铁磁/有机半导体/铁磁系统的电流自旋极化性质研究

根据有机半导体中的电流自旋极化注入和输运实验现象，理论上研究了铁磁/有机半导体/铁磁系统的电流自旋极化性质.考虑到有机半导体的具体特性，从自旋扩散理论和欧姆定律出发，得到了系统的电流自旋极化率.假设自旋极化子和不带自旋的双极化子为有机半导体中的载流子.通过计算发现，极化子为实现有机半导体中电流极化注入和输运的有效自旋载流子，即使它只占总载流子很少一部分.还进一步研究了自旋相关界面电阻和电导率匹配以及有机半导体长度等因素对系统电流自旋极化的影响. 关键词： 自旋电子学 自旋注入 有机半导体 极化子     

Spectra and Spin Polarization of the Valence Band Auger Emission from Cr （100） Surface

Calculations have been carried out on spin-polarized Auger electron emission from a seven-layer chromium (lO0)-film. The core and valence states concerning the Auger transition are obtained from a self-consistent full-potential linearized augmented plane wave calculation by using a repeated slab geometry. The calculations refer to experiments on the L3M23 V- and L3 VV-transRions that have recently been carried out by Heinzmann et al. The Auger spectrum obtained for the L3VV transition agrees relatively well with our calculations, whereas the observed L3M23V-Auger structure is considerably wider than that predicted by our theory. Nevertheless, the spin-polarization in the latter case, which is about -13%, is in fair agreement with the experiment, different from the L3VV-transition where the experiment yields -10% as opposed to the theoretical value of -25%. We give possible reasons for the origin of these discrepancies.     

AlxGa1-xN/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响

通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,研究了Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气性质的影响,给出了AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气分布和面密度,导带能带偏移以及子带中电子分布随AlxGa1-xN势垒层中Al组分的变化关系,并用AlxGa1-xN/GaN异质结构自发极化与压电极化机理和能带偏移对结果进行讨论分析.     

Mid-IR dual-wavelength difference frequency generation in uniform grating PPLN using index dispersion control

A novel widely tunable dual-wavelength mid-IR difference frequency generation （DFG） scheme with uniform grating periodically poled lithium niobate （PPLN） is presented in this paper. By using the temperature-dependent dispersion property of PPLN, the quasi-phase matching （QPM） peak for the pump may evolve into two separate ones and the wavelength spacing between them increases with the decrease of the crystal temperature. Such two pump QPM peaks may allow simultaneous dual-wavelength mid-IR laser radiations while properly setting the two fundamental pump wavelengths. With this scheme, mid-IR dual-wavelength laser radiations at around 3.228 and 3.548, 3.114 and 3.661, and 3.019 and 3.76 μm, are experimentally achieved for the crystal temperatures of 90, 65, and 30 ℃, respectively, based on the fiber laser fundamental lights.     

All-optical broadcast and multicast technologies based on PPLN waveguide

All-optical 1 ×4 broadcast and 1 ×3 multicast experiments of a 40-Gb/s return-to-zero on-off keying （RZ- OOK） signal based on a periodically poled lithium niobate （PPLN） waveguide are demonstrated in this letter. Clear opened eye diagrams and error-free performance are achieved for the broadcast signals at 1541.3, 1543.7, 1548.5, and 1550.9 nm. Multicast technology uses cascaded second-harmonic generation and difference-frequency generation in a Ti：PPLN waveguide. An error-free operation with a negligible power penalty is achieved for the three wavelength-division multiplexing multicast signals at 1533, 1537, and 1541 nm.     

受激Raman谱中的宏观极化干涉

研究了Rb⁸⁵原子蒸气D1线系统中的受激Raman增益与损耗现象. 实验中观察到 随着抽运光失谐量的增大, 受激Raman谱明显地呈现出一个从增益到损耗的陡峭转变. 从缀饰态模型出发, 我们提出这是对探测光有相反贡献的不同速度原子群之间极化干涉的结果. 关键词： 受激Raman谱 电磁感应透明 极化干涉     

GaAs薄膜的有效量子限制长度及其极化子特性

本文用分数维方法研究Al_xGa_1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子特性, 提出了确定GaAs薄膜的有效量子限制长度的一个新方法, 解决了原来方法中在衬底势垒处有效量子限制长度发散的困难, 得到了Al_xGa_1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子的维数和结合能. 关键词： 分数维方法 极化子 GaAs薄膜     

基于互补屏的极化分离结构设计研究

以互补频率选择表面 (CFSS)结构的强耦合作用为基础, 设计一种具有极化分离作用的频率选择表面 (PSS), 当容性表面与感性表面沿周期排布方向具有横向位移时, CFSS成为具有TM带通、TE带阻的极化分离结构. 建立等效电路模型分析PSS结构极化分离原理, 采用耦合积分方程法计算极化分离结构的传输特性以及容性表面和感性表面的电场分布. 理论分析与实验测试结果均表明: PSS具有良好的极化分离特性和角度稳定性, 为极化波产生器和极化分离结构的设计提供借鉴. 关键词： 频率选择表面 极化选择 互补屏频率选择表面     

近地面三阵子天线估计电磁波到达角和极化参数

从自由空间中的三阵子天线求入射电磁波极角和方位角的基本原理出发, 结合电场各个分量与极化方式之间的关系给出了左手极化波计算波达角的公式, 及地球表面上方三阵子天线判断入射波极化方向的方法; 本文提出了一种新颖的滤除地面反射波的方法, 保证了波达角的求解精度; 利用获得的高精度的波达角和测得的电场强度, 计算出了电磁波的各种极化参数, 这些极化参数可以作为电离层研究和电磁波在电离层中传播研究的参考. 关键词： 地球表面 三阵子天线 波达角 极化参数     

BN链掺杂的石墨烯纳米带的电学及磁学特性

基于密度泛函理论第一性原理系统研究了BN链掺杂石墨烯纳米带(GNRs)的电学及磁学特性, 对锯齿型石墨烯纳米带(ZGNRs)分非磁态(NM)、反铁磁态(AFM)及铁磁性(FM)三种情况分别进行考虑. 重点研究了单个BN链掺杂的位置效应. 计算发现: BN链掺杂扶手椅型石墨烯纳米带(AGNRs) 能使带隙增加, 不同位置的掺杂, 能使其成为带隙丰富的半导体. BN链掺杂非磁态ZGNR的不同位置, 其金属性均降低, 并能出现准金属的情况; BN链掺杂反铁磁态ZGNR, 能使其从半导体变为金属或半金属(half-metal), 这取决于掺杂的位置; BN链掺杂铁磁态ZGNR, 其金属性保持不变, 与掺杂位置无关. 这些结果表明: BN链掺杂能有效调控石墨烯纳米带的电子结构, 并形成丰富的电学及磁学特性, 这对于发展各种类型的石墨烯基纳米电子器件有重要意义. 关键词： 石墨烯纳米带 BN链掺杂 输运性质 自旋极化