N[a,b]类中边界Nevanlinna-Pick插值(I)

用所谓的Hankel向量方法求解N[a,b]函数类中带边界插值数据的Nevanlina-Pick插值(BNP(N[a,b]))问题,并建立BNP(N[a,b])问题与[a,b]上的某种带约束条件的Hausdorff矩量问题之间等价的可解条件以及解之间明确的一一对应关系.这使得当BNP(N[a,b])问题有多解时,能通过带约束条件的矩量问题的可解性准则和解获得BNP(N[a,b])问题的可解性准则和解的参数化描述,而在唯一解的情况下,通过BNP(N[a,b])问题解的存在唯一性准则和唯一解来获得带约束条件的     

注入控制铜蒸气激光方向性时间过程测量

实验研究了注入控制对铜蒸气激光非稳腔输出光束质量的影响，从输出光发散角时间分辨过程的测量结果说明注入加速被注入腔内激光发散角的减小过程。由于被注入腔内放大自发辐射的存在，为得到较好的注入控制效果，注入光的脉宽和进入被注入腔的延时必须恰当。     

奇异非线性常微分方程非线性边界条件非负解的存在性

本文证明了非负解的存在性．这里（S）＝|S|P－2S，P＞1．     

量子混合态的统计角

本文把关于量子纯态之间的统计角概念推广到量子混合态,并提出了单个混合态的发散角这一概念,导出了纯态判据,用到测量上,响应函数不过是量子系统与仪器之间的统计角余弦的平方,而测量过程中的熵增加则显现为混合态发散角的扩大。 关键词：     

世界各地数学奥林匹克试题摘编

1（2000年中国台湾数学奥林匹克）设，是正整数集到非负整数集的映射，满足f（1）=0，f（n）=max 1≤j≤n-1 {f（j）＋f（n～j）＋j｜（n≥2），求f（2000）。     

算子的最佳非负逼近和ω-非负逼近

本文中所沿用的概念和符号除特别说明外,其意义与[4,5]相同.本文主要给出了集P_δ(A)的结构以及正规算子A有唯一最佳ω-非负逼近的特征.     

二元示数计算

(三)负除法不够除情况 若不够除,在负实首处退商(负商),然后在负商位,“+|负商|×法”的排积。若|负商|+|剩商|=10,则负实变正实,剩商是真商,若|负商|+|剩商|=9,则负实仍然存在,但剩商要看作是真商。     

Rational Homotopy Theory and Nonnegative Curvature

in this note, we answer positively a question by Belegradek and Kapovitch about the relation between rational homotopy theory and a problem in Riemannian geometry which asks that total spaces of which vector bundles over compact non-negative curved manifolds admit （complete） metrics with non-negative curvature.     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型