HL—1装置SiC涂层辐照实验的表面分析

本文应用表面分析技术研究HL-1装置中SiC涂层的等离子体辐照性能。结果表明,SiC材料应用于孔栏和壁涂层有利于减少杂质和提高等离子体品质。     

极性晶体内表面电子的量子像势及其极化子的有效势

本文从与真空接触的存在二支声子的半无限极性晶体表面附近极化子的哈密顿算符入手，应用二支模型理论，分别对GaAs和ZnO两种材料计算了内表面电子的量子像势及其极化子的有效势。计算结果表明：当Z很小时，经典像势和半经典有效势分别与量子像势和量子有效势相差较大；当Z很大时，经典像势和半经典有效势分别是量子像势和量子有效势的一个很好的近似。     

Threshold of Non－Destructive Pulse for Pt Tip of STM on Graphite Surface

The experimental relationship between width and amplitude of the non-destructive threshold pulse for Pt tip of a scanning tunneling microscope (STM) on graphite surface have been studied strictly and systematically in a wide range of pulse width for the first time. The threshold curve of amplitude versus width indicates that the amplitude of threshold pulse will increase with the decrease of the pulse width. A more rigorous explanation is suggested to interpret the dependence of threshold pulse amplitude on width. Fitted with the experimental data,a new empirical formula is given, extrapolated from which the threshold pulse amplitude will rise to 50 V when the pulse width decreases to 10ns.     

离子表面活性剂胶团对阿斯匹林碱水解反应的影响

离子表面活性剂胶团对阿斯匹林碱水解反应的影响史振民＊刘生昆张祝莲巩育军（延安大学化学系延安７１６０００）关键词表面活性剂，阿斯匹林，碱水解反应，胶团，抑制作用１９９６－０５－０４收稿，１９９６－０８－１２修回阿斯匹林（ＡＳＰ），学名为乙酰水杨酸，有较...     

具有新光学性质的Zn-Zn2SiO4纳米同轴线阵列

采用气相沉积技术在Si衬底上生长了Zn-Zn₂SiO₄芯-壳结构纳米同轴线阵列。根部呈笋状的纳米同轴线,直径约100nm,长度可以超过10μm;同轴线芯直径约50nm、壳层厚约25nm。通过X射线衍射的表征以及能量色散谱的线扫描,确定纳米同轴线的芯为Zn,壳层为Zn₂SiO₄。我们提出了一种新的生长机制,同时也为生长均匀的纳米同轴线提供一种新的技术。观察阴极荧光谱发现,纳米同轴线有三个主要发光带:强度最大的中紫外300nm发光、较弱的可见光区560nm以及红外谱区865nm的发光。对纳米同轴线截面的300nm发光峰观测发现,中紫外发光来源于Zn₂SiO₄壳层。正是这种同轴线的结构,使得其具备特殊的光学性质。     

MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究

采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜，使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品，实验结果表明：GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致，即透射率越大，半高宽越小，结晶质量越好；而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品，其PL谱的带边峰却很弱，这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系，同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS／沟道结果。