Evaluation of thermal resistance constitution for packaged A1GaN/GaN high electron mobility transistors by structure function method＊

The evaluation of thermal resistance constitution for packaged A1GaN/GaN high electron mobility transistor （HEMT） by structure function method is proposed in this paper. The evaluation is based on the transient heating measurement of the A1GaN/GaN HEMT by pulsed electrical temperature sensitive parameter method. The extracted chip-level and package-level thermal resistances of the packaged multi-finger A1GaN/GaN HEMT with 400μm SiC substrate are 22.5 K/W and 7.2 K/W respectively, which provides a non-invasive method to evaluate the chip-level thermal resistance of packaged A1GaN/GaN HEMTs. It is also experimentally proved that the extraction of the chip- level thermal resistance by this proposed method is not influenced by package form of the tested device and temperature boundary condition of measurement stage.     

电子俘获材料的研究现状及在红外检测方面的应用

电子俘获材料在辐射剂量测定、光信息处理、光存储、红外光检测等许多技术领域具有广泛的应用。本文详细介绍了电子俘获材料的发光原理、材料种类、制备方法以及研究现状,并针对该材料在红外光检测方面的应用,提出了在室温下该材料存在红外光检测上限的观点。针对电子俘获材料存在性质不稳定及在制备过程中需用到硫化类材料易造成污染等问题,建议进一步改进材料制备方法。最后,文中指出玻璃陶瓷类电子俘获材料会有很好的发展前景,并对该种材料未来的发展前景进行了展望。     

Transport in graphene nanostructures

Graphene nanostructures are promising candidates for future nanoelectronics and solid-state quantum information technology. In this review we provide an overview of a number of electron transport experiments on etched graphene nanostructures. We briefly revisit the electronic properties and the transport characteristics of bulk, i.e., two-dimensional graphene. The fabrication techniques for making graphene nanostructures such as nanoribbons, single electron transistors and quantum dots, mainly based on a dry etching ??paper-cutting?? technique are discussed in detail. The limitations of the current fabrication technology are discussed when we outline the quantum transport properties of the nanostructured devices. In particular we focus here on transport through graphene nanoribbons and constrictions, single electron transistors as well as on graphene quantum dots including double quantum dots. These quasi-one-dimensional (nanoribbons) and quasi-zero-dimensional (quantum dots) graphene nanostructures show a clear route of how to overcome the gapless nature of graphene allowing the confinement of individual carriers and their control by lateral graphene gates and charge detectors. In particular, we emphasize that graphene quantum dots and double quantum dots are very promising systems for spin-based solid state quantum computation, since they are believed to have exceptionally long spin coherence times due to weak spin-orbit coupling and weak hyperfine interaction in graphene.     

第四届国际光子与光电子学会议（POEM2011）成功召开

11月2日上午,第四届国际光子与光电子学会议（POEM2011）在武汉科技会展中心隆重举行。开幕式上,国际光学工程学会主席Katarina Svanberg亲临致辞,武汉市东湖新技术开发区张光清主任介绍了武汉光谷产业发展情况,科技部国家遥感中心景贵飞副主任、武汉市政协吴超主席先后致辞祝贺会议的召开;会议程序委员会主席、...     

第四届国际光子与光电子学会议（POEM2011）征文通知

第四届国际光子与光电子学会议（POEM2011）将于2011年11月2～5日在武汉科技会展中心举行,本次会议将采取开放式的模式,如果您从业于光电领域,并对此次会议感兴趣,您可以发起和组织一项活动来参与会议。会议发起人应邀请5～6名来自不同国家或地区的资深专家组成程序委员会,来负责会议的组织和安排。该委员会在议题设立、议...     

类铜Au50+离子电子碰撞激发特性的研究

利用全相对论扭曲波（RDW）方法,系统计算了类铜Au50+离子的外壳层电子4s激发到4l 、5l （ l= s、p、d、f,除去4s-4s ）和内壳层电子3l （l = s、p、d）激发到4l 、5l （l = s、p、d、f）的碰撞激发截面,研究了在不同入射电子能量下截面的变化规律,给出了3d-4f 和3d-5f 精细结构能级的碰撞激发截面。部分计算结果与其它理论及最新实验结果进行了比较,取得了很好的一致性。     

Half-Heusler合金NiFeSb和NiMnSb的磁性及电子结构的第一性原理研究

用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了half-Heusler合金NiFeSb和NiMnSb的晶体结构、磁性及电子结构。计算结果表明,磁性原子Fe和Mn在两种合金的总磁矩中贡献最大,在NiFeSb总磁矩中,Ni原子贡献比例接近在NiMnSb中的2倍,而Sb原子的贡献比例是在NiMnSb中的1/5;两种合金的自旋向上能带都具有明显的金属特征,而自旋向下能带有明显的差别;两种合金费米能级以下的总态密度(DOS)主要由Ni-3d 和Fe-3d（Mn-3d）态决定,费米能级以上主要由Fe-3d（Mn-3d）自旋向下部分决定。     

元素替代对Mg2NiH4释氢性能影响的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论（DFT）的平面波赝势（PWP）方法,研究了元素替代对Mg2NiH4释氢性能的影响. 计算给出了晶胞参数、电子态密度、原子间的键序和生成焓,分析了氢化物的结构稳定性和原子间成键作用之间的关系. 计算结果表明,生成焓的计算值随替代元素M(Ti,V,Cr)的变化趋势和实验测定的结果一致,且Ti的替代较好地降低了Mg2NiH4的结构稳定性,提高了Mg2NiH4的释氢性能. 分析电子结构可得,Ni(h)–H和M–H间的相互作用是影响Mg2NiH4结构稳定性的主要因素,替代元素正是通过改变M–H的相互作用来提高Mg2NiH4的释氢性能.     

(AlB2)m (m=1~6) 团簇的几何结构和电子性质

采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法得到了(AlB2)m团簇的平衡几何结构. 计算并分析了基态掺杂团簇的平均结合能、电离势、能隙和前线分子轨道. 结果表明：掺杂团簇(AlB2)m (m=1~6)整体上具有较高化学活性,(AlB2)5团簇具有金属特征. Al原子总是向团簇外围扩散并且以配位数较少的方式与主团簇结合,团簇表现出以AlB2分子为基元生长的迹象. B-Al键长大于B-B键长. 电荷总是从Al原子转移到B原子. (AlB2)m团簇中B原子的2p轨道在成键中起主要作用,并使(AlB2)m团簇趋于形成离域π键.