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882.
本文设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)抗单粒子性能的方法. 利用半导体器件模拟工具, 针对加固前后的SiGe HBT开展了单粒子效应仿真模拟, 分析了伪集电极对SiGe HBT电荷收集机理的影响. 结果表明, 引入的伪集电极形成的新的集电极-衬底结具有较大的反偏能力, 加固后SiGe HBT伪集电极通过扩散机理, 大量收集单粒子效应产生的电荷, 有效地减少了实际集电极的电荷收集量, 发射极、基极电荷收集量也有不同程度的降低, 加固设计后SiGe HBT 的单粒子效应敏感区域缩小, 有效的提高了SiGe HBT 器件抗单粒子效应辐射性能. 此项工作的开展为SiGe HBT电路级单粒子效应抗辐射加固设计打下良好的基础. 相似文献
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884.
885.
886.
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介绍了约瑟夫逊结原理及其制作方法,在此基础上对超导量子干涉仪测量磁场的基本原理作了阐述,同时就其在超导陀螺仪中的实际应用方面作了实例说明。结果表明这种仪器测量弱磁场的精度很高,技术也已成熟。 相似文献
888.
目的 探讨不同部位黏膜相关淋巴组织结外边缘区淋巴瘤(MALT 淋巴瘤)的病理特征、并分析IgM 表达与MYD88 L265P 突变的相关性。方法 对发生在不同部位的65 例MALT淋巴瘤患者的标本进行病理组织学及免疫组化分析,选取其中可行分子生物学研究的26 例标本进行IgM 表达检测,以测序法检测了MYD88 L265P 的突变状况,并研究了IgM 表达与MYD88 L265P 突变间的相关性。结果 65 例患者的病变部位包括胃18 例、涎腺10 例、肺9 例、肠道8 例、眼7 例、甲状腺5 例、其他部位8例。不同器官的病变具有相似的组织学和大部分免疫组化表达,但Bcl-2 的表达在肺(6/9)和甲状腺(2/5)与总体(56/65)相比均有统计学差异(均P >0.05)。26 例标本中有16 例IgM 呈阳性,而发生MYD88 L265P 的突变的病例只有1例,两者无相关性(P=0.615)。结论 发生在不同的部位的MALT 淋巴瘤具有相似的病理学特征,MYD88 L265P 的突变率在MALT 淋巴瘤较低,且与IgM 表达无明显相关性。 相似文献
889.
首先,提出了一个改进超导电路结构,此结构能实现任意两个量子比特的相互作用而非近邻作用,长程作用是实现量子计算所必需的,此结构能用目前的技术制作。其次,基于此结构提出了Grover搜索算法实现的物理方案。由于能实现任意两量子比特之间的控制相位门,所以多比特Grover搜索算法也能实现,以满足各种量子计算的需要。此方案是一个基于电流控制的超导电荷比特网络结构的可扩展及易实现的Grover搜索算法实现方案。 相似文献
890.
In this paper, we deal with some corresponding relations between knots and polynomials by using the basic properties of knot polynomials (such as, some special values of knot polynomials, the Arf invariant and derivative of knot polynomials). We give necessary and sufficient conditions that a Laurent polynomial with integer coefficients, whose breadth is less than five, is the Jones polynomial of a certain knot. 相似文献