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61.
王丽丽 《工程物理研究院科技年报》2004,(1):352-352
用TVD格式结合VOF界面处理方法编制了二维多介质高分辨欧拉程序,以解决冲击波和多介质界面处理。程序包括单介质网格高精度流体力学计算、多介质网格内界面重构、各种介质输运和压力驰豫平衡过程。其中单介质网格的计算采用Harten二阶TVD格式结合MacCormark方法计算含有源项的非齐次守恒定律方程组,通过4节点限制函数保证格式单调。多介质网格采用Youngs方法构造界面,采用x,y方向分裂格式计算体积份额输运,再根据体积份额输运计算质量、动量和能量的输运,最后利用等熵条件计算各种介质的压力驰豫平衡过程。 相似文献
62.
63.
关于非平行板电容器电容计算的讨论 总被引:4,自引:3,他引:1
用串联方法计算非平行板电容器的电容,简便地得到与其他方法相同的结果。 相似文献
64.
燃煤烟气中AsSePb的形态分布及SCl元素对其形态分布的影响 《燃料化学学报》2003,48(11):1298-1309
基于化学热力学平衡分析方法,计算分析了燃煤烟气中重金属As、Se、Pb的形态分布规律,研究了S、Cl等元素对As、Se、Pb的形态分布规律的影响。结果表明,氧化性气氛下,As以As2O5、As4O6、AsO等氧化物的形式存在;Se主要以SeO2形式存在;Pb在1000 K以下主要是固态PbSO4,1200 K以上为气态PbO。还原性气氛下,As在较低温度时为固态As2S2,900-1400 K以As2、AsS、AsN气体共存,2000 K以上全部转化为气态AsO。Se在1100 K以下主要以气态H2Se存在,1100 K开始生成SeS和Se2气体,1800 K时主要是气态Se和少量气态SeO;Pb在中低温时主要是PbS,1800 K以上气态Pb为主要存在形态。S在还原性气氛下增大了AsS(g)、PbS(g)、SeS(g)的比例,氧化性气氛下对As、Se、Pb形态分布基本无影响;Cl无论在氧化还是还原气氛下对As、Se影响均较小,但对Pb的形态分布影响较大。 相似文献
65.
在静电场中,零电势点位置的确定,对电势计算的方便与否起着致关重要的作用.下面就4种情况,简述零电势点位置的确定及相应电势的计算公式.1 点电荷电场中各点电势的计算 例1 设一带电量为Q的点电荷,放在相对电容率为εT的无限大均匀电介质中,求空间各点的电势. 相似文献
66.
67.
68.
H.Yurtseven H.Kaya 《中国物理快报》2003,20(1):35-38
This study gives our calculation for the specific heats CVI due to an Ising model using the observed Cp data for the Ⅱ-Ⅲ and Ⅱ-VI phase transitions in NH4I.By fitting to the CP data we determine the values of the critical exponent for the pressure of 0.14GPa(Ⅱ-Ⅲ phase transition)and for the pressures of 0.75,1.35and 1.97 GPa (II-IV phase transition)in NH4I.Our exponent values values are close to the predicted values of the specific heat in a three-dimensional Ising model.Our calculated CVI are in good agreement with the experimental CP for NH4I in most cases. 相似文献
69.
网络环境下会计信息系统的创新 总被引:2,自引:0,他引:2
黄垚 《宁波大学学报(理工版)》2003,16(2):186-189
从我国会计软件的发展历程及网络环境方面,对会计信息系统软件功能的创新、会计信息系统基本结构的创新作了分析和探讨,提出了会计软件未来发展与创新的基本思路和设想. 相似文献
70.
ZhuZhiyong DuanJinlai SunYoumei Y.Maekawa H.Koshikawa M.Yoshida 《近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报》2003,(1):68-70
Heavy ion irradiated polymers can be chemically etched to form track membrane with pores in the micro and sub-micro ranges. It has been reported that pore growth during etching can be related to track structures. A latent track has a track core inside and a track halo surrounding the track core. By single track etching it is observed that etching in the track core is much faster than in the track halo where the etching rate is even lower tlian that of bulk material. For multi-track etching, no such stages can be seen by the conductance measurements. 相似文献