长寿命导H^＋全固态电致变色器件的研究

研究了导Ｈ＾＋离子全固态电致变色器件性能退化摧在机制，发现有两个因素导致器件性能退化，在器件褪色过程中，存在于ＷＯ３薄膜中的水份将导致ＯＨ＾－在ＷＯ３中积累而在其中产生碱性环境，ＷＯ３溶于碱性环境而生成钨酸盐，在较高电压作用下Ｈ２Ｏ电解释放出气体Ｈ２和Ｏ２而使膜层剥落，通过改进器件结构和改善制备工艺条件，获得了光学密度高达０．５，着色／漂白（Ｃｏｌｏｒ／Ｂｌｅａｃｈ）循环次数高达１０＾６以上的性能     

酞菁锡（SnPc）多晶薄膜的光电压特性研究

报道了Ａｌ／α－ＳｎＰｃ／ＩＴＯ夹心结构的瞬态光电压随入射光强度和波长变化的演变特性和稳态连续光照射下的光电压作用光谱。稳态光电压作用光谱和其对应吸收光谱的变化趋势非常接近；而瞬态光电压的大小、极性和响应时间则共同取决于入射光的强度和波长。其中瞬态光电压的正峰部分（相对于ＩＴＯ电极）只在较强的光照射下才出现，而且其响应时间也总是慢于同一条件下出现的负电压峰。文中对该现象的内在机制作了初步的探讨。     

无序细观结构在体积中与截面上尺度分布函数之间的关系的统计诠释

研究材料中的无序细观微结构在体积中的尺度分布函数与在截面上观测到的尺度分布函数之间的变换关系,导出了变换方程,并阐明了对它应作统计解释。还给出了分布函数的矩的变换关系,讨论了粗糙面分维数与它和截面的交的分维数之间的关系。 关键词：     

高温超导薄膜的一种温刻技术

本介绍了一种高温超导薄膜表面图形成型的化学湿法刻蚀，实验采用饱和乙二胺四乙酸、３％Ｈ３ＰＯ４和饱和ＮＨ４Ｃｌ三种溶液作为腐蚀液，分别对几组ＹＢＣＯ膜样品进行刻蚀，实验中并向腐蚀液和清洗液中通入干燥Ｎ２气，中给出了测试数据，分析比较了样品刻蚀前后的Ｔｃ，摸索出一种在小尺寸微桥的光刻中对样品超导性能影响最小的化学湿刻技术。     

金属颗粒薄膜巨磁电阻效应的影响因素

研究金属颗粒薄膜的颗粒尺寸、磁性组分等对巨磁电阻效应的影响.在自由电子模型和自旋相关散射理论的基础上，计算了金属颗粒膜体系的电子平均散射势.在计算过程中将自旋相关项与宏观量相联系，得到了巨磁电阻效应与磁性成分比例、颗粒尺寸的关系.磁电阻效应的模拟曲线表明，增加磁性成分比例和减小磁性颗粒尺寸可增强颗粒膜的巨磁电阻效应. 关键词：     

测试温度对nc—Si：H膜光致发光特性的影响

利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０－２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量，实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在Ｔ〉８０Ｋ后呈指数下降趋势，ＰＬ峰值能量的红移起因于带隙收缩，而ＰＬ强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用。     

β—C3N4—一种新型的超硬材料

对于一种硬度可能超过金刚石的新型超硬材料β－Ｃ３Ｎ４的研究已经成国际上材料科学研究的一个热点，文章综述了目前国际上研究β－Ｃ３Ｎ４材料的现状及所得的一些进展。     

Two-Step Growth of MgO Films on Sapphire （0001） Substrates by Radio Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

We report on the growth of rock salt MgO films on sapphire (0001) substrates by rf plasma-assisted molecular beam epitaxy.A two-step method,i.e.high temperature epilayer growth after low-temperature buffer layer growth,was adopted to obtain the single crystal MgO film.The epitaxial orientation between the MgO epilayer and the sapphire (0001) substrate was studied by using in situ reflection high energy electron diffraction and ex situ x-ray diffraction,and it is found that the MgO film grows with [111] orientation.The role of the low temperature buffer layer in the improvement of crystal quality of the MgO epilayer is discussed based on the cross-sectional scanning electron microscopy.     

钛酸锶钡材料应用于超高密度动态随机存储器的研究

铁电钛酸锶钡材料具有十分优越的介电性能 :高的介电常数 ,较低的介电损耗 ,好的绝缘漏电性能 ;而且 ,通过调节材料中的Ba/Sr成分比 ,可改变材料的居里相变温度TC,以满足特定应用环境的温度需要 ,在超高密度集成的动态随机存储器 (DRAM)方面表现出广阔的应用前景 .文章概括介绍了BaxSr1-xTiO3 薄膜材料在DRAM应用中已取得的最新研究进展 ,并对这一应用所面临的问题也进行了详细讨论