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71.
以噻吩为单体,在等离子体环境中聚合成致密的有机膜。利用Rutherford背散射(RB2S)和质子弹性反冲(ERD)、傅里叶红外谱(FTIR)测定了膜的成分和结构;从近红外-可见-紫外光的反射和透射谱,运用传递矩阵方法研究了膜的光学性质;此外,还探讨了24keV的I+离子束的注入对等离子体噻吩聚合膜的掺杂效应。结果表明,注入层内电荷载流子的输运机理可用Mott的可变自由程跳跃(VRH)理论给以解释。
关键词: 相似文献
72.
磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系. 相似文献
73.
74.
微波消解ICP-AES法同时测定花岗石中铜、镉、铬和砷 总被引:9,自引:3,他引:6
本文采用微波消解和ICP-AES法,同时测定花岗石样品的铅、镉、铬、砷4有害元素,检出限分别为0.0008、0.0007、0.0018、0.0012μg.mL^-1,回收率为93.4%-102.5%,RSD为1.3%-3.6%,该法准确、快速、简便,结果令人满意。 相似文献
75.
利用 Schn-Tremblay 理论计算了 Pb、Sn 超导薄膜在注入准粒子且注入电压很小(ev<2△(?))时的能隙微小增加的效应.同时,把此理论扩展到 ev>>2△_i 的大电压情况,计算出能隙明显减小及超导-正常混合态的结果. 相似文献
76.
Synthesis of Thick Diamond Films by Direct Current Hot—Cathode Plasma Chemical Vapour Deposition 总被引:1,自引:0,他引:1
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《中国物理快报》2002,19(9):1374-1376
77.
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 总被引:2,自引:2,他引:0
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量,在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜,在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。 相似文献
78.
79.
Influences of Thalliation on the Morphology and Critical Temperature of Tl2Ba2CaCu2O8 Thin Films
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Tl2Ba2CaCu2Ox(Tl-2212) thin films were prepared by the two-step technique.A precursor film was first prepared by the pulsed laser deposition method,and then experienced the incorporation of thalliation in a one-step or two-step annealing process.The experimental results show that the two-step annealing process produces dense and smooth films,and that the one-step annealing process produces a high critical temperature film of 101K,but the transition width is wide.Precursor films with homogeneous Ba2Ca1.3Cu2.1Ox composition are essential for producing high-quality Tl-2212 films. 相似文献
80.
宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展 总被引:9,自引:4,他引:5
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想;第三,深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用,为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径;第四,研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射;第五,CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理;第六,ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。 相似文献