La0.8Sr0.2Ga0.8Mg0.2O3－α陶瓷的质子导电性能研究

采用溶胶-凝胶法合成了La_0.8Sr_0.2Ga_0.8Mg_0.2O_3－a陶瓷样品, 用XRD, DSC-TGA, SEM, 交流阻抗谱, 气体浓差电池及气体电化学透过等方法对样品的结构和性质进行了表征和测试. 首次对该样品的质子导电性能进行了研究. 该陶瓷样品具有良好的微观结构, 相对密度达95.1%; 氢浓差电池电动势的实测值与理论值吻合, 离子迁移数为1; 在干燥的氧气气氛中是一个纯的氧离子导体; 氢的电化学透过速率的实测值与理论值吻合, 证明该样品在氢气气氛中几乎是一个纯的质子导体, 质子电导率在1000 ℃时高达0.14 S•cm^－1.     

流通池介质交换差示脉冲阳极溶出伏安法用于多元素重叠峰的分离及其同时测定

本文用流通池介质交换差示脉冲阳极溶出伏安法在盐酸介质中富集,而以碳酸钠-碳酸氢钠缓冲溶液为溶出介质,有效地分离了酸性介质中Cu(Ⅱ)、Sb(Ⅲ)、Pb(Ⅱ)、Tl(Ⅰ)、Cd(Ⅱ)、In(Ⅲ)的重叠溶出峰,实现了多离子的同时测定。     

毛细管离子交换电色谱的分离行为

在离子交换毛细管色谱柱上实施电色谱，并对其分离行为进行了研究，采用７５μｍ（ｉ．ｄ．）２０ｃｍ的毛细管强阳离子交换柱（３μｍ）以ＮａＨ２ＰＯ４－Ｈ３ＰＯ４缓冲液为淋洗剂，紫外柱上检测（２１４ｎｍ）考察了流动相的ｐＨ值，有机改性剂及分离电压等因素对分离的影响，研究表明，不同的ｐＨ溶质的流出次序发生改变，随着有机改性剂含量增加，溶质的保留时间减小，而电渗流却增大，同时，对分离的柱效和方法的重现性进行了     

外源桥和互变异构对μ-酚氧Schiff碱双核铜(Ⅱ)配合物磁性的影响

合成和表征了4个不同外源桥的醇式双核铜配合物:[Cu_2(L)(u-Cl)](1),[Cu_2(L)(p-N_3)]·DMF(2),[Cu_2(L)(g-OCH_3)(3)和[Cu_2(L))(u-C_3H_3N_2)·1/2C_2H_5OH(4).其中L是负三价的双核配体2,6-二甲酰-4-甲基苯酚双缩苯甲酰肼。配合物(3)的晶体为P1空间群,a=0.8294(1),b=0.9333(3),c=1.4736(6)nm,谨=79.51(3),"=80.93(2),)F=81.32(2)°,Z=1.磁性研究表明外源桥对金属离子之间磁交换作用的影响与其在光化学序列中的顺序基本一致。通过分子力学和量子化学计算,从结构因素和电子效应两方面解释了上述配合物的酮式和醇式互变异构体对磁交换作用的影响。     

掺杂态聚苯胺链结构的研究

本文利用FTIR、固体高分辨~(13)C-NMR、共振拉曼光谱及紫外-可见光谱等手段,研究了聚苯胺掺杂前后的结构变化,指出质子酸的掺杂使聚苯胺中的醌亚胺单元和苯二胺单元发生部分的氧化还原反应,生成了具有一定电荷分布的共轭体系。     

羧酸直接酰胺化的一个新方法

N, N-二甲基取代酰胺可以方便地由脂肪族或芳香羧酸与四(二甲氨基)硅烷在无水溶剂中反应制得。     

甲烷部分氧化制合成气 Ⅰ．甲烷在过渡金属上的活化

文中用同位素交换（Ｄ_２─ＣＨ_４）反应来测量四种过渡金属负载型催化剂对甲烷的活化能力，并与Ｓｖｅｎｓｓｏｎ等从头算的计算结果作了比较，表明最有效活化甲烷分子的Ｃ─Ｈ键的金属是铑（Ｒｈ）．文中还测定了在甲烷部分氧化制合成气反应中，四个不同催化剂的催化活性与选择性，并与它们对甲烷的活化能力进行对比，可以看出甲烷部分氧化反应中，反应活性高的催化剂有效地活化甲烷，断裂Ｃ─Ｈ键，而且氘代甲烷产物分布以形成ＣＤ_４产物为主要成份．     

苯甲酰苯胺激发态质子转移反应的理论研究 II: N-苯基苯甲酰胺和N-苯基苯甲亚胺酸的互变异构

用INDO系列方法对苯甲酰苯胺激发态质子转移反应进行了理论研究, 求得了基态和激发态反应的位能面、势垒过渡态和荧光位移。对整个反应的机理和应用前景进行了探讨, 有关化合物的光谱与实验结果较好地符合。     

强致突变物二硝基苯并(a)芘的合成、结构与致突变性研究

本文通过苯并(a)芘与HNO_3的亲电取代反应,合成了两个新化合物二硝基苯并(a)芘异构体。用HPLC分离、分析了产物,并用IR、~1H NMR、MS和HEMS谱研究了其结构,证明产物为1,6-二硝基苯并(a)芘(1)和3,6-二硝基苯并(a)芘(2)。短期生物试验——Ames试验结果表明两个异构体均为强直接致突变物。     

Mn位掺杂钙钛矿结构化合物LaSr2Mn2-xNixO7的磁性和电性的研究

The effect of Ni substitution for Mn on magnetic and transport properties has been investigated for layered manganese oxides LaSr₂Mn_2-xNi_xO₇. Nickel doping hampered the canted antiferromagnetic (AFM) exchange at low temperature and their Neel temperature (T_N) decreased from 138 K (x=0) to 102 K (x=0.3). Meanwhile, spin glass, charge ordering and metal-insulator transition are suppressed by Ni addition. The resistivity increases obviously with increasing x due to double exchange interaction channel broken by Ni²⁺ addition. The resistivity of all samples in low temperature range fits to the Mott′s variable rang hopping (VRH) model, while it fits to nearest neighbor hopping of small polarons model in high temperature range.