首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2462篇
  免费   613篇
  国内免费   616篇
化学   552篇
晶体学   8篇
力学   370篇
综合类   107篇
数学   777篇
物理学   1877篇
  2024年   14篇
  2023年   66篇
  2022年   79篇
  2021年   67篇
  2020年   46篇
  2019年   100篇
  2018年   54篇
  2017年   92篇
  2016年   90篇
  2015年   110篇
  2014年   220篇
  2013年   148篇
  2012年   190篇
  2011年   218篇
  2010年   171篇
  2009年   205篇
  2008年   246篇
  2007年   189篇
  2006年   158篇
  2005年   144篇
  2004年   154篇
  2003年   116篇
  2002年   109篇
  2001年   87篇
  2000年   79篇
  1999年   78篇
  1998年   55篇
  1997年   40篇
  1996年   57篇
  1995年   61篇
  1994年   50篇
  1993年   31篇
  1992年   50篇
  1991年   40篇
  1990年   25篇
  1989年   26篇
  1988年   6篇
  1987年   6篇
  1986年   5篇
  1985年   2篇
  1984年   3篇
  1983年   3篇
  1982年   1篇
排序方式: 共有3691条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
In the previous paper(Ⅲ), the following equation of solvent effect in organic chemistry was suggested:
Ei=a﹒Ai(1-Va﹒VAi)+d﹒Di(1-Vd﹒VDi)+E0
Where Ei is a physical or chemical property of the substrate in the solvent i and E0 is that in n-hexane. Ai and Di are constants of electron acception and donation effect of the solvent i respectively. VAi and VDi are constants of electron acception and donation space effect of the solvent i respectively, a and d are the sensitivities of E of the substrate vs the change of Ai and Di. Va and Vd are the constants of electron acception and donation space effect of the substrate respectively. In IR spectra E could be substituted by the wavenumber(ν). Ai and VAi have been established for 18 organic solvents (n-C6H14, n-C7H16, cyclohexane, CCl4, Ph-Me, ClCH:CCl2, Et2O, CHCl3, C6H6, CH2Cl2, ClCH2CH2Cl, Ph-NO2, THF, 1,4-dioxane, Et-NO2. MeCO2Et, Me-NO2, Me-CN).
In this paper Di and VDi have been established for these solvents. The equation also has been tested by the νC-X(X=Cl, Br) of five alkylhalides (t-BuCl, n-C5H11Cl, t-BuBr, Et-Br, EtC(H)BrMe) and νC=O of three carboxyl compounds (t-BuCOMe, Me2CO, MHB) and seven organotin compounds [(Ph2MeSiCH2)3SnO2C-C6H4-X-p(X=H-, CH3-, CH3O-, NO2-, F-. Cl-, I-)].
The relationship (ν=ρ﹒σ+ν0) between νC=O of organotin compounds and Hammett constants(σ) of the substituted groups in different solvents was studied and a relationship betweenρ and Ai, VAi, Di, VDi of the solvents was found.  相似文献   
72.
运用灰色系统理论中的关联度分析方法,研究了人体血清微量元素与土壤,水、辕食(小麦)中微量元素关联度的大小.结果表明,血清微量元素与土壤中微量元素的关联程度最大.  相似文献   
73.
用溶液聚合法制备出轻度交联的含铅微凝胶,用光子相关光谱技术测定其在良溶剂中与H2S反应前、后的扩散行为,由外推法得到在浓度无限稀时的分子扩散系数,给出微凝胶的流体力学半径。结果表明:相同量的含铅微凝胶在不同的初始浓度下与H2S反应,生成含PbS纳米微粒的凝胶;但其体积增大不同,这说明H2S与含铅微凝胶的反应既可以在分子内也可以在分子间进行,分子间的反应使含硫化铅微凝胶扩散系数随浓度的变化曲线的线性范围变小。  相似文献   
74.
前文提出了一般有机分子的广义αN指数的概念, 建立了计算分子广义αN指数的方案。在此基础上, 本文将中性磷萃取剂的广义αN指数用于其密度、折光率、纸上层析比移值以及磷氧键红外特征频率等物理性质的研究, 取得了满意的相关结果, 说明这种能分辨有微小结构差异的广义αN指数是反映分子性质的一个良好的拓扑指数。  相似文献   
75.
采用准经典轨线方法研究了在不同碰撞能下,碰撞反应N(4S) NO(X2!)→N2(X3"g-) O(3P)在两个最低势能面3A″和3A′产物与反应物之间的矢量相关.结果表明,对于不同的碰撞能,在两个势能面上反应产物的转动取向展示了不同的特征和趋势.发生在3A″势能面上的反应主要由外平面机理支配,而发生在3A′势能面上的反应倾向于受内平面机理支配.这些差异来自于两个势能面的不同构型.  相似文献   
76.
用分子动力学模拟方法研究了N2和O2水溶液的光谱性质.给出了能描述分子内部运动的溶质-溶剂相互作用势.对溶质和溶剂原子的速度自相关函数(VACF)作了计算.讨论了所得VACF的性质并计算了其谱密度.溶质分子振动谱出现的红移,与液态N2,O2的Raman实验结果相吻合.模拟得出的转动谱表明了溶剂分子对溶质转动运动的阻滞,模拟结果也表明VACF计算对溶液和液体光谱的研究十分有效.  相似文献   
77.
金属蛋白研究中几个值得注意的动向   总被引:5,自引:0,他引:5  
黄仲贤 《化学进展》2002,14(4):318-322
本文叙述了金属蛋白和金属酶研究中近年来几个值得注意的发展动向,即与金属离子相关的疾病(特别是神经退行性疾病)、金属离子在蛋白质的折叠、聚集和装配中的作用,金属伴侣分子、金属蛋白的设计和构建、金属蛋白与DNA相互作用。  相似文献   
78.
2MgO·2B2O3·MgCl2·14H2O-7.8%H3BO3-H2O体系多温相关系研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了2MgO·2B2O3·MgCl2·14H20在不同温度下的7.8%H3BO3水溶液中的相转化产物及其溶解度.IR,XRD,TG及化学分析表明,相转化产物在0~22℃范围内为MgO·2B2O3·9H20;22~68℃为MgO·2B2O3·7.5H20;68~95℃为MgO·2B2O3·7H20;95~98.8℃为MgO·2B2O3·5H20;100~110℃为MgO·B2O3·3H20;110~120℃为2MgO·B2O3·2H20;120~170℃为2MgO·B2O3·1.5H20;170~200℃为2MgO·B2O3·H20.提出了相转化反应原理.  相似文献   
79.
陈东军  朱萍  彭国平 《分析化学》2002,30(7):809-811
从泽泻中分离出新化合物泽泻萜醇F,采用二维核磁共振碳相关技术研究了该化合物的骨架结构。结合碳碳相关谱及远程碳氢相关谱等其它二维核磁共振技术,分析了该化合物的常规氢谱和碳谱,并准确归属了质子和碳核的化学位移。  相似文献   
80.
 本文在0~4 GPa范围内研究了预压力对硬脂酸晶体的相关场劈裂和固态-熔融态相变过程的影响。通过γCH2面内摇摆振动模和γ'CH2相关场模的强度和频率变化,发现预压力对晶体内的相关场合分子链取向有明显的影响。预压力对硬脂酸的熔点虽然没有影响,但对γ'CH2模有“硬化”作用。并且由此出发,对硬脂酸的预熔过程作了讨论。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号