湿度起伏对可见光折射率结构常数影响的实验研究

利用合肥郊区夏季三维超声风速计测量的虚温、风速和Li7500二氧化碳和水汽分析仪获得的水汽浓度资料,从两个方面研究湿度起伏对三维超声风速计测量可见光折射率结构常数C2n的影响。对超声虚温进行湿度修正后,得到真实温度,比较了由超声虚温和真实温度分别计算得到的温度结构常数C2T。另一方面,计算出温湿度相关项CTq和湿度结构常数C2q各自对C2n的贡献。结果显示真实温度计算得到的C2T与超声虚温计算得到的C2Ts有显著差别,很多时候两者的差异超过10%。CTq对C2n的贡献较大,可超过10%,不可忽略;而C2q对C2n的贡献很小,普遍低于5%,可以忽略。     

Electron Emission Suppression from Cathode Surfaces of a Rod-Pinch Diode

The theory and method of suppressing electron emission from cathode surfaces is introduced, including increasing the emission threshold, reducing the surface electric field and shielding the emitted electrons. The stainless steel-graphite and Teflon-graphite composite cathodes are designed to test the above methods for a rod-pinch diode. The experiments are performed on the inductive voltage adder, and the results indicate that the Teflon-graphite composite cathode is effective in suppressing electron emission from the specified cathode surface, while the stainless steel-graphite composite cathode fails. The reasons are analyzed theoretically.     

自掺杂锰基氧化物La1-xMnO3+δ的电化学制备

利用阴极还原恒电位和恒电化学沉积法制备了自掺杂钙钛矿结构的锰基氧化物La1-xMnO3 δ,研究了电解质溶液中La^3 和Mn^2 的物质的量比、沉积电位以及电密度对产物组成的影响,并对电沉积机理和晶格缺陷进行了探讨,结果表明,晶格中的离子空位和Mn^4 的含量是影响体系输运性质的关键。     

阴极溶出伏安法测定硒酵母中微量硒

建立了用阴极溶出法测定硒酵母中硒含量的分析方法。硒酵母样品用H2 SO4 -HClO4 -Na2 Mo4 消解液消解 ,用浓HCl加热还原Se (Ⅵ )为Se (Ⅳ ) ;三电极包括汞膜电极 (工作电极 ) ,Ag -AgCl (参比电极 ) ,Pt电极 (辅助电极 ) ,优化条件为 :支持电解质为 3mol LHCl,预电解电位为 -2 0 0mV ,富集时间为 1 5 0s ,峰电位在 -0 4 4V。测定Se (Ⅳ )的标准曲线线性范围为 1 0～ 80 μg/L。测定硒酵母中的硒的结果为 8 1 0× 1 0 -3 ,与分光光度法测定结果相比 ,相对误差为7 2 %。     

电子束加速器维纳尔的研究

由于电子束理论上可聚成直径小于1nm的束斑,易于控制,在超大规模集成电路掩模制造中起的重要作用,目前仍无法用其它方法所代替.以SDS-3电子束设备的电子枪为基础,讨论了双曲凹面加速器维纳尔(外敷碱土金属氧化物盖)的电子轨迹与能量分布.通过这一维纳尔电子被送达硅片靶心(置于光阑前).最后给出了刻蚀硅片的束斑和加速器维纳尔的图.     

准光腔型虚阴极振荡器的研究

 介绍了准光腔型虚阴极振荡器。利用光学谐振腔标量波动理论，分析了准光学谐振腔的腔场特性；并采用二维半全电磁PIC程序对器件进行了粒子模拟，得到了主频为7.0GHz、平均功率超过1.3GW、以准高斯模为主的微波输出，束波作用平均转换效率接近10%。     

透射式GaAs光电阴极材料的MOCVD生长

用常压MOCVD装置,制备了透射式GaAs光电阴极材料。发射层P-型GaAs掺杂浓度到10¹⁸-10¹⁹cm^-3,少子扩散长度到4.02μm。AlGaAs层的Al组分含量到0.83,其吸收光谱长波限与设计值基本符合。利用此材料进行了阴极激活实验,制成了透射式GaAs光阴极。     

虚阴极时间相关行为的单荷电层分析

用格林函数法计算圆柱腔中单荷电层的空间电荷场,分析在圆柱腔漂移管中的虚阴极时间相关行为。求出在非相对论情形下极限电荷q_L的表达式,对不同电荷值、荷电层的位置与速度随时间变化关系进行数值计算分析。给出了虚阴极直观的物理图象。