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在100 ~300K温度范围内测量了Hg1212 相块材和薄膜样品的正常态的1/f 噪声,结果显示高质量薄膜的噪声水平为104 量级,已和YBCO 外延膜及单晶相近.还测量了PrBa2Cu3O7 - δ(PrBCO) 微桥样品1/f 噪声的尺寸依赖性,发现在ab 面上,存在着与涨落相关的特征尺度,约为102μm 的量级.样品宽度降到该尺寸以下时,噪声水平急剧下降.在两个体系中,实验结果均和DuttaHorn 热激活模型进行了比较. 相似文献
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YBa2Cu3O7—δ体系CuO2平面外的元素替代效应 总被引:1,自引:1,他引:0
制备了123单相的 Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-ε),YBa_(2-x)M_xCu_3O_(7-ε)(M=Sr,Ca)和 YBa_2Cu_(3-x)Co_xO_(7-δ)的系列样品,并测量了 T_c 及载流子浓度 nH.综和其他实验结果如 XAFS、中子衍射、XPS 和 Raman 谱等,总结得到:CuO_2平面外的元素替代使得晶格中 O(4)原子偏离其在 YBa_2Cu_3O_7中的最佳位置,导致部分空穴局域于 Ba 位或 CuO 链,因而降低体系中可动空穴的浓度.在这种情况下体系 T_c 的压制主要源自可动空穴浓度 PH 的减少.对加压情况下的退局域化作用作了讨论. 相似文献
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高临界温度氧化物超导体的临界电流 总被引:1,自引:0,他引:1
本文从高T氧化物超导体的基本物理、化学性质出发,深入分析了提高其临界电流密度的关键所在。评述了当前薄膜、体材料、线材和带材料发展的工艺状态和性能。指出了今后的发展趋向和应用前景。 相似文献
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测量了 Tl_2Ba_2Ca_2Cu_3O_z 单相超导体在不同外磁场及不同测量频率下的交流磁化率实部和虚部随温度的变化关系,发现实部曲线的起始转变温度 T_(onset)和虚部曲线的峰值温度 T_m,在一定测量频率下都与外磁场的2/3次方成线性关系,在一定外磁场下 T_(onset)与测量频率的对数成线性关系.并且我们认为 T_(onset)和 T_m 都不是一般意义的 T_c,而是受磁通格子熔化影响较大的特殊温度点,所以对 T_(onset)及 T_m 的研究可以反映超导体的磁通格子熔化特性,很值得进一步的研究. 相似文献
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