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本文基于第一性原理方法研究了Y,Zr,Nb在Sn位掺杂SnO_2的键长变化、稳定性、能带结构以及态密度.结果表明:Y,Zr,Nb在Sn位掺杂SnO_2使附近的键长发生改变,改变量最大是Y掺杂SnO_2体系;掺杂体系的杂质替换能都为负值,表明体系为稳定结构;掺杂使SnO_2能级增多,能较好的调节带隙值;而Y掺杂SnO_2体系价带顶端有一条能级越过了费米线表明该体系呈现出半导体的特征;同时,Y,Zr,Nb掺杂SnO_2使导带底端的能级出现分离;在低能区的态密度仍主要由Sn、O的s轨道贡献;在高能区态密度的掺杂体系出现sp杂化的现象; Zr掺杂SnO_2的态密度能量向低能区移动. 相似文献
932.
宽带隙(3.83 eV)半导体光催化材料InNbO4在紫外光作用下具有分解水和降解有机物的性能。最近实验发现了N掺杂InNbO4具有可见光下分解水制氢的活性。为了从理论上解释这一实验现象,本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了N掺杂对InNbO4的能带结构、态密度和光学性质的影响。分析能带结构可得,N掺杂后在InNbO4的价带(O 2p)上方形成N 2p局域能级,导致电子跃迁所需的能量减小。吸收光谱表明,N掺杂后InNbO4的光吸收边出现了红移,实现了可见光吸收。 相似文献
933.
934.
935.
本文研究一类由著名学者Shigesada等人提出的带小参数交错扩散竞争系统行波解的存在性.在假设b_1/b_2a_1/a_2c_1/c_2的前提下,利用几何奇异摄动方法,证明当交错扩散系数γ_2充分大时系统存在连接两半平凡平衡点(0,a_2/c_2)和(a_1/b_1,0)的带边界层的行波解,且具有局部唯一的慢波速. 相似文献
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937.
《数学的实践与认识》2013,(13)
引入点式模糊化拟一致结构u,并由其分别导出了模糊化内部算子和模糊化闭包算子,进而诱导两个模糊化拓扑(?)和η_u.结果表明,若u是点式模糊化拟一致结构,则T_u=η_u不一定成立;若u是点式模糊化一致结构,则(?)=η_u成立. 相似文献
938.
提出了基于数学形态学和纹理特征的快速定位车牌的方法.该方法包含4个步骤:预处理,利用Sobel算子进行垂直边缘检测,通过形态学操作得到连通域,利用车牌的纹理特征和字符特征最终定位车牌.使用该方法对1 144幅图片进行实测,1 102幅图片定位成功,正确识别率为96.3%,处理时间为160~200ms. 相似文献
939.
合成了单体甲基丙烯酸-2-(9,9-二乙基)芴甲酯(FMMA)作为捕光天线分子,通过原子转移自由基聚合方法(ATRP)合成了以β-环糊精(β-CD)为核的21臂星形发光聚合物β-CD-g-(PFMMA-b-PDMAEMA)21作为捕光聚合物.通过氢核磁共振谱、基质辅助激光解析电离飞行时间质谱和凝胶渗透色谱对其结构进行了表征.将其与能量受体分子蒽包合,通过紫外-荧光测试检测到了两者的能量传递现象,成功证明了基于主客体包合作用的星形拓扑分子捕捉和传递能量的过程,在光敏器件、太阳能电池和有机发光二极管等领域内具有潜在的应用价值. 相似文献