Mg,Si和S同位素链的壳反常

采用考虑轴向形变的相对论平均场理论,以双中子、双质子分离能隙δ_2n/δ_2p作为壳封闭的特征,分析了Mg,Si和S同位素链的壳封闭和壳反常,发现Mg同位素链在N=12,16处,Si同位素链在N=14,S同位素链在N?=16处出现明显的壳封闭结构,Si同位素链在N=28处壳层结构并没有消失.Mg,Si和S同位素链在N=20处壳效应并不太明显.     

顶夸克的发现

 今年3月2日,在美国费米国家实验室举行的报告会上,CDF和D0两个实验组分别报告了他们的实验结果,正式宣布发现顶夸克(Top Quark,也称t夸克)。     

重离子碰撞横能分布的饱和现象与多源模型

本文在深入分析高能不等核碰撞机制的基础上,进一步发展多源模型.计算了CERN和BNL两个能区的中心快度横能分布,成功地解释了高能时横能分布随靶核质量增加的加宽和低能时的饱和.给出了横能分布达到饱和(完全核阻止)的靶核质量.     

粒子反应中初态粒子的阈能和末态粒子的最大能量问题

给出一种不依赖于具体动量图象求粒子反应中初态粒子的阈能和末态粒子最大能量的方法，并就常见的粒子反应作了讨论。     

一种可获正负图像的重氮感光材料

重氮感光材料在我国已有三、四十年的历史,因其成本低,使用方便,在晒图、幻灯、缩微复制、印刷电路、印刷制版和二底图等方面得到广泛应用.国外对重氮感光材料的研究非常重     

N2（A）及N（2D）对IF（X）的传能研究

在微波放电系统中,对NH_3-F-F_2-CF_3I体系进行研究,结果表明,向IF(X)传能的诸多媒介中,N_2(A)及N(~2D)起着主要作用,并且这一结论在经微波激发后的N_2与CF_3I的直接反应中得到了进一步证实。     

有机薄膜器件负电阻特性的影响因素

研究了影响有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的因素，为探索有机负电阻的机理提供实验依据。实验中制备了多种有机染料掺杂聚合物薄膜器件，研究了有机小分子染料、聚合物基体、薄膜组成及厚度、ITO和聚苯胺阳极等对有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的影响。在室温、大气环境下，所制备的多种有机染料掺杂聚合物器件在所加电压为3～4V时，观察到明显的负电阻特性，电流峰谷比最大约为8。负电阻现象及峰谷比的大小受膜厚和器件的结构、制备工艺等影响。提出用负电阻和二极管并联组成的等效电路模型解释影响负电阻特性的因素，认为负电阻特性与载流子的不平衡注入有关。在此基础上设计、合成了主链含唔二唑电子传输基团的可溶性聚对苯撑乙烯衍生物，该聚合物兼具空穴和电子传输功能，在空气中具有较稳定的N型负电阻特性。进一步控制相关材料和工艺条件，有可能得到易于控制的负阻效应，开发出新型的有机负电阻器件。     

G-网络排队系统的研究新进展

在研究排队网络的文献中,G-网络(即推广的排队网络)最近受到了国际学者广泛的关注,它的研究在一定程度上丰富了排队网络的内容.正因为有很多学者投入到此项研究中,新的结果是层出不穷的.本文简短地介绍G-网络近年来的发展.     

Nilsson平均场加邻近轨道对力模型对超铀区和稀土区核素的描述

利用严格可解的平均场加邻近轨道对力模型, 在区分质子和中子及冻结质子对激发两种情况下对超铀区核素^226—234Th, ^230—239U, ^236—243Pu, 及稀土区核素^160—170Er, ^166—176Yb, ^172—180Hf的结合能, 对激发能, 奇偶能差及偶偶核最低激发态转动惯量进行了计算并与实验结果进行了比较.