非简并p型Hg1-xMnxTe单晶(x>0.17)的负磁电阻机理研究

研究磁性半导体中负磁电阻产生机理对正确理解载流子与磁性离子间的sp-d磁交换作用 是非常重要的.通过变温(10---300 K)磁输运和变温(5---300 K)磁化率实验研究了一系列不同Mn含量 非简并p型Hg_1-xMn_xTe单晶(x>0.17)的负磁电阻和顺磁增强效应. 实验结果表明其负磁电阻与温度的关系和磁化率与温度的关系基本一致, 两者都包含一个呈指数型变化的温度函数exp(-K/T).根据磁性半导体的杂质能级理论, 非简并p型Hg_1-xMn_xTe单晶在低磁场范围内出现负磁电阻效应的主要物理机理 为外磁场的磁化效应使得受主杂质或受主型束缚磁极化子的有效电离能减小.     

线性磁性分子离子中由激光诱导的超快自旋转移

通过由激光诱导的Λ进程,很多分子磁性体系中涉及的退磁、 自旋翻转或自旋转移过程在理论上得以实现.本文针对具有线性构型的磁性分子离子, 应用量子化学从头计算与自编程序相结合的方法,实现了具有线性构型的双磁性中心分子体系 [Fe-O-Co]⁺中基于Λ进程的超快自旋转移,且电子占据的转移率达到90%以上. 本文的理论研究结果表明,采用改变磁场方向的方法来增强体系的磁晶各向异性, 可以避免为提高自旋转移能力而额外增加桥接原子在实际应用中的复杂性, 同时也可明显提高电子占据的转移率.     

相分离体系Nd1-xSrxCoO3的亚铁磁行为

研究了Nd1-xSrxCoO3(0.1≤x≤0.5)系列多晶样品在低温时的亚铁磁行为.通过传统的固相反应法合成了Nd1-xSrxCoO3多晶样品,应用物理性质测试系统对样品进行了直流磁化强度、磁滞回线的测试.磁化强度的研究表明,随掺杂量增加,团簇的数目和尺寸都在增加,铁磁性增强.同时,多晶样品在低温时形成亚铁磁序.磁滞回线的研究表明,Nd离子与Co离子之间存在磁性耦合.由于Co与Nd的反平行排列,Nd1-xSrxCoO3体系低温时出现亚铁磁序.     

AlGaN/GaN量子阱中子带的Rashba自旋劈裂和子带间自旋轨道耦合作用研究

首先把本征值方程投影到导带的子空间中, 进而得到AlGaN/GaN量子阱中第一、二子带的Rashba自旋劈裂系数(α ₁, α ₂)和子带间自旋-轨道耦合系数η₁₂. 然后自恰求解薛定谔方程和泊松方程计算了不同栅压的量子阱中的α ₁, α ₂和η₁₂, 并分别讨论了量子阱阱层、左右异质结界面和垒层对它们的贡献. 结果表明可以通过栅压来调节自旋-轨道耦合系数, 子带间自旋轨道耦合系数η₁₂比Rashba自旋劈裂系数α ₁, α ₂小, 但基本在同一数量级.     

支持向量机回归在电子器件易损性评估中的应用

针对现有的以概率统计理论为基础的方法和模糊神经网络法必须建立在大量统计数据基础之上,以及模糊信息扩散估计法可能对器件失效阈值估计过高的问题,提出将模糊信息处理技术用于对原始实验数据的处理,得到训练样本,在此基础上利用支持向量机回归预测一定功率的高功率微波辐照条件下电子器件的损伤概率。仿真结果表明:该方法与模糊神经网络法都较好地给出了预测结果,但该方法具有更高的精度（均方根误差为7.40610-5）,并且克服了在样本数据减半的小样本情况下模糊神经网络法可能出现野值的缺陷。     

量子顺电EuTiO_3材料基态磁性的第一性原理研究

EuTiO_3是钙钛矿结构的量子顺电体,实验发现其基态具有平面各向异性G类反铁磁结构,本文运用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了EuTiO_3处于量子顺电相和应力作用下处于铁电四方相时可能的自旋取向和自旋交换耦合作用,分析了自旋耦合作用的路径,探讨了应力对磁性交换路径的作用,结果发现:当体系自由时,EuTiO_3具有自旋沿[110]方向平面内单轴各向异性的G类反铁磁结构,该结构下Eu离子4f电子自旋通过处于面心位置的O 2p实现自旋反铁磁性的超交换耦合,而在外加应力诱导的铁电四方结构下,由于自旋交换路径中Eu—O—Eu键角改变,Eu 4f电子自旋实现了[110]方向的铁磁交换耦合。     

Manipulation of Persistent Spin Helix States by Weak External Magnetic Fields

We study theoretically the effect of weak external magnetic fields on persistent spin helix states in semi- conductor two-dimensional electron gases with both Rashba and linear-in-momentum Dresselhaus spin-orbit coupling. We show that in the presence of weak external magnetic fields, some basic properties of a persistent spin helix state, including the dispersion relation between the decay time and the magnitude of the wavevector, the maximum decay time and the value of the characteristic magnitude of the wavevector at which the maximum decay time occurs, will all depend sensitively on the directions of applied external magnetic fields.     

Ferromagnetism of V-doped ZnO nanowires

The geometry structures,electronic structures,and magnetic properties of Zn46V2O48 nanowires are studied by density functional theory(DFT) calculations.We find that the ferromagnetic(FM) coupling is more stable for six configurations of Zn46V2O48 nanowires,and is mediated by neighboring O as evidenced from the strong hybridization of V 3d and O 2p states,exhibiting strong spin polarization.The spin polarization is found to be 100% in the Zn46V2O48 nanowires,which confirms that it is a half-metallic ferromagnet and very suitable for the injection of the spin carriers,which shows that Zn46V2O48 nanowire is one of the ideal materials to realize spin electronic devices.At the same time,the magnetic coupling mechanisms of Zn46V2O48 nanowires are analyzed with V 3d and O 2p orbitals and their magnetic moments mainly come from the contributions of the unpaired electrons of V 3d orbitals.The above results provide a theoretical basis for the preparation of 3d transition metal-doped ZnO nanowire materials.     

Modifying optical properties of ZnO nanowires via strain-gradient

We conduct systematical cathodolumiuescence study on red-shift of near-band-edge emission energy in elastic bent ZnO nanowires with diameters within the exciton diffusion length （- 200 nm） in liquid nitrogen temperature （81 K）. By charactering the emission spectra of the nanowires with different; local curvatures, we find a linear relationship between strain-gradient and the red-shift of near-band-edge emission photon energy, an elastic strain-gradient effect in semiconductor similar to the famous flexoelectric effect in liquid crystals. Our results provide a new route to understand the inhomogeneous strain effect on the energy bands and optical properties of semiconductors and should be useful for designing advanced nano-optoelectronic devices.     

导电油墨及其应用技术进展

印刷电子是将传统印刷工艺应用于电子产品制造的新型工艺技术,导电油墨是印刷电子关键材料之一,受到了人们的广泛关注。为了全面了解并把握导电油墨及其应用发展动态,本文结合近年来导电油墨领域文献及研究工作情况,综合分析了导电油墨的分类、构成以及其印刷工艺技术和印刷装备情况,指出导电油墨的主要发展方向在于既要开发新型功能材料（如碳纳米管、石墨烯等）在导电油墨中的应用技术,又要提高印刷成膜后导电材料间的互联性能,解决印刷电路与其它器件间的连线问题。