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91.
化合物1,2,4和5与苯硫酚钠盐在二甲亚砜中反应,得到硝基被苯硫基取代的化合物和二苯基二硫化物.反应液用ESR检测,观察到化合物1,2,3和4自由基负离子的ESR信号.用自旋捕获(Spin trapping)技术得到苯硫基自由基PhS·与自由基捕获剂亚硝基叔丁烷(TNB)的加成物t-BuN(O)SPh,由ESR谱证实,表明在反应过程中有苯硫基自由基PhS·生成.提出自由基IPSO亲核取代反应机理.  相似文献   
92.
长余辉发光玻璃SrAl2O4∶Dy, Eu的制备与发光性能研究   总被引:7,自引:2,他引:7  
在低熔点破璃中掺杂一定量的长余辉发光粉制备了性能优良的长余辉发光玻璃。在保证发光玻璃均匀透明的基础上,发光性能随发光粉掺杂量的增加而增强,尽量降低假烧温度和减少保温时间可以保持良好的发光性能,在还原气氛制备的发光玻璃性能优于在空气中制备的。煅烧工艺对发光玻璃的微观结构有显著的影响。  相似文献   
93.
本文用APCCSD(T),自旋投影方法消除CCSD中的自旋混杂,自旋投影算符^P用自旋湮灭算符^As 1和^As 2的乘积近似表出,提高了计算精度。  相似文献   
94.
95.
用自旋-晶格弛豫时间(T1)研究了溶胀的交联聚丙烯酰胺-丙烯酸网络和线型聚苯乙烯溶液中质子的弛豫行为。交联网络中,随着交联度增大,T1CH/T1CH2的值由1.17逐渐趋近于1;而线型聚苯乙烯溶液中,T1CH/T1CH2的值由最稀浓度下的1.7过渡到1。说明在交联网络中,交联度很低时,链段的运动已经相当受约束;但交联度很大时,充分溶胀的交联网络中链段运动仍有一定自由度。而在线型高分子浓溶液中,链段的运动严重受阻,导致自旋扩散效应非常完全,彻底平均掉了各质子间T1时间的差异。  相似文献   
96.
用两种方法合成长余辉发光玻璃的对比研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
在还原性气氛下高温固相反应法(一步法)合成了长余辉发光玻璃GA;用SrAl2O4:Eu,Dy荧光粉(SAED)与玻璃粉混合高温熔融(二步法)合成了长余辉发光玻璃GB和GC,通过XRD,发光光谱和磷光衰减曲线对样品进行了表征,荧光粉SAED和玻璃GA,GB,GC的发射峰值依次是525,493。462,516nm,发光强度和余辉时间都是SAED>GC>GB>GA,玻璃的发射光谱峰随玻璃组成不同发生位移,两种发生合成的夜光玻璃发光性质存在明显的差异,同一合成方法下,玻璃基料决定着玻璃网络结构,同时也影响着夜光玻璃的发光性质。  相似文献   
97.
镧系乙酰丙酮-5,10,15,20-四(4-吡啶基 )卟啉配合物   总被引:1,自引:0,他引:1  
制备了乙酰丙酮-5,10,15,20-四(4-吡啶基)卟啉稀土配合物Ln(TPyP)acac[In:Dy,Ho,Yb,Lu;H~2TPyP:5,10,15,20-四(4-吡啶基)卟啉;Hacac:乙酰丙酮].配合物由一 个中心稀土离子,一个乙酰丙酮和一个四(4-吡啶基)卟啉组成,乙酰丙酮以氧双卤配位,卟啉以氮四卤配位,因此配合物有六配位的结构.  相似文献   
98.
针对以往电子俘获光存储材料存在的问题,利用高温固相反应发制备了一种Eu^2 掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷,研究表明在该材料中具有光激励发光(PSL)特性,并可用于电子俘获光存储。XRD分析表明该材料含有大量的BaF2微晶。根据其与BaF2相似的发光特性,推断玻璃陶瓷的PSL有可能来源于微晶中Eu^2 的5d-4f发射。但是决定光激励发光过程中的电子(空穴)陷阱的存在方式、电子迁移途径都有待进一步探讨的问题。与传统的BaFCl:Eu相比,这种材料的光激励发光衰减速度较慢。  相似文献   
99.
在对自旋捕捉技术发展简单回顾的基础上,着重评述近十年来自旋捕捉剂的合成,结构与性能关系以及自旋捕捉-=ESR技术应用的研究状况,并讨论了自旋捕捉剂的合成设计和发展前景。  相似文献   
100.
利用商品化ITO玻璃导电层的温阻效应, 无需任何微加工手段, 实现了自加热和传感的芯片温度自动程序控制, 最大程度地减小了传感滞后对温度控制稳定性的影响, 温度控制的稳定性达到了0.2 ℃, 升温速度最快可达20 ℃/s以上, 在冷却风扇辅助下降温速度最快达到了8 ℃/s. 芯片温控单元的引线从传统的两对(一对用于传感, 一对用于加热)减少为一对. 通过在该芯片上直接构建多个开放微池反应器的方法成功地实现了λDNA 157 bp片段的并行扩增. 将该芯片置于倒置荧光显微镜样品台上, 以蓝色(575 nm)发光二极管为光源, 以光电倍增管为检测手段检测了dsDNA和SYBR Green Ⅰ嵌合物的荧光强度随温度的实时变化曲线.  相似文献   
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