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81.
82.
高斯光束照射下的圆盘夫琅禾费衍射 总被引:9,自引:3,他引:6
推导了高斯光束照射圆孔或圆盘的衍射场普遍表达式,计算了半波带数接近于零的情况下上述衍射场的数据,进而分析了圆盘衍射场在艾里斑中增加一个暗环的原因。 相似文献
83.
菲涅耳公式给出了两种透明介质界面处,平行入射面的光矢量(P矢量)和垂直入射面的光矢量(S矢量),在分界面上的振动状态[1]. 相似文献
84.
利用电阻加热、单源混合分层蒸镀方法制备的 Bi PbSrCaCuO 超导薄膜,研制成功带双桥结的单圆孔的直流超导量子干涉器(dc SQUID).这些 dc SQUID 在78K 呈现出完全的周期性磁通响应的电压特性.在无屏蔽条件下,0—1Hz 频率范围内,78K 的磁通噪声的典型值为1.7×10~(-3)φ_0/(Hz)~(1/2),相应的能量分辨率为3.6×10~(-26)J/Hz.同时,我们发现了无偏置电流下的可以锁定的磁通响应的电压二次谐波现象,此现象尚未理解清楚,但它与 dc SQUID的 I—V 特性形状有密切关系,并对其进行了探讨. 相似文献
85.
采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品,实验结果表明:GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品,其PL谱的带边峰却很弱,这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系,同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS/沟道结果。 相似文献
86.
利用变温X射线衍射技术,在预烧过程中分析了Nd掺杂Bi4Ti3O12后生成Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)相的形成过程以及微结构的变化.实验观察到以30℃/min的升温速率,BNT相在700℃时开始形成,其衍射峰强度随温度的继续升高而增强,衍射峰半高宽随烧结时间延长而减小.X射线衍射分析结果表明,在900℃恒温条件下,烧结约2h,可形成单一的BNT相. 相似文献
87.
节日里,用一些灯泡安放在建筑物边缘上,入夜时将它点亮,就可以显示出建筑物的轮廓.要想显示建筑物的细节,应该在建筑物上装更多更小的灯.车站,街道上的广告牌,电子仪表上的一些显示器,一些大屏幕彩色电视机,也是用灯泡来显示文字和图像的,不过这些灯泡应该做得很小,这样图像看起来细腻.一幅图像是由无穷多的点组成,如果每一点的明暗和色彩都用一个灯泡来显示,那就需要无穷多的小灯泡.这没有必要,因为人眼瞳孔对光的衍射限制了眼睛的分辨率,也就是说,它会将小到一定距离的一些点看成一点.在图像处理中通常将图像分割成有限多个微区,这样一个微区称为像点或像素(pixe).在等离子体显示屏中,是用红、绿、蓝三种颜色的三个小灯在发光强弱(或灰度)上作适当配合就可显示出图像在那个像点处的色彩.我们怎样来实现呢? 相似文献
88.
研究了氢氟酸(HF)湿法刻蚀石英玻璃的化学机理,探索了针对衍射光学元件制作的刻蚀工艺,得到相关实验规律和工艺参数。最后对实验误差进行定量分析,得到湿法刻蚀的可控精度。 相似文献
89.
90.
应用经典场论和耦合模理论计算了斜向静磁场作用下,磁性薄膜波导中静磁波与导波光的相互作用.计算结果表明,与垂直静磁场情形相比,斜向静磁场时的相匹配条件有所变化,由于磁性薄膜波导中法拉第磁光效应增强等因素,导波光的Bragg衍射效率得以显著增加.这有利于应用YIG等低损耗磁性薄膜做成高衍射效率的磁光波导器件,亦有利于降低Bi∶YIG等高比法拉第旋转的磁光薄膜波导器件的体积和损耗.此外,理论指出的在斜向静磁场条件下所具有的一些磁光特性与实验结果亦符合得很好.
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