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在CVD沉积SiC过程中,载气体H2与沉积SiC基体表面的反应影响沉积速率和沉积产物品质,因此研究这些微观反应机理具有十分重要的科学意义和工程价值。本文基于第一性原理研究了H2在3C-SiC(111)(硅原子暴露面)和3C-SiC(-1-1-1)(碳原子暴露面)面的吸附位置、吸附能、电子结构和覆盖率等吸附情况。发现H2倾向于吸附在3C-SiC(111)面,H原子的最稳定吸附位为OT位(顶位)且属于化学吸附。H2在吸附时会自发解离为两个H原子,以双顶位形式吸附在两个相邻的Si原子上。该过程中基体表面Si原子的电子向H偏移,此时两者的主要相互作用源于Si原子的p轨道和H的s轨道的重叠杂化。通过计算氢气在表面的覆盖率,发现吸附能随着覆盖率的增大而增大,在低H覆盖率(θH≤4/9 ML)下,H原子之间存在着较强的吸引力,随着H覆盖率的增加(θH>4/9 ML),H原子之间排斥力逐渐增大,吸附能增加趋缓,整体结构更加稳定。 相似文献
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Comparative study of adsorption characteristics of Cs on the GaN (0001) and GaN (0001) surfaces
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The adsorption characteristics of Cs on GaN (0001) and GaN (0001) surfaces with a coverage from 1/4 to 1 monolayer have been investigated using the density functional theory with a plane-wave uttrasoft pseudopotential method based on first-principles calculations. The results show that the most stable position of the Cs adatom on the GaN (0001) surface is at the N-bridge site for 1/4 monolayer coverage. As the coverage of Cs atoms at the N-bridge site is increased, the adsorption energy reduces. As the Cs atoms achieve saturation, the adsorption is no longer stable when the coverage is 3/4 monolayer. The work function achieves its minimum value when the Cs adatom coverage is 2/4 monolayer, and then rises with Cs atomic coverage. The most stable position of Cs adatoms on the GaN (000i) surface is at H3 site for 1/4 monolayer coverage. As the Cs atomic coverage at H3 site is increased, the adsorption energy reduces, and the adsorption is still stable when the Cs adatom coverage is 1 monolayer. The work function reduces persistently, and does not rise with the increase of Cs coverage. 相似文献
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给出了次样本容量相等时,不平衡两因素套设计模型中方差分量之比的广义区间估计.为了研究所得区间估计的优良性,并与Burdick,Birch and Graybill给出的修正大样本(MLS)方法进行对比,进行了模拟研究和分析.结果表明所得方法优于MLS方法,特别是在极端不平衡情形. 相似文献
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摘要: 分析了Avalon-MM总线的架构以及I2C总线的传输方式,提出了一种可行的I2C总线控制设计方案,并说明了详细的实现过程。设计的基于Avalon-MM总线的I2C总线控制器可复用IP核,可以不加修改地应用在基于Altera公司产品的SOPC系统中。使用VMM验证方法学构建了多层次可复用的验证平台,对设计进行了全面的验证。整个验证平台使用systemverilog语言实现,仿真工具使用VCS-MX200606。最后仿真结果显示,设计被完全地验证并达到100%覆盖率。 相似文献
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流行病研究的重要任务之一就是较为精确地估计出疾病的流行程度.疾病的流行性通常用发病率来表征.由于置信区间估计是一种体现对发病率估计好坏的途径,所以它是估计边限的重要提示物.作者在逆抽样条件下探究了7种流行病发病率的逼近与渐近的置信区间估计.通过蒙特卡罗方法,广泛地比较了这些方法的表现性能.为了方便今后进一步应用此结果,制做了许多相应的表格.这些表格清楚地表明为了构造出具有指定期望值的置信区所需要的最小病例数.模拟的结果表明:就流行病发病率的区间估计的覆盖率与区间大小的稳定性而言,逼近与渐近方法要优越于精确方法.更多的研究表明:鞍点逼近型置信区间就控制覆盖率和平均区间长度而言表现得最好,因此,在实际应用中如果能得到,建议尽量使用它. 相似文献