和HAY-Ⅱ两种沸石的热稳定性均高于USY沸石。 相似文献
109.
测量了Cr^4+,YAG、Cr^4+,Mg2SiO4晶体在室温和液氮温度下的荧光光谱,吸收光谱和激发态寿命,讨论了温度变化时,两种晶体中Cr^4+近红外辐射积分强度变化与激光发态寿命变化的关系,得出结论:在77K ̄300K范围内,Cr^4+的^3T2能级荧光辐射截面本身受温度影响不大,Cr^4+辐射荧光的变化,主要是由无辐射弛豫速率随温度变化而引起的。 相似文献
110.
用X射线衍射动力学理论,模拟计算InP衬底上InGaAs/AllnAs超晶格和InGaAs单层膜的X射线双晶摇摆曲线,计算结果表明:薄膜界面粗糙对单层膜的衍射峰和超晶格的零级衍射峰影响较小,但却明显影响单层膜衍射干涉条纹和超晶格的±1级卫星峰,随着平均界面粗糙度的增大,单层膜衍射干涉条纹强度减弱并趋于消失;超晶格的±1级卫星峰变弱并逐渐展宽,理论计算的模拟双晶摇摆曲线与超晶格实验曲线比较表明:高质量匹配In0.53Ga0.47As(85?)/Al0.4
关键词: 相似文献