光学塑料真空镀膜附着力机理与工艺研究

依据光学塑料的基本特性，研究光学塑料真空镀膜过程中附着力的有关问题。论述薄膜生长过程中影响薄膜附着力的各种因素，针对其相关因素作了具体的理论分析。在真空镀膜实验的基础上，提出了一种提高真空镀膜附着力的具体方法。     

电解有机溶液法制备CNx薄膜

在６０℃和常压下，电解甲醇和脲的混合溶液在硅基片上沉积ＣＮｘ薄膜．傅里叶红外和Ｒａｍａｎ测试表明，所得薄膜是非晶态的，碳和氮主要是以Ｃ—Ｎ，Ｃ—Ｃ，ＣＣ和ＣＮ的形式成键，有少量的碳和氮以ＣＮ的形式成键．Ｘ射线光电子能谱测试表明，氮是以ＳＰ２和ＳＰ３杂化形式与碳化学成键来成膜的．测试结果表明通过液相沉积法所得ＣＮｘ薄膜与汽相沉积法所得ＣＮｘ薄膜的结构比较接近     

椭圆薄膜的椭圆性

证明了夹住椭圆薄膜的整个边界不是使薄膜的椭圆性成立的必要条件。特别地，给出了两类边界条件，分别叫做部分自由边界条件和共轭边界条件，它们使得椭圆薄膜具有椭圆性但其边界没有被完全夹住。这些结果纠正了Slicaru在下面的章中所犯的错误：On the ellipticity of the middle surface of a shell,C.R.Acad.Sci.Paris,t.322,Serie,p.97-100,1996。最后，通过例子说明，当椭圆薄膜的边界不限制任何条件时，使应变能有限的位移向量空间可非常大。     

InSb薄膜的霍尔效应测量

霍尔系数和电阻率随温度变化的测量是近代物理的基本实验之一．通过测量可判断半导体材料的类型，并得到材料的一些重要参数，例如载流子浓度和运尔迁移率等等．在一般的教学实验中常用单晶锗或硅作为样品．随着半导体技术的发展，用外延工艺研制的单晶薄膜材料已成为一种重要的半导体材料．我们得到了几块用这种工艺生长的N型Insb（锑化铝）薄膜材料，测量了它们的合尔系数和电阻率，并求出其载流于浓度和霍尔迁移率．可以看出这种材料的霍尔迁移率比硅和锗材料要大得多．实验中发现个别薄膜材料在低温时的电子霍尔迁移率低于常温时的值，…     

Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与特性研究

采用sol-gel工艺, 在分层快速退火的工艺条件下成功地制备了高质量Si基Bi_{4Ti3O12铁电薄膜. 研究了Si基Bi4Ti3O12薄膜的生长行为、铁电性能、C-V特性和疲劳特性. 研究表明: Si基Bi4Ti3O12薄膜具有随退火温度升高沿c轴择优生长的趋势; 退火温度通过影响薄膜的晶粒尺寸、生长取向和薄膜中载流子的浓度来改变Si基Bi关键词： sol-gel法 铁电薄膜 4Ti3O12')" href="#">Bi4Ti3O12 C-V特性}     

Single Crystal Si Layers on Glass Fabricated by Hydrophilic Fusion Bonding and Smart-Cut Technology

A single crystal Si thin film on a glass substrate has been obtained successfully by hydrophilic fusion bonding and the smart-cut technology. Tensile strength testing shows that the bonded interface has strong adhesion and the bonding strength is about 8.7MPa. Crystallinity and microstructure of the samples have been characterized by transmission electron microscopy (TEM). Electrical properties have also been investigated by Hall measurements and four-point probe. The mobility of the transferred Si layer on glass is about 122cm^2//V.s. The results show that the single-crystal silicon layer transferred onto glass by direct bonding keeps good quality for the applications of integrated circuits, transducers, and fiat panel display.     

InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动研究

采用常压金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射／沟道技术、光透射谱、光致发光光谱对InxGa1-xN／GaN／AI2O3样品进行了测试。研究了InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动。结果表明，采用光透射谱、光致发光光谱得到的InxGa1-xN薄膜的禁带宽度一致，InxGa1-xN薄膜并不存在斯托克斯移动。InxGa1-xN薄膜的In组分分别为0．04，0．06，0．24，0．26时，其弯曲因子分别为3．40,2．36，1．82，3．70。随In组分变化。InxGa1-xN薄膜的弯曲因子的变化并没有一定的规律，表明InxGa1-xN薄膜的禁带宽度随In组分的变化关系复杂。     

我国高温超导材料研究进展

本文概述了我国在高温超导材料研究方面的最新进展，较系统地介绍了超导块材和薄膜的制备方法及性能，并简单地介绍了高温超导材料在超导量子干涉器件、超导天线、磁屏蔽和磁通变换器等方面的应用．