量子限制效应对多孔硅液相电致发光的影响

着重研究多孔硅在阴极偏压下过硫酸铵溶液中电压调制的电致发光现象 .随阴极偏压的增大 ,电致荧光峰位蓝移 ,荧光强度增大 ,同时发现定电压下 ,发生电致发光随时间的衰减伴随着光谱的红移现象 .通过红外光谱、AFM及电化学等手段对电致发光的电位调制机理及荧光衰减机制进行了研究 ,结果表明电致发光与光致发光具有相同的起源 ,电压选择激发不同粒径的多孔硅 ,而导致了发光峰值能量的电位选择性 .在电致发光过程中 ,强氧化剂向多孔硅注入空穴使其表面氧化导致小粒径的硅晶逐渐被剥落 ,使光谱高能部分首先衰减出现了随时间的电致发光红移现象 .这些结果支持量子限制效应在多孔硅液相电致发光中起着重要作用     

La2O3掺杂对SrTiO3压敏电容双功能陶瓷显微结构及电性能的影响

用CALPHAD技术优化计算了稀土卤化物熔盐TbCl3-ACl(A=Li，Na，K，Rb，Cs)五个二元系相图以及其热力学性质。优化采用了短程有序-扩展似化学模型，得到了热力学性质和相图自洽一致的结果，并与相应的实验相图进行了比较，对其中差异的部分进行了分析和修正。讨论了热力学优化结果，并探讨了过剩热力学性质变化的规律和特征。     

酞菁铜与Q-CdS超微粒子界面的光致电荷转移研究

半导体超微粒子与有机分子界面的光致电行转移过程是当前光化学和材料科学研究的一个活跃领域［‘，2］；研究的目的主要有两个方面，一是研究半导体超微粒子表面光致电行转移的特性；二是研究有机分子对超微粒子的光敏化作用．目前，超微粒子的功能化研究日益深入，其独特的光     

磺化酞菁铜分子膜／SiO2／Si界面电荷转移机制的研究

在具有不同氧化层厚度的p型硅基片上修饰2层磺化酞菁铜分子膜.利用时间分辨表面光电压谱技术,对该膜系的界面电荷转移机制的光电开关特性进行了研究。结果表明,用时间分辨表面光电压谱技术研究界面电荷转移过程具有明显优越性.     

对MDTA中测样品热容量的准恒温法的评述

对用调制差热分析（ＭＤＴＡ）准恒温法测样品热容量的情形进行了讨论。通过结合最基本的热传导定律和ＭＤＴＡ模型，指出了目前国际上测量样品热容量的准恒温法只能得到在所测温度范围内的物质热容量平均值，调制温度的幅度越大或调制频率越高，所得到的热容量数据越平滑。在所测温度范围内样品热容量基本不变时，用ＭＤＴＡ准恒温法较好；但当样品热容量在所测温度范围内有明显变化时，用传统差热分析法（ＤＴＡ）更好一些。     

一种软包装超级电容器及其高电压模块

超级电容器是一种介于电池与传统电容器之间的新型储能器件，具有高能量密度、高功率密度的双重特性。超级电容器可以配合燃料电池、锂离子电池作为电源系统，解决电动汽车在加速、爬破、刹车时单一电池无法克服的问题；超级电容器也可以作为太阳能、风能等绿色发电系统储能装置；它亦可以作为电子、通讯、医疗等设备的主力电源。为此，在近20年来，超级电容器成为发达国家（美国、俄罗斯、日本、澳大利亚以及欧洲国家）重点投资研究开发项目，并于20世纪80年代国际各大电气公司把多种超级电容器陆续投放市场。     

旋转盘电极调制电势库仑法研究

Anson等人曾经用悬汞电极上的双电势阶跃计时库仑法研究Cd(Ⅱ)的诱导吸附.本文用旋转盘电极的调制电势仑法分别测量电化学反应过程中产生的溶解中间物和吸附中间物. 原理假设有一个在含有支持电解质及一种氧化剂O_x(或还原剂R)的溶液中旋转的盘电极,当电极电势为使O_x还原为R(或R氧化为O_x)的E_i时,发生反应     

Direct Synthesis of Oxygenates from Water and Methane via Dielectric-barrier Discharge

In this investigation, a clean, atomic economic and direct synthesis of oxygenates (methanol, ethanol) form water and methane via dielectric-barrier discharge was developed at room temperature and under atmospheric pressure. The effect of discharge voltage on this process was studied. The results showed that the conversion of water can be as high as 7%, the selectivity of methanol and ethanol can be as high as 100%.     

几种极性有机晶体的生长习性与形成机理Ⅱ.分子堆积、界面结构与晶体的习性

极性有机晶体在不同的溶剂中具有明显不同的生长习性,主要有两个方面的原因:一是极性有机晶体属非中心对称性晶类,晶体具有极轴,极轴的存在对分子堆积和晶体生长具有重要影响;另一是极性有机晶体的界面结构不同,溶剂与晶体界面的相互作用不同,使得晶体同一面族的生长速率不同,从而导致了晶体习性的改变.本文从几种典型极性有机晶体的分子排列和结构特征出发,着重探讨了极性有机晶体的界面结构的差异对晶体习性的影响;结合晶体生长界面与溶剂分子的相互作用进一步理解了晶体生长的溶剂效应;通过理解极性有机晶体的习性机制,探讨了晶体实际形态的控制.