高能质子辐射作用的分子机理——DNA空间结构微观损伤的Raman光谱特征

高能质子是空间辐射的重要类型。本文用激光Raman光谱技术,研究了高能质子(27.9 MeV)对水溶液中DNA辐射作用的分子机理。通过解析其特征Raman谱线,获得DNA空间结构微观损伤的以下信息:(1)维系双螺旋结构的碱基间氢键部分断裂;(2)4种碱基均被损伤,其中腺嘌呤环的破坏最重;(3)脱氧核糖发生了明显的变化;(4)骨架磷酸离子(PO_2~-)和磷酸二酯(PO_2)的损伤严重,并出现单、双链的断裂;(5)B型构象的数量显著减少。     

二碘化钐促进的硒代酯的合成

用SmI2/THF/HMPA体系在室温下使二芳基二硒醚中的Se-Se键还原断裂成硒负离子物种, 继而与酸酐作用得到硒代酯, 该反应条件温和中性, 产率良好, 提供了合成硒代酯的一个新途径。     

从核磁共振氢谱推导的重质油氢碳原子摩尔比计算式

通过对炼油厂的催化油浆、重催油浆和催化重焦蜡油核磁共振氢谱中质子归属和重质油结构的假设，推导出计算这3种重质油的氢碳原子摩尔比计算式；结果表明，氢碳原子摩尔比的计算值与实测值非常接近，平均误差仅为3．1％。     

N－5－四唑基－N′－芳甲酰基脲的合成及其生物活性

合成了15个新的含四唑的基的芳甲酰基脲类化合物，用IR，^1H NMR和元素分 析证实了它们的结构，并进行了初步的生物活性试验，生测结果证明一些目标化合 物具有优良的植物生长调节活性，其中N－5－四唑基－N′－芳甲酰基脲（2h)和N －5－四唑基－N′－对溴苯基甲酰基脲（2j)具有很好的生长素活性，2h,2j和N－ 5－四唑基－N′－对甲基苯基甲酰基脲（2m）具有优良的细胞分裂素活性。     

掺杂态聚苯胺的共振拉曼光谱研究

观测了聚苯胺(PAn)在不同状态(掺杂、反掺杂、碱式、氧化、还原)下的拉曼光谱.根据其光谱特性,结合其它实验结果,提出了掺杂态PAn分子链包含电荷分布不等的三种苦环和二种氮原子的四单元苯醌变体模型,指出质子酸掺杂系分子内氧化还原反应,讨论了PAn氧化程度对掺杂效率的影响.     

高分子化学课程中若干论题的进展

高分子化学课程中下列五个论题被加以修正和补充:(1)1,2-二取代乙烯单体的聚合;(2)乙烯基单体聚合时的键连方式;(3)自由基聚合的自动加速;(4)引发转移和引发转移终止剂;(5)氢转移聚合和基因转移聚合。     

一种新型结构质子交换膜的研究

质子导体的研究近年来受到了广泛的关注，具有质子传导能力的电解质材料可广泛地应用于燃料电池、电解池、电化学反应装置以及传感器等领域，特别是作为质子交换膜燃料电池（PEMFC）的核心组件之一的质子交换膜越来越受到人们的重视。Nafion（Du Pont）全氟磺酸膜是目前广泛用于PEMFC中的一种质子导体。Nafion全氟磺酸膜具有优异的化学稳定性以及在较低温度条件下高的质子电导率，然而其高昂的价格、差的高温性能以及用于直接甲醇燃料电池（DMFC）中时的高甲醇渗透率阻碍了DMFC商业化发展。     

醇脱氢酶结构和作用机理研究进展

介绍了醇脱氢酶的种类, 酵母醇脱氢酶和肝醇脱氢酶等两类常用的醇脱氢酶的物理化学性质和活性位点结构. 归纳了对肝醇脱氢酶和酵母醇脱氢酶作用机理的研究, 重点评述了醇脱氢酶催化反应中的两个关键步骤质子转移和氢化物转移过程机理的研究进展.     

SrCe0.9Yb0.1O3-α陶瓷的导电性

以高温固相反应法合成了质子导电性氧化物陶瓷SrCe0.9Yb0.1O3-α.粉末XRD结果表明,该陶瓷样品为单一斜方相钙钛矿型结构.以陶瓷样品为固体电解质、多孔性铂为电极,采用交流阻抗谱技术和气体浓差电池方法分别测定了样品在600～1000 ℃下、干燥空气及湿润氢气中的电导率及离子迁移数,研究了样品的离子导电特性.结果表明,在600～1000 ℃下干燥空气中,陶瓷样品的最大电导率为0.026 S·cm-1,氧离子迁移数为0.03～0.2,是一个氧离子与空穴的混合导体;在湿润氢气中,陶瓷样品的最大电导率为0.015 S·cm-1. 600～800 ℃时,陶瓷样品的质子迁移数为1,是一个纯的质子导体,而在900～1000 ℃时,陶瓷样品的质子迁移数为0.91～0.97,是一个质子与电子的混合导体,质子电导占主导.     

混合价化合物的研究(Ⅱ)─—电化学及现场光谱电化学方法研究非质子介质中Dawson结构杂多阴离子[HAs_2Mo_(18)O_(62)]~(n-)的电还原性质

以电化学和现场紫外－可见－近红外及现场FTIR光谱电化学方法对Dawson结构杂多阴离子［HAS2Mo18O62］5－在非质子介质（CH3CN）中的电还原过程进行了研究．结果表明，该杂多阴离子在非质子介质中经历4步单电子还原反应，所产生的杂多蓝阴离子在近红外区出现宽广的价间电荷转移吸收带，而红外区Mo＝O端键及Mo—O—Mo桥键的特征吸收峰在还原后均有不同程度的红移．