Geant4在CR39叠层探测器中的应用

利用Geant4程序计算了多种不同组合CR39叠层探测器的中子能量响应函数,研究结果表明,中子能量响应函数曲线的半高宽和探测下限分别由聚乙烯的厚度和吸收片的厚度决定,峰值由聚乙烯和吸收片的厚度共同决定。利用加速器准单能氘氘中子源进行辐照实验,获得了4种不同叠层组合探测器的2.45 MeV中子探测效率,并与计算曲线进行了比较,结果吻合较好,验证了Geant4程序计算结果的可靠性。     

光刻及离子束蚀刻技术制作DNA芯片模版

采用光刻及离子束蚀刻技术制作面阵石英DNA芯片模版,利用扫描电子显微镜（SEM）和表面轮廓仪测试了所制石英DNA芯片模版的表面微结构形貌特征,分析了所制石英DNA芯片模版出现图形畸变的原因。所用工艺为在其它衬底材料表面制作更大规模及具有复杂结构的大面阵DNA芯片模版奠定了基础。     

时域有限差分法分析蚀刻衍射光栅的后向衍射效率

采用时域有限差分法(FDTD)结合理想匹配层(PML)边界条件及周期性边界条件对两种结构槽面的后向衍射效率进行了分析,在P偏振和S偏振两种情况下,均得到了比传统差分方法和射线近似方法更精确的解.数值计算结果表明:全内反射(TIR)结构在高折射率材料(如InP)的蚀刻衍射光栅(EDG)中很有效,而在低折射率材料(如SiO₂)的EDG中效果不理想.     

光刻及离子束蚀刻技术制作DNA芯片模版

 采用光刻及离子束蚀刻技术制作面阵石英DNA芯片模版，利用扫描电子显微镜（SEM）和表面轮廓仪测试了所制石英DNA芯片模版的表面微结构形貌特征，分析了所制石英DNA芯片模版出现图形畸变的原因。所用工艺为在其它衬底材料表面制作更大规模及具有复杂结构的大面阵DNA芯片模版奠定了基础。