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11.
高温超导体的临界电流密度(Jc)的温度,磁场和取向关系特性Jc(T,B,θ)及其维度效应,是高温超导电性的中心课题。近几年取得了一系列重要结果。本文对此加以评述。  相似文献   
12.
用电子顺磁共振方法研究了一些高温超导氧化物样品的零场非共振吸收信号和正常的ESR共振信号。认为这种方法可以作为鉴别样品进入超导态的实验判据之一。利用零场非共振吸收实验给出的下临界磁场Hc1(T)很好地遵多Hc1(T)=Hc1(0)(1-T&^2/Tc^2)。  相似文献   
13.
更快、更高、更强——2001年的超导研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
 在2001年,全世界的科技工作者为量子论诞生100周年和诺贝尔奖颁发100周年举行了一系列庆祝活动。在《科学美国人》杂志的一篇纪念文章中,作者列举了33项展示量子论神奇力量的重大发现,这其中有8项与超流-凝聚有关。它们是1911年超导电性的发现,1924年玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)的预言,1938年超流的发现,1957年BCS超导理论的提出,1973年核磁共振成像用于医疗诊断,1980和1982年整数和分数量子霍尔效应的发现,1986年铜氧化物高温超导体的发现和1995年BEC的实现。  相似文献   
14.
不含稀土元素的高温超导体   总被引:1,自引:0,他引:1  
张文斌 《物理》1989,18(2):126-126
氧化物高温超导材料La2-xMxCuO4-y(M为Ba,Sr或Ca)和ReBa3Cu3O7-y或大部分稀土元素)的发现,是超导电性研究的一个重要的里程碑.这类材料晶体结构的特点是含有二维Cu-O2平面层,人们认为高温超导电性与此密切相关.因此,晶体结构中含有这种Cu-O2平面层的新材料可望是高温超导体.最近,人们用Bi或T1替代上面两类材料中的稀土元素,合成出了新的稳定的高温超导材料,从而在这个以Cu-O2平面层为结构特征的高温超导家族中又添加了新的成员. 1987年五月,法国Caen大学的C.Michel和B.Raveau等人报道了他们的发现[1]:在接近Bi2Si2Sr2Cu2O7 y成…  相似文献   
15.
赵建国  李方华 《物理学报》1989,38(3):508-510,T003
用电子衍射和高分辨电子显微术研究了Nd-Ba-Cu-O高温超导体,主相属正交晶系,具有畸变钙钛矿亚结构的三倍超结构,晶胞参数为a=3.84,b=3.87,c=11.7,样品中存在大量的缺陷,用点阵象技术观察到刃位错,反向畴,并借助结构象确定了NdBa_2Cu_3O_(-)的结构模型。在不同成象条件下,高分辨电子显微象上或者重原子为白点,或者氧原子为白点,当成象条件适当时,可以在象上区分氧原子和氧空位。  相似文献   
16.
s波超导体绝缘层dx2-y2波超导体结的直流Josephson电流   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
李晓薇  董正超  崔元顺 《物理学报》2002,51(6):1360-1365
在s波超导体绝缘层dx2-y2波超导体结(sId)中,考虑到结界面粗糙散射,运用BogoliubovdeGennes(BdG)方程和FurusakiTsukada(FT)电流公式,计算超导结中的准粒子传输系数和直流Josephson电流.结果表明:sId超导结的直流Josephson电流随温度以及结两侧的相位差变化的关系曲线强烈地依赖于d波超导体的晶轴方位;结界面的粗糙散射对Josephson电流有抑制作用 关键词: s/I/d超导结 dx2-y2波超导体 直流Josephson电流  相似文献   
17.
超导磁体及其应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
 1911年,荷兰物理学家昂纳斯(Onnes)观察到水银在4K下出现超导现象,随后又发现铅、锡等元素也属于超导物质,但是这些元素的超导状态极易因磁场影响而被破坏,例如铅在550Gs的磁场下就会失去超导状态,因此无法用它们绕制磁体。直到60年代发现铌锆等合金材料具有超导性后,实用超导磁体才得以实现。但是,早期的超导磁体容易受到一些因素(如力、热等)的影响而转变为正常态,从而使磁体损坏;尤其是大型超导磁体,由于储能增加,当磁体失去超导态后极易将磁体烧损,加上冷却磁体的液氦不易获得且比较昂贵,因此它的实际应用受到限制。  相似文献   
18.
描述一种测量高温超导体磁通钉扎能U0及其分布的新方法,此方法主要之点是测量磁化后样品的零场临界电流随时间的变化,利用这一方法测量Tl2Ba2Ca2Cu3Oy的U0值分布(T=78K)。根据所得结果,对已报道的U0值的分散性提出一种新解释。 关键词:  相似文献   
19.
戴闻 《物理》2003,32(11):716-716
  相似文献   
20.
实验测量了掺银 YBCO 高 T_c 超导材料在八毫米波段的表面电阻与温度的关系,在20K和35.6GHz 时的微波表面电阻为2.7×10~(-2)Ω.对实验结果进行了理论分析.  相似文献   
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