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51.
52.
53.
Graphitic carbon nitride (g-C3N4) with high photocatalytic activity toward degradation of 4-nitrophenol under visible light irradiation was prepared by HCI etching followed by ammonia neutralization. The structure, morphology, surface area, and photocatalytic properties of the prepared samples were studied. After treatment, the size of the g-C3N4 decreased from several micrometers to several hundred nanometers, and the specific area of the g-C3N4 increased from 11.5 m2/g to 115 m2/g. Meanwhile, the photocatalytic activity of g-C3N4 was significantly improved after treatment toward degradation of 4- nitrophenol under visible light irradiation. The degradation rate constant of the small particle g-C3N4 is 5.7 times of that of bulk g-C3N4, which makes it a promising visible light photocatalyst for future applications for water treatment and environmental remediation.  相似文献   
54.
碳纳米管性质奇特、用途广泛[1]。目前制备碳纳米管薄膜的方法主要有电弧放电法[2]、催化裂解[3]、及真空过滤碳纳米管悬浮液制备“巴基管纸”(Buckypaper)[4]等。本文采用镀镍基板催化裂解低碳烷烃法制备碳纳米管薄膜,考察了镀膜时间、蚀刻和氨水处理等条件对碳纳米管薄膜产物形貌的影响。1 实验部份1 1 镀膜与后处理采用离子溅射法在硅酸盐基板上镀镍,镀镍电流7 5mA,镀镍时间分别为2min、15min、30min、45min或60min;对镀镍基板再进行蚀刻(蚀刻电流7 5mA,蚀刻时间2min)或用氨水浸泡处理(含NH325%,超声振荡30min),然后烘干备用。1 …  相似文献   
55.
研制了一套蚀刻方法并对聚对苯二甲酸乙二醇酯/对羟基苯甲酸/对苯二甲酸/对苯二酚(PET/HBA/TA/HQ)体系的共聚酯液晶试样断面进行蚀刻,并用扫描电镜观察,发现此类共聚酯中存在两相结构.当PET摩尔分数小于50%时,分散相呈球状且富含PET,连续相富含全芳族链段;当PET摩尔分数等于或大于50%时,分散相和连续相结构发生颠倒,连续相富含PET,分散相球状粒子富含全芳族链段且为纤维状结构.因此可以断言,用熔融缩聚方法制备的PET/HBA/TA/HQ四元共聚酯不是无规共聚物,而是嵌段共聚物.  相似文献   
56.
本文综述了用于193 nm深紫外光刻胶的主体成膜树脂的种类及常用合成单体的研究进展,包括聚(甲基)丙烯酸酯体系、环烯烃-马来酸酐共聚物(COMA)体系、乙烯醚-马来酸酐共聚物(VEMA)体系、降冰片烯加成聚合物体系、环化聚合物体系、有机-无机杂化树脂体系以及光致产酸剂(PAG)接枝聚合物主链型等,并分析了目前关于曝光、分辨率和抗蚀刻性能方面存在的问题及未来的发展方向。  相似文献   
57.
 采用光刻及离子束蚀刻技术制作面阵石英DNA芯片模版,利用扫描电子显微镜(SEM)和表面轮廓仪测试了所制石英DNA芯片模版的表面微结构形貌特征,分析了所制石英DNA芯片模版出现图形畸变的原因。所用工艺为在其它衬底材料表面制作更大规模及具有复杂结构的大面阵DNA芯片模版奠定了基础。  相似文献   
58.
59.
In this letter, the application of dry etching to thin films on glass is described. The utilized (ICP-RIE) of SF6 and 02 is discussed and a demonstrated. prepare Black Silicon nanostructures on crystalline silicon reactive ion etching with an inductively coupled plasma remarkable increase in light absorption of about 70% is demonstrated.  相似文献   
60.
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