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为把电流引线罐从EAST 大厅移到离装置约30m 外的电源大厅,重新设计和制造了连接新旧超导导体间的13 对超导接头。介绍了其中1 对超导接头的结构设计、空隙率的确定、理论直流电阻计算、压降计算和加工装配方案等。为此,制造了1 对超导接头,并进行通电测试,结果表明,所设计的超导接头结构和加工工艺满足EAST 工程的要求。     

一类新的Stückelberg全息超导模型

本文研究了含Stückelberg机理的黑洞全息超导模型. 通过选取标量场新的高阶修正形式, 建立了新的Stückelberg黑洞全息超导模型. 通过研究模型参数对标量场凝聚的影响, 发现了当模型参数大于临界值时, 高阶修正可以引起一阶相变. 同时本文还考查了反作用对临界值的影响.     

锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真

本文设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)抗单粒子性能的方法. 利用半导体器件模拟工具, 针对加固前后的SiGe HBT开展了单粒子效应仿真模拟, 分析了伪集电极对SiGe HBT电荷收集机理的影响. 结果表明, 引入的伪集电极形成的新的集电极-衬底结具有较大的反偏能力, 加固后SiGe HBT伪集电极通过扩散机理, 大量收集单粒子效应产生的电荷, 有效地减少了实际集电极的电荷收集量, 发射极、基极电荷收集量也有不同程度的降低, 加固设计后SiGe HBT 的单粒子效应敏感区域缩小, 有效的提高了SiGe HBT 器件抗单粒子效应辐射性能. 此项工作的开展为SiGe HBT电路级单粒子效应抗辐射加固设计打下良好的基础.     

Nb_3Sn CICC导体接头电阻测试

介绍了用于测试大电流Nb3Sn管内电缆导体接头电阻的超导变压器系统。该超导变压器包括初级线圈和次级线圈,其中初级线圈采用Nb Ti超导股线绕制;次级线圈采用Nb3Sn CICC导体绕制。初级线圈和次级线圈均浸泡在液氦中冷却。利用超导变压器对Nb3Sn CICC导体超导接头的测试结果表明,所设计的超导接头电阻满足设计要求。     

YBCO涂层导体焊接接头电流分布研究

目前,由于制作工艺的限制,可生产的YBCO涂层导体(2G)的最大长度低于1km,而其在工程应用中需要的长度远远大于可生产长度,因此,针对超导接头技术开展相关研究具有重要的意义。提出了一种测试YBCO涂层导体焊接接头电流分布的试验方法。利用这种方法,分别对3cm,5cm,6cm,8cm,10cm 5种不同长度接头电流和电阻分布进行了测试,并用一个理论模型与实验结果进行了比较。结果显示:接头上下两层带材之间的电流流动大部分是在端点附近完成的;另外,接头电阻是由上下两层带材之间的电流流动引起的,并且主要是由端点处的电流流动决定的。     

高温超导限流器终端绝缘材料低温绝缘特性研究

基于高温超导限流器终端的电场分布特点,开展了G10环氧在液氮中的击穿特性研究、G10环氧在低温氮气和液氮中的沿面闪络特性研究,以及液氮和低温氮气的击穿特性研究。实验结果表明,击穿电压受施加电压类型、电极形状和电极间隙长度等因素的影响。利用Weibull分布得到了50%击穿电压和电极间隙的关系。实验结果可作为高温超导限流器终端设计的参考和依据。     

退火工艺对制备二硼化镁超导薄膜的影响

采用了化学气相沉积法(CVD),在低真空环境下制备出Mg B_2超导薄膜,并探索了退火温度、退火时间、降温速率对Mg B_2薄膜性能的影响。采用X射线衍射仪、扫描电镜和低温电导率测试系统对样品的晶体结构、表面形貌和超导电性进行了系统分析。研究表明:退火温度在780℃,退火时间为120min,退火后的降温速率控制在16℃/min左右,制备出的Mg B_2薄膜超导转变温度T_(c(onset))为39.5K,超导转变宽度ΔT_c为2K,表现出最优的超导性能,同时薄膜的成品率显著提高。证明了通过优化后,退火工艺可以显著提高Mg B_2的超导性能。     

1957年2月6日:美国麻省理工学院启用第一部冷子管

 现在很难想象以前的计算机都由庞大的真空管所建造,时常占用了整个房间。科学家研发各种装置以减少计算机的体积,其中美国麻省理工学院的研究生巴克(DudleyAllenBuck)所发明的冷子管(cryotron)是比较不为人知的装置之一。冷子管是超导性的第一个实际应用,它利用某些金属在极低温下无电阻的导电能力。     

超导量子干涉仪及其在超导陀螺中的应用

介绍了约瑟夫逊结原理及其制作方法，在此基础上对超导量子干涉仪测量磁场的基本原理作了阐述，同时就其在超导陀螺仪中的实际应用方面作了实例说明。结果表明这种仪器测量弱磁场的精度很高，技术也已成熟。     

黏膜相关淋巴组织结外边缘区淋巴瘤病理特征、IgM 表达及与MYD88 L265P突变的相关性研究

目的 探讨不同部位黏膜相关淋巴组织结外边缘区淋巴瘤（MALT 淋巴瘤）的病理特征、并分析IgM 表达与MYD88 L265P 突变的相关性。方法 对发生在不同部位的65 例MALT淋巴瘤患者的标本进行病理组织学及免疫组化分析,选取其中可行分子生物学研究的26 例标本进行IgM 表达检测,以测序法检测了MYD88 L265P 的突变状况,并研究了IgM 表达与MYD88 L265P 突变间的相关性。结果 65 例患者的病变部位包括胃18 例、涎腺10 例、肺9 例、肠道8 例、眼7 例、甲状腺5 例、其他部位8例。不同器官的病变具有相似的组织学和大部分免疫组化表达,但Bcl-2 的表达在肺（6/9）和甲状腺（2/5）与总体（56/65）相比均有统计学差异（均P ＞0.05）。26 例标本中有16 例IgM 呈阳性,而发生MYD88 L265P 的突变的病例只有1例,两者无相关性（P=0.615）。结论 发生在不同的部位的MALT 淋巴瘤具有相似的病理学特征,MYD88 L265P 的突变率在MALT 淋巴瘤较低,且与IgM 表达无明显相关性。