先位粉末套管法制备MgB2/Fe线材的超导性能研究

采用先位法将MgB2粉装入纯铁管中,制备出MgB2/Fe超导线材.用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了样品的物相组成和显微结构;用SQUID测量了样品的超导转变温度;用标准四引线法测量了短样的临界电流.结果显示,超导样品的临界转变温度约为38.3 K,在4.2 K/4 T下MgB2/Fe线材的临界电流密度为～104A/cm2.研究结果表明,高温退火有效地减少了冷加工过程中产生的应力,改善了晶粒连接性,提高了芯材的致密度,可以显著地提高先位法制备线材的临界电流密度.     

SQUID用于铍材残余应力检测的计算机模拟

依据SMM-601型超导量子干涉显微镜检测部分构建计算模型,采用电磁场有限元方法分析了残余应力引起的非磁性金属材料铍电导率变化对超导量子干涉仪(SQUID)检测信号的影响,并讨论了该方法实际应用于非磁性金属材料残余应力检测的条件和可能性。     

超导故障限流器的研究现状及其应用

超导故障限流器(Superconducting Fault Current Limiter,SFCL)是利用超导体的基本特性,有效限制电力系统故障短路电流,提高电网安全性和稳定性的一种新型电力设备。文中在综合大量文献的基础上,对超导故障限流器进行了一种较为系统的分类。基于该种分类,结合目前国内外的研究现状,就电阻型、磁屏蔽型、饱和铁芯电抗器型、桥路型SFCL的工作原理作了详细的分析介绍,还给出了它们在电力系统中的安装位置。最后,对超导故障限流器的研究中存在的问题及其发展趋势做了说明。     

Fabrication of rhenium Josephson junctions

Rhenium is a superconductor with a relatively weak tendency to oxidize, which is advantageous in superconducting quantum circuit and qubit applications. In this work, Re/A1-A1Ox/Re Josephson tunnel junctions were fabricated using a selective film-etching process similar to that developed in Nb trilayer technology. The Re films had a superconducting transition temperature of 4.8 K and a transition width of 0.2 K. The junctions were found to be highly reproducible using the fabrication process and their characteristics had good quality with a low leakage current and showed a superconducting gap of 0.55 meV.     

Fabrication of high-quality submicron Nb/Al--AlOx/Nb tunnel junctions

Nb/Al-AlOx/Nb tunnel junctions are often used in the studies of macroscopic quantum phenomena and superconducting qubit applications of the Josephson devices. In this work, we describe a convenient and reliable process using electron beam lithography for the fabrication of high-quality, submicron-sized Nb/Al-AlOx/Nb Josephson junctions. The technique follows the well-known selective Nb etching process and produces high-quality junctions with Vm=100 mV at 2.3 K for the typical critical current density of 2.2 kA/cm^2, which can be adjusted by controlling the oxygen pressure and oxidation time during the formation of the tunnelling barrier. We present the results of the temperature dependence of the sub-gap current and in-plane magnetic-field dependence of the critical current, and compare them with the theoretical predictions.     

BEPCⅡ低温控制系统研制

北京正负电子对撞机重大改造工程(BEPCⅡ)首次应用低温超导技术建造低温系统.低温控制系统通过控制前端低温系统的压力、液位、流量和功率等过程变量,分别产生饱和液氦、两相氦和过冷的单相液氦,使用这三种不同形式的氦流来冷却超导设备.低温控制系统采用EPICS+PLC双层架构体系,实现对前端低温超导设备的全自动控制.EPICS主要完成低温系统的过程控制、逻辑控制和PID闭环控制;PLC负责前端关键设备的联锁控制,用于保护低温超导设备的安全.     

HT-7U超导托卡马克极向场反馈控制系统

HL-7U超导托卡马克的极向场反馈控制系统是装置正常运行的重要保证。该控制系统以VXI总线机箱为基本单元、数字信号处理器为核心,组成反馈时间为2-4ms的高速实时反馈系统。简要地叙述了该系统的基本组成以及软件算法的研究。     

溅射气体中氩气含量对Y1Ba2Cu3O7-δ薄膜结构和Tc的影响

采用倒筒直流磁控溅射系统在不同溅射气体组分下(氩氧比不同)原位沉积Y1Ba2Cu2O7-δ(YBCO)薄膜.样品的XRD分析发现在Ar含量过高和过低的溅射气氛下沉积的薄膜存在极少量的BaCuO2第二相, 同时显示薄膜的c轴长度, (006), (007)对(005)峰强度比随着溅射气体中Ar含量的变化而发生改变.通过薄膜超导零电阻温度检测发现, YBCO薄膜的超导零电阻温度Tc随之发生改变.这说明在磁控溅射沉积YBCO薄膜过程中, 溅射气体中Ar气含量影响薄膜各元素的化学计量比, Ar含量过高和过低导致沉积YBCO薄膜晶体结构发生畸变, 恶化超导电性.