荧光光纤温度传感器激励光源的选择

本文分析计算了荧光光纤温度传感器的温敏元件——GsAlAs/GaAs双异质结半导体材料的荧光辐射效率与激励光波长的关系。讨论了温度测量范围及温敏元件GaAlAs层铝含量对激励光源的限制,在0～200℃测温范围内,若采用LED作激励光源,其峰值波长应在0.70～0.76μm之间选择。     

荷兰专家制成最小超导量子干涉仪

不久前，荷兰研究人员制造出目前世界上最小的超导量子干涉仪，可以用来提高未来量子干涉仪显微镜的分辨能力。     

槲皮素-锑(Ⅲ)-Tween-80荧光光度法的研究及其应用

槲皮素与锑Ⅲ形成二元荧光络合物，Ｔｗｅｅｎ－８０对体系有强烈的增敏作用，研究并建立了测定槲皮素的荧光光度法。在０．０１２ｍｏｌ／ＬＨＣｌ介质中，槲皮素浓度在１．２×１０－５ｍｏｌ／Ｌ～２．８８×１０－４ｍｏｌ／Ｌ范围内与荧光强度呈线性关系，检出限为１．５×１０－５ｍｏｌ／Ｌ。该法用于地锦草中槲皮素的测定，结果满意。     

荧光猝灭法测定人发中微量锰

异丙肾上腺素在pH9.91的伯瑞坦 罗比森缓冲溶液中被MnO-4氧化,导致其荧光强度显著减弱。最大激发及发射波长为278nm和616nm,MnO-4浓度在0.01～0.64mg·L-1范围内,荧光强度与浓度呈良好线性关系。将其用于人发中微量锰的测定,得到满意的结果。     

量子限制效应对多孔硅液相电致发光的影响

着重研究多孔硅在阴极偏压下过硫酸铵溶液中电压调制的电致发光现象 .随阴极偏压的增大 ,电致荧光峰位蓝移 ,荧光强度增大 ,同时发现定电压下 ,发生电致发光随时间的衰减伴随着光谱的红移现象 .通过红外光谱、AFM及电化学等手段对电致发光的电位调制机理及荧光衰减机制进行了研究 ,结果表明电致发光与光致发光具有相同的起源 ,电压选择激发不同粒径的多孔硅 ,而导致了发光峰值能量的电位选择性 .在电致发光过程中 ,强氧化剂向多孔硅注入空穴使其表面氧化导致小粒径的硅晶逐渐被剥落 ,使光谱高能部分首先衰减出现了随时间的电致发光红移现象 .这些结果支持量子限制效应在多孔硅液相电致发光中起着重要作用     

顺十八碳四烯酸荧光探针法研究PPARγ与配体的结合亲和性

蛋白质与小分子结合的研究中,处理单位点结合模型的经典方法在计算解离平衡常数(Kd,Ki)时有缺点;文中推导的两个公式拟解决这个问题.公式直接使用受体总浓度([R]t)、配体总浓度([L]t)和探针分子总浓度([P]t),其适用性不受受体浓度、受体被探针饱和的程度,以及配体活性高低等因素的影响.基于这两个公式使用非线性拟合方法,可以从结合实验求得探针分子的Kd,从竞争实验求得配体的Ki.以CPA为荧光探针,运用推导的公式,则测定了PPARγ和一些配体结合的Ki,并首次报道了PPARγ-LY171883的Ki.     

光氧化反应的研究——Ⅲ.烷基取代的二苯乙烯的电子转移光氧化反应机理

本文研究了由9,10-二氰蒽(DCA)敏化的2-烷基-1,1-二苯乙烯1a—1b(Ph_2C=CHR,R=Me,Et,Pr)的光氧化反应及其机理。反应给出主要产物二苯酮,次要产物为环氧化物及其氢转移重排产物。产物分布特征、量子收率、氧化电位与热力学分析、荧光猝灭的Stern-Volmer关系等结果均表明该反应是通过DCA敏化循环链的电子转移进行的。自由基负离子中间体DCA的电子自旋共振谱的检测亦为上述电子转移反应机理提供了直接证据。因此,在1,1-二苯乙烯双键上引入烷基时,其光氧化反应仍按电子转移机理进行。     

复合氟化物中钐离子价态与基质的相关性

本文通过不同基质中钐离子光谱特征的研究,发现钐离子的存在价态与基质密切相关。讨论了被取代阳离子电荷、半径等化学因素对基质中钐离子价态的影响,利用能带理论建立了基质中变价稀土离子的价态与基质间关系的能带模型。     

人工神经网络X射线荧光光谱法测定钢中酸溶铝

建立了一种人工神经网络-X射线荧光光谱法测定钢中酸溶铝的方法，用X射线荧光光谱法测定低合金钢中总铝值，应用所建立的ANN-BP网络模型，输入总铝含量直接预测出酸溶铝含量。同时使用改进的BP算法，避免了神经网络学习中可能产生的麻痹现象。该方法用于钢中酸溶铝的测定，结果满意。     

新荧光试剂—3—邻甲苯基—5—（2‘—羧基苯偶氮）绕丹宁的荧光性质研究

本文报道新荧光试剂－３－邻甲苯基－５－（２’－羧基苯偶氮）绕丹宁（３ＯＭＲＡＣＰ）的荧光特性，建立了荧光分析测定铜的方法，在ｐＨ５．６时，３ＯＭＲＡＣＰ与铜（Ⅱ）形成螯合物，并在λｅｘ／λｅｍ＝３０８ｎｍ／４０５ｎｍ产生强烈荧光，其荧光强度与铜（Ⅱ）的浓度在０．１～４．０×１０＾－２μｇ／ｇ范围内呈线性关系，检测限达５×１０＾－４μｇ／ｇ。测定了人发中的痕量铜，结果满意。