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21.
简要说明了三代像增强器的特点,分析了微通道板的离子反馈形成机理,给出有效抑制离子反馈对光阴极造成伤害的2种方法,即一种是减少和清除微通道板的吸附气体,另一种是阻止反馈离子反馈到光阴极上。介绍了国外最新的三代像增强器,以及使用优化改进的高性能微通道板显著减薄甚至彻底去除微通道板离子反馈膜的方法,该方法能维持砷化镓光阴极足够长的工作寿命,还介绍了最新发展的体导电微通道板和硅微通道板。指出高可靠性无膜选通砷化镓像增强器技术的实现,不仅需要微通道板在抑制离子反馈方面取得突破,还需要砷化镓光阴极在耐受离子反馈能力上进一步提高,同时还要结合和拓展选通电源的应用。 相似文献
23.
红外动态图像生成技术概念研究 总被引:4,自引:0,他引:4
红外动态图像生成技术的基本概念包括基本术语及其定义。为了描述红外动态图像生成技术的特性,通常采用如光源类型、光谱波段、阵列规模、空间分辨率、填充因子、时间常数、帧频、闪烁、温度范围、串扰、均匀性、发射率、辐射对比度、动态范围、温度分辨率、调制传递函数、几何畸变及最大温度和最大辐射强度等概念。介绍了描述红外动态图像生成系统性能的基本概念的定义。转换器的指标定义对于转换器的设计和性能指标的测试都有重要的意义。 相似文献
24.
红外目标模拟器由红外目标图像发生器和投影光学系统组成。该红外光学系统是一个要求与2个导引光学系统的光学技术参数相匹配的长焦距、大视场和具有像方远心光路的中红外光学系统。叙述用于红外目标模拟器的红外耦合光学系统的设计原理,提出它与导引光学系统一起可组成放大倍率M=4.5×的红外投影光学系统,并指出IR CRT产生的图像通过红外投影光学系统可成像在导引接收器上。针对给出的红外耦合光学系统的设计特点和技术要求,光学材料选取硅(Si) 锗(Ge) 硅(Si),采用简单的柯克三片式结构完成光学系统设计。设计评价结果表明,该系统的光学性能和成像质量均满足设计指标要求。 相似文献
25.
26.
设{W(t):t∈R},{B(t):t∈R }是两相互独立取值于R且W(0)= B(0)=0的标准Brown运动, {Y(t)=W(B(t)),t∈R }为R上的重Brown运动,X1(t),…,Xd(t)是Y(t)的d个独立复制.我们将探讨d维重Brown运动X(t)=(X1(t),…,Xd(t))的像集和图集的精确Hausdorff测度.更确切地,得到了X的像集X(Q)={X(t):t∈Q}和图集GrX(Q)={(t,X(t)):t∈Q}的精确Hausdorff测度,其中Q为(0,∞)上的Borel集. 相似文献
27.
用区域分解算法结合蒙特卡罗法求坦克温度场和红外辐射出射度 总被引:3,自引:0,他引:3
本文将区域分解算法和蒙特卡罗法相结合,求坦克温度场和红外辐射出射度.采用蒙特卡罗法计算辐射传递系数,可以考虑界面的复杂辐射特性,如:镜反射、各向异性发射、各向异性反射等;可直接考虑界面的复杂几何特性,如:相互遮挡、太阳入射方向上的投影面积等.引入辐射传递系数,分离了计算的难点,使得在时间域(计算步骤)上能把整个问题分解为若干个子问题并行处理、在空间域(计算区域)上将坦克分解为若干个子区域,缩小计算规模,并可使用多个处理器并行计算;同时减轻了蒙特卡罗法编程的难度,缩短了计算时间. 相似文献
28.
光学光刻是目前超大规模集成电路(VLSI)制备中主要的微米和亚微米的图形加工技术,这一技术将继续保持其主导地位成为90年代VLSI发展的关键。本文综述了近年来光学光刻工艺的发展,主要介绍了G线(436nm)、Ⅰ线(365nm)和准分子激光光刻的现状,并对实现高的光学光刻分辨率所必须解决的透镜设计、套准精度和像场面积等问题作了详细描述。最后展望了发展方向、 相似文献
29.
用于成像侦察的CCD探测器成像分辨力的探讨 总被引:4,自引:0,他引:4
通过对CCD探测器成像过程的模拟,分析了CCD成像在像元几何尺寸及成像灰度方面的数字离散化特征对CCD成像分辨力的影响,给出了CCD成像分辨力与CCD像元分辨力的关系,同时也给出了在相应情况下的调制度传递函数(MTF)的数值。 相似文献
30.
本文引入Fisher-Yates提出的计分函数和Van der Waerden提出的计分函数,对只有一个变点的位置参数模型的假设检验问题分别给出了四个检验统计量.利用Monte-Carlo随机模拟的方法,求出了检验的渐近临界值,并且对本文提出的检验,以及Pettitt在文[1] 中提出的检验,Schechtman和Wolfe在文[2]中提出的检验的势进行了比较。 相似文献