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21.
给出了双棱镜对二、三阶色散的解析式。报道了采用双石英棱镜对的掺钛蓝宝石自锁模激光器的实验结果,获得与理论分析一致的结论。 相似文献
22.
23.
自锁模Cr:LiSAF激光器的实验研究 总被引:2,自引:1,他引:1
以功率为900mW,波长为488nm的单线氩离子激光作为泵浦源,在腔内不加任何主动调制器和可饱和吸收体的情况下实现了Cr:LiSAF激光器的飞秒级自锁模运转,得到了脉冲宽度为40fs,重复频率为100MHz,平均输出功率为45mW的稳定的锁模脉冲序列。 相似文献
24.
采用量子力学从头算和赝势平面波基组以及非局域广义梯度近似(PP-GGA)方法对两种光学窗口材料(单晶LiTaO3和蓝宝石α-Al2O3)在0~250 GPa静水压力范围内的光学透明性进行了研究.结果表明,随着压力的增加蓝宝石和钽酸锂的最大吸收峰位置均向低波长区移动(蓝移).蓝宝石在0~250 GPa压力下,可见光范围内一直保持其透明性,而LiTaO3则在高压下时就变得不透明了,其原因是钽酸锂的前沿能带闭合而导致其吸收带宽随外界压力的增大变宽所致. 相似文献
25.
“达碧兹”宝石具有由内含物或者致色元素的分布不均导致的类似于“六射星光”的六方对称的特殊现象,具有该现象的宝石可成两类,即由内含物将主晶体分隔为不同区域而形成的“达碧兹”宝石,以及由于内部其他原因形成的外观上与“达碧兹”宝石近似的“类达碧兹”宝石。紫外可见近红外光谱显示四块样品中均出现的375与450 nm附近的几个窄吸收峰,均为Fe3+所产生的晶体场场谱。560 nm附近的宽吸收带则应当为Fe2+与Ti4+两种离子发生电荷转移时产生的电荷移动谱,这是在黄色蓝宝石之外绝大部分蓝宝石中都会出现的吸收带。拉曼(Raman)光谱测试发现,在具有“类达碧兹”图样的山东蓝宝石内部的各个部位的矿物相均为刚玉相。其拉曼位移峰集中于位于在378、 417及576cm-1等处,证明其并没有被矿物包裹体分隔为不同的生长区域,应当属于“类达碧兹”系列。能量色散型X射线荧光光谱(EDXRF)分析测试发现其内部各处的铝元素含量远远高于其他元素,且符合刚玉矿物的理论值97%以上。激光剥蚀等离子体质谱(LA-ICP-MS)结果证... 相似文献
26.
Two-Step Growth of MgO Films on Sapphire (0001) Substrates by Radio Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
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We report on the growth of rock salt MgO films on sapphire (0001) substrates by rf plasma-assisted molecular beam epitaxy.A two-step method,i.e.high temperature epilayer growth after low-temperature buffer layer growth,was adopted to obtain the single crystal MgO film.The epitaxial orientation between the MgO epilayer and the sapphire (0001) substrate was studied by using in situ reflection high energy electron diffraction and ex situ x-ray diffraction,and it is found that the MgO film grows with [111] orientation.The role of the low temperature buffer layer in the improvement of crystal quality of the MgO epilayer is discussed based on the cross-sectional scanning electron microscopy. 相似文献
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29.
研究了掺杂Fe,Ti离子对水热条件下合成α-Al_2O_3晶体的颜色和晶体形态的影响,制备出了蓝色宝石晶体,发现在介质中掺入Fe_2O_3和TiCl_3时,水热反应生成棕黄色α-Al_2O_3晶体。当在介质中加入FeSO_4·7H_2O时,水热反应生成黑色α-Al_2O_3晶体。只有同时加入FeSO_4·7H_2O和TiCl_3时,才能生成蓝色宝石。蓝色宝石的晶体形态和同时生成的α-Al_2O_3晶体基本相同。测量了蓝宝石晶体的透射光谱。 相似文献
30.
Fabrication and Properties of Double-Side Tl2Ba2CaCu2O8 Thin Film on CeO2 Buffered Sapphire Substrate
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The double-side Tl2Ba2 CaCu2O8 (Tl-2212) superconducting thin films were fabricated on CeO2 buffered sapphire substrates. The reactive magnetron sputtering technique was used to grow CeO2 buffer thin films on sapphire substrates. Making use of the metal cerium as a sputtering source, the depositing rate is much higher compared with the CeO2 target. The Ti-2212 thin films on CeO2 buffered sapphire substrates were fabricated by adc magnetron sputtering and post-annealing process. The x-ray diffraction indicates that the thin film is pure Tl-2212 phase with the e-axis perpendicular to the substrate surfaces, and epitaxially grown on the CeO2 buffered sapphire. The critical transition temperature Tc is around 106K, the critical current density Jc is around 3.5 MA/cm^2 at 77K, and the microwave surface resistance R8 at 77K and 10 CHz of the film is as low as 390μ Ω. 相似文献