厚二氧化硅光波导薄膜制备及其特性分析

以硅烷和氧化二氮作为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术，不使用掺杂，在单晶硅衬底上制备了用于平面光波导的二氧化硅薄膜。研究了薄膜折射率和淀积速率与工艺参量之间的关系，通过棱镜耦合仪、傅里叶变换红外光谱、原子力显微镜等测试手段，分析了薄膜的结构和光学特性。结果表明，实验能快速生长厚二氧化硅薄膜，薄膜表面平整，颗粒度均匀，同时薄膜具有折射率精确可控和红外透射性能好的特点，非常适合制作光波导器件。     

不同掺杂的钇系-123薄膜磁通特性

我们在磁场中分别测量了最佳掺杂的YBa2Cu3O7-δ、钙0.2掺杂的Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ及钙0.5掺杂的Pr1-xCaxBa2Cu3O7-δ薄膜的电阻温度关系.利用最近Zhang et al. [Phys. Rev. B 71(2005), 052502 ]提出的热激活能的分析方法对薄膜的磁通特性进行了分析、比较与讨论.     

Luminescence and ESR Studies of CaS：Dy Phosphor

CaS phosphor activated with Dy ions is prepared by the solid-state diffusion method. The phosphor is characterized by x-ray powder diffraction, thermogravimetric analysis and photoiuminescence. Defect centres formed in CaS：Dy are studied using the technique of electron spin resonance. The thermoluminescence glow curve shows peaks at around 117℃ and 345℃. Irradiated CaS：Dy exhibits ESR lines due to defect centres. The thermal annealing behaviour of one of the defect centres appears to correlate with the TL peaks at 117℃ and 345℃. This centre is characterized by an isotropic g-value of 2.0035 and is assigned to an F^＋ centre.     

磁盘润滑膜全氟聚醚的分子动力学模拟研究

纳米润滑膜全氟聚醚(perfluoropolyether，简称PFPE)在固体表面的结构和迁移特性对于计 算机磁盘磁头驱动系统的可靠性具有重要的作用. 采用基于粗粒珠簧模型的分子动力学模拟 方法，考察了不同壁面和端基极性对于PFPE膜静态特性（如分子构型、单体密度分布、端基 密度分布）以及动态特性（如自扩散系数）的影响. 静态特性的模拟结果表明，非极性PFPE 膜在壁面附近具有单层厚度为一个单体直径的层状结构，而极性PFPE膜则具有复杂的层状结 构. 动态特性的模拟结果表明，PFPE膜的扩散能力因壁面作用而增强并因端基极性作用而减 弱. 关键词： 全氟聚醚膜 分子动力学模拟 薄膜润滑 固液界面结构     

疏水薄膜上水滴滑行加速度的观测(英文)

Weevaluatedslidingaccelerationofawater dropletonasiliconsurfacetreatedwithoctadecyl trichlorosilanebychangingthedropletweight. Theslopeoftheslidingaccelerationagainstthe dropletweightwaschangedat20mg,suggesting thatthedominantslidingmodewasshiftedfrom sl…     

用横场伊辛模型研究应力对铁电薄膜的热力学性质的影响

用横场伊辛模型研究了铁电薄膜的热力学性质.在体系的哈密顿量中引入一个两维的在平面内的应力，并假设应力从基底材料和薄膜材料之间的界面层到薄膜的表面层是呈指数形式衰减的.结果显示：压应力有利于极化，使居里温度向高温区移动，而张应力对极化和居里温度的影响正好相反.扩散长度对铁电薄膜的热力学性质有很大的影响. 关键词： 铁电薄膜 应力 横场伊辛模型     

抗冲聚丙烯微结构的研究

利用¹³C NMR对抗冲聚丙烯的微结构进行了研究.结果表明,由于抗冲聚丙烯聚合工艺的差别,4个抗冲聚丙烯样品中的乙烯链段的序列分布也不同.根据抗冲聚丙烯的¹³C NMR谱,计算出了丙烯段的次甲基和甲基的峰强度,由此建立了表征抗冲聚丙烯共聚物中丙烯链段的立构规整度的方法.     

ZnS:Tb薄膜电致发光的量子效率及过热电子分布

采用高频溅射的方法制备了高亮度的ZnS:Tb薄膜电致发光器件.测量了发射强度比I(5D3-7F6)/I(5D4-7F4)随激发电压的变化关系、弛豫时间及发光的量子效率,计算了碰撞截面,分析ZnS:Tb的过热电子的分布,并与ZnS:Mn进行了比较.指出了ZnS:Tb效率与ZnS:Mn效率差异的可能原因.     

非掺杂GaN的黄光发射模型确定

提出了一种新的光谱———吸收归一化光致发光激发谱,并用这种光谱研究了非掺杂GaN的黄光发射.实验上首次直接测量出了黄光发射的初始态的共振吸收峰位,从而解决了长期争论的有关黄光发射的发光模型问题 关键词： GaN薄膜 黄光发射 吸收归一化光致发光激发谱