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991.
992.
N-soliton solutions of the hierarchy of non-isospectral mKdV equation with self-consistent sources and the hierarchy of non-isospectral sine-Gordon equation with self-consistent sources are obtained via the inverse scattering transform. 相似文献
993.
We propose a method to construct the integrable Rosochatius deformations for an integrable couplings equations hierarchy. As applications, the integrable Rosochatius deformations of the coupled CKdV hierarchy with self-consistent sources and its Lax representation are presented. 相似文献
994.
Bulk工艺气体微网探测器的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
In this paper, we present a study of a micromegas detector prototype built with bulk technology. Following a short discussion of the micromegas detector's structure and working mechanism, the bulk fabrication process is described, and some testing results of the prototype are presented. 相似文献
995.
Effect of Annealing on Microstructure and Electrical Characteristics of Doped Poly (3-Hexylthiophene) Films
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The effect of annealing on the microstructure and electrical characteristics of poly (3-hexylthiophene) (P3HT) films doped with very small amounts of the electron acceptor 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4-TCNQ) is studied. X-ray diffraction and UV-vis spectrum studies show that unlike the pure P3HT film, the thermal treatment on the doped fihns under an Ar atmosphere can effectively enhance the crystalline order of P3HT films, as well as successfully facilitate the orientation of the polymer chains. This improvement is attributed to the electrostatic force between P3HT and F4-TCNQ molecules. This force induces the polymer chains to crystallize and orient during the annealing process. As a result, annealing significantly improves performance, especially for the Ion/Ioff ratio of the TFTs based on the doped P3HT films. 相似文献
996.
Using self-consistent calculations of million-atom SchrSdinger-Poisson equations, we investigate the I-V characteristics of tunnelling and ballistic transport of nanometer metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFET) based on a full 3-D quantum mechanical simulation under nonequilibtium condition. Atomistic empirical pseudopotentials are used to describe the device Hamiltonian and the underlying bulk band structure. We find that the ballistic transport dominates the I-V characteristics, whereas the effects of tunnelling cannot be neglected with the maximal value up to 0.8mA/μm when the channel length of MOSFET scales down to 25 nm. The effects of tunnelling transport lower the threshold voltage Vt. The ballistic current based on fully 3-D quantum mechanical simulation is relatively large and has small on-off ratio compared with results derived from the calculation methods of Luo et al. 相似文献
997.
不同于传统的晶体,准晶由非单一的结构单元以一种非重复的方式铺满空间而构成.准晶的形成依赖于短程序和长程序之间微妙的协同,因此准晶常常只在很窄的参数窗口内能得到.近年来,人们利用纳米以至微米级的结构单元,通过溶液中自组装或者在模板上生长,成功地获得了多种大尺寸结构单元的准晶结构.近年的研究还发现,在自然界的矿物中和中世纪伊斯兰建筑装饰上都能找到准晶结构.对准晶结构的多角度、多学科探索,有助于实现准晶的人工设计和生长. 相似文献
998.
研究了带有源项的广义Chaplygin气体磁流体Euler方程组Riemann解的极限.由于非齐次项的影响,带有源项的广义Chaplygin气体磁流体Euler方程组Riemann解不再是自相似的.当压力和磁感强度同时消失时,它的解会收敛到零压流输运方程组的Riemann解,解中会出现δ-激波和真空现象.同时研究还得到了仅当磁感强度消失时,它的解会收敛到非齐次广义Chaplygin气体Euler方程组的Riemann解,并且解中只出现δ-激波. 相似文献
999.
针对传统板形模式识别方法存在精度低、鲁棒性弱的问题,提出了一种混合优化RBF-BP组合神经网络板形模式识别方法。首先利用自组织映射网络(SOM)对样本聚类,利用聚类后的网络拓扑结构确定RBF的中心,并计算RBF的宽度,克服了传统聚类算法随机选取中心导致聚类结果不稳定的问题。然后利用遗传算法(GA)良好的全局搜索能力优化整个网络的权值。RBF-BP组合神经网络是由一个RBF子网和一BP子网串联构成的,该网络同时具备BP神经网络能较好地预测未知样本的能力以及RBF神经网络的逼近速度快的优点。并以某900HC可逆冷轧机板形识别为应用背景,在MATLAB2010a环境下进行仿真实验,结果表明混合优化RBF-BP组合神经网络的板形模式识别方法能够识别出常见的板形缺陷,提高了板形缺陷识别精度并具有较好的鲁棒性,可以满足板带轧机高精度的板形控制要求。 相似文献
1000.
基于批量-均值法的思想,向量自回归(VAR)控制图对多变量自相关过程的较小偏移可以进行有效控制。为了提高多变量自相关过程监控效率,本文研究可变抽样区间的VAR控制图。首先,对多变量自相关过程的VAR控制图进行可变抽样区间设计;然后,用蒙特卡洛模拟方法计算其平均报警时间;最后,以平均报警时间为评价准则,对所设计的可变抽样区间VAR控制图与固定抽样区间的VAR控制图进行比较研究。研究结果表明:所设计的可变抽样区间多变量自相关过程VAR控制图较固定抽样区间的多变量自相关过程VAR控制图能更好的监控过程的变化。 相似文献