具有两层基片的微带线的混合模分析

给出了有两层基片的微带线与频率有关的混合模分析，应用傅里叶交换域分析及新的矩阵研究推导出色散特性．除了波导波长以外，还根据功率一电流的定义计算了特征阻抗，波导波长和特征阻抗与频率的关系及其数据值结果，并将其与有关文献的结果相比较，其一致性很好．     

混合范数空间中函数的Taylor系数

本文研究了混合范数空间Ｈ（ｐ，ｑ，ａ）中解析函数ｆ的Ｔａｙｌｏｒ系数，对０＜ｐ≤２，０＜ｑ＜∞，ａ＞０和２≤ｐ＜∞，０＜ｑ＜∞，ａ＞０两种情形，分别给出了ｆ属于Ｈ（ｐ，ｑ，ａ）的必要条件和充分条件。用上述结果我们还得到了几个关于混合范数空间的乘子定理，这些结果也推广了Ｈａｒｄｙ和Ｌｉｔｔｌｅｗｏｏｄ关于Ｈ＾ｐ空间的相应结论。     

分析型反射电子显微镜和表面科学：实验技术和发展

本文综述了反射电子显微术(REM)和反射电子能量损失谱(REELS)在表面科学中的应用。较详细地给出了用这些方法研究表面原子结构、化学成份和电子态的基本实验和理论,指出了发展这一学科对表面研究的重要性。     

凝聚态物理学的新进展Ⅲ

本文综述凝聚态物理学近几年来的重要进展,列举了一些事例予以阐述。在第Ⅲ部分中涉及的主题为细小体系及凝聚态中的非线性现象。讨论的问题包括:介观系统中的量子相干性和电子输运,团簇的幻数和壳层结构,离子阱中库仑团簇的类相变行为,魔梯,自组织临界性和非平衡态流体中空时图样的形成与演化。     

再论混合液体的折射率

《物理实验》1991年3期刊登的《混合液体的折射率》是在一个物理模型的基础上,运用斯涅尔折射定律,通过推导,最后得出如下结果     

Na2O2体系半经验势能面

硷二聚物与氧反应碰撞的中间络合物是M~ _2X~-离子对(M代表硷原子,X代表氧原子或氧分子)。我们导出了Na~ _2O~-和Na~ _2O~-_2体系最低能量电子态绝热势能面的解析形式。     

离子束引起的在Al／Cr双层薄膜界面处的原子混合

用600keV的Kr~ 离子轰击Al/Cr双层薄膜样品进行界面原子反应及相互混合的研究。实验样品是在单晶硅上蒸镀约500nm厚的铝膜,相继再蒸上所需厚度的铬膜而制成的。轰击剂量为2.0×10~(15)-2.5×10~(16)Kr~ /cm~2。用2.0MeVa粒子对轰击前后的样品进行了卢瑟福背散射(RBS)分析,发现界面处有明显的原子混合存在;当轰击剂量≥1.0×10~(16)Kr~ /cm~2时,RBS谱出现有明显的坪台,经拟合计算和x射线衍射(XRD)测量证实确有化合物Al_(13)Cr_2存在;还分别得到了原子混合量及混合效率与轰击剂量的关系;最后对界面处的原子混合机制进行了讨论。     

Fabrication and Characterization of Ni Thin Films Using Direct-Current Magnetron Sputtering

Ni films are deposited by using ultra high vacuum dc magnetron sputtering onto silicon substrates at room temperature, and the high-quality and high-density films are prepared. The parameters, such as thickness, density and surface roughness, are obtained by using small-angle x-ray diffraction (XRD) analyses with the Marquardt gradient-expansion algorithm. The deposition rate is calculated and the Ni single layer can be fabricated precisely. Based on the fitting results, we can find that the surface roughness of the Ni films is about 0.7nm, the densities of Ni films are around 97% and the deposition rate is 0.26nm/s. The roughness of the surface is also characterized by using an atomic force microscope (AFM). The changing trend of the surface roughness in the simulation of XRD is in good agreement with the AFM measurement.