ZnS:Tm的薄膜电致发光及激发过程

用电子束蒸发的方法制备了传统的双绝缘层的ZnS:Tm的薄膜电致发光器件，对其电致发光谱进行分析，在光致发光中，Tm离子受到基质ZnS的无辐射能量传递，而在电致发光中，Tm被过热电子碰撞激发而非能量传递，在所研制的电致发光器件中，稀土TmF3掺杂浓度不同，器件的发光性能也不同，在双绝缘层的ZnS:Tm的薄膜电致发光器件的基础上，改变器件的结构，发现器件的蓝光发射与红光发射之比增加，并对Tm离子可能的发光机理进行了探讨。     

Y_2O_3∶Eu~(3+)薄膜的制备及发光性能的研究

以稀土氧化物为原料,用溶胶-凝胶法制备前驱液,加入适量的聚乙烯醇做成膜物质,用浸渍拉提法在石英玻璃表面上得到均匀的薄膜,然后经过适当的干燥和热处理得到Y2O3∶Eu3+发光薄膜.讨论了Eu3+的掺杂浓度和热处理温度对薄膜发光性能的影响.试验表明:Eu3+的最佳掺杂浓度为8%(摩尔分数),薄膜的发光性能随热处理温度提高而增强,当热处理温度达到700℃后,薄膜的发光性能基本上稳定.同时用原子力显微镜和X射线衍射分析了薄膜的表面形貌和结构.     

多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积及Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te薄膜的光电化学行为

本文研究了在酸性CdSO_4+HTeO_2~+6HgCl_2 电解液中多晶富镉Hg_(1-x),Cd_(?),Te(x>0.5)的电沉积过程,实现了三种离子在同一电位下共沉积的技术。对在钛基底上沉积出的薄膜进行XRD,SEM和EDAX分析,结果表明薄膜为闪锌矿型的多晶结构,分布均匀连续。考察了(1—x)=0.09时多晶薄膜在多硫氧化还原电对液中的光电化学行为,光强为100mW/cm~2时,短路光电流I_(sc)=1.88mA/cm~2,开路光电压V_(oc)=0.25V,填充因子F·F=0.22。由光电化学光谱所确定出的禁带宽度E_g=1.26eV,Mott-schottky曲线给出了电极的平带电位φfb为—1.26V(vs.SCE),从而得到开路光电压V_(oc)可能达到的最大值为0.49V。因此,多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜是一种很有潜力的光活性电极材料。     

氧化钨薄膜微型电化学器件的研究

本文论述了WO_3薄膜氢离子敏器件的结构、原理、制备技术和测试分析。利用WO_3薄膜在H+溶液中由绝缘转化为导电特性,成功地研制成氢离子敏器件。这是一种简易而经济的微型pH敏器件技术。     

酞菁锰-表面活性剂薄膜电极的电化学表征及其对三氯乙酸的电化学催化作用的研究

将酞菁锰（ＭｎＰｃ）掺入阳离子表面活性剂双十二烷基二甲基溴化铵（ＤＤＡＢ）的氯仿溶液，并涂布于热解石墨电极表面，待氯仿挥发后即制得ＭｎＰｃ－ＤＤＡＢ薄膜电极。循环伏安实验表明，在ＫＢｒ溶液中，该薄膜电极有两对还原氧化峰，第一对峰的Ｅｐｃ１＝－０．２７Ｖ，Ｅｐａ１＝０．０１Ｖ；第二对峰的Ｅｐｃ２＝－０．７６Ｖ，Ｅｐａ２＝－０．６２Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）。本文着重探讨了第二对峰的电化学行为，估计了该体系的电荷传递扩散系数Ｄｃｔ和表观非均相电极反应速率常数Ｋ０′等电化学参数，并可将该薄膜电极用于催化三氯乙酸的电化学还原。     

Y2O3薄膜处理对3Cr25Ni7N合金的抗高温氧化性能的影响

采用电沉积-热解法在3Cr25Ni7N合金表面制备了Y2O3薄膜,并研究了薄膜处理对合金在1000℃空气中的抗高温氧化性能的影响。氧化动力学曲线、SEM及XRD分析结果表明,Y2O3薄膜处理使合金表面氧化膜以尖晶石结构为主,氧化膜致密,有效地抑制了Cr2O3的挥发反应,且氧化膜与基体的附着性好,因此合金在高温下的抗氧化性能得到提高,这与氧化钇薄膜在较低温度下抗高温氧化性能提高的机制是不同的。在不同温度下,Y2O3薄膜处理均可以有效提高合金的抗高温氧化性能。     

纳米TiO2膜用于光催化氧化测定化学需氧量的研究

A photocatalytic oxidation method for determination of chemical oxygen demand （COD） using nano-TiO2 film, based on the use of a nano-TiO2-Ce（SO4）2 system and electrochemical detection, was proposed. The technique was originated from the direct determination of the Ce（Ⅲ） concentration change resulting from photocatalytic oxidation of organic compounds. Ce（Ⅲ）, which was produced by photocatalytic reduction of Ce（SO4）2, could be measured at a multi-walled carbon nanotubes （MWNT） chemically modified electrode （CME）. The COD values by this method were calculated from the differential pulse voltammetry （DPV） current of Ce（Ⅲ） at the CME. Under the optimal operation conditions, the detection limit of 0.5 mg·L^-1 COD with the linear range of 1-600 mg·L^-1 was achieved. This method was also applied to determination of various COD of ground water and wastewater samples. The resuits were in good agreement with those from the conventional COD methods, i.e., permanganate and dichromate ones.     

6AZO-CONTAINING SELF-ASSEMBLY ULTRA-THIN FILMS AND THEIR PHOTOVOLTAIC PROPERTIES

A kind of azo-containing resin (Azo-R) was synthesized by a simple way through the coupling reaction of 2-nitro-N-methyldiphenylamine-4-diazoresin (NDR) with phenol, and a new covalentely attached multilayer film from Azo-R as H-donor and photosensitive diazoresin, diphenylamine-4-diazoresin (DR) as H-acceptor via H-bonding attraction by selfassembly technique has been fabricated. Following the decomposition of diazonium group of DR under exposure to UV light, the H-bonds between the layers of the film convert to covalent bonds and the film becomes very stable toward polar solvents or electrolyte aqueous solutions. Thus the UV-irradiated azo-containing films can be used to measure photocurrent in a conventional three-electrode photoelectrochemical cell using KCl as supporting electrolyte. It was confirmed that the azo-containing multilayer film is responsible for the photocurrent generation.     

关于超高分子量聚丙烯超拉伸膜的结构性能的研究——Ⅱ.形态结构变化对力学性能的影响

 用X-射线衍射、动态力学测定等手段研究了不同拉伸倍数的超高分子量聚丙烯薄膜的力学性能的变化.以X-射线衍射法并基于串联力学模型的假设得到的各样品的表观晶区模量E_c^app约为34-38GPa.样品模量E_b随拉伸倍数增加而逐渐增大,其变化趋势与非晶区取向因子的变化相类似,说明非晶区取向是左右样品模量的重要因素.室温下,69倍拉伸样品的模量为27GPa,约为表观结晶模量的3/4,且其值在-150-160℃的温度范围内没有急剧变化,说明超拉伸明显改善了材料的力学性能及热稳定性.在各拉伸样品中,考虑伸直链结晶生成的可能性,利用并串联力学模型对伸直链结晶的体积分数做了估算,并对X-射线衍射法所得表观结晶模量进行了修正,认为室温下聚丙烯的真正晶区模量约为47GPa.     

金属基上以YSZ为过渡层的YBCO薄膜的微观结构

采用透射电子显微术（ＴＥＭ），研究了用磁控溅射技术在柔性金属基体上制备的、钇稳定的ＺｒＯ２（ＹＳＺ）为过镀层的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｙ（ＹＢＣＯ）薄膜的横断面结构。所得ＹＢＣＯ膜的超导临界转变温度Ｔｃ为９１Ｋ，临界电流密度Ｊｃ＝２×１０３Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ，０Ｔ）。基体为Ｎｉ基合金（ＨａｓｔｅｌｏｙＣ）。ＹＳＺ层为致密、均匀的细晶组织，约１２μｍ厚，具有织构取向，并与基体紧密连接。ＹＢＣＯ层的厚度不均匀，约５００ｎｍ；ＹＢＣＯ／ＹＳＺ界面有时连接较差，在该界面上有杂质出现，杂质有可能引发裂纹。