In Situ Observation of Skeletal Shape Transition during BaB2O4 Crystal Growth in High-Temperature Solution

The transition from a fiat solid-liquid interface to a skeletal shape during BaB2O4 （BBO） single crystal growth in Li2B4O7 flux is observed in real time by an optical high-temperature in-situ observation system. The movement of crystal step is also investigated. The observation results demonstrate that the steps propagate along and parallel to the fiat interface when the crystal size is small. Nevertheless, they will ‘bend＇ close to the face centre if the crystal size becomes greater. Atomic force microscopy reveals that more deposition places near the face centre give rise to the bending of advancing steps and thus the formation of a vicinal interface structure. Measurements of step velocity show that the velocity keeps nearly constant at different moments for one specific step, whereas the step on a newly formed layer advanced faster than that on a previously formed one when the crystal size is larger than 210μm or so. Thus interracial morphological instability occurs and a skeletal interface is obtained.     

采用热处理方法提高MEH-PPV单层聚合物有机发光二极管发光性能的研究

对以MEH－PPV为发光层的单层聚合物有机发光二极管（OLED）器件在最佳条件下进行真空热处理，并用金相显微镜观察施加电压后器件的阴极表面形貌。发现处理后的器件阴极表面的气泡及黑斑明显减少。器件的发光性能显著提高。与未经处理的器件相比，最大相对发光强度提高了一个数量级、启亮电压降低了2．0V，半寿命提高了12．7倍。初步分析表明热处理方法提高器件发光性能的主要原因在于有效地减少了器件在工作过程中由于焦耳热产生的某些气体，从而减少阴极表面气泡及黑斑的出现，另一方面，热处理方法也增强了有机发光层与阴极接触界面的结合力，提高电子注入水平。     

半导体异质结界面能带排列的实验研究

本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。     

示差半微分循环伏安法研究琥珀酰胆碱在水/硝基苯界面的传递行为

研究了油/水界面电解的示差半微分循环伏安行为。在0.01mol/L LiCl(w)-0.01mol/L TBATCIPB(nb)体系“电位窗”比TBATPB(nb)向正方向扩展约50mV,残余电流基本消除,使“电位窗”内的平台向左右拓宽约50mV。算得界面电容约为16μF/cm~2。考察了琥珀酰胆碱离子在w/nb界面的传递伏安特性,结果与一般半微分循环伏安法相似。但峰形改善,检测限降低一个数量级(1×10~(-6)mol/L),相对标准偏差在5％以内,可用于定量测定琥珀酰胆碱。     

离子束引起的在Al／Cr双层薄膜界面处的原子混合

用600keV的Kr~ 离子轰击Al/Cr双层薄膜样品进行界面原子反应及相互混合的研究。实验样品是在单晶硅上蒸镀约500nm厚的铝膜,相继再蒸上所需厚度的铬膜而制成的。轰击剂量为2.0×10~(15)-2.5×10~(16)Kr~ /cm~2。用2.0MeVa粒子对轰击前后的样品进行了卢瑟福背散射(RBS)分析,发现界面处有明显的原子混合存在;当轰击剂量≥1.0×10~(16)Kr~ /cm~2时,RBS谱出现有明显的坪台,经拟合计算和x射线衍射(XRD)测量证实确有化合物Al_(13)Cr_2存在;还分别得到了原子混合量及混合效率与轰击剂量的关系;最后对界面处的原子混合机制进行了讨论。     

电爆炸箔断路开关的理论和实验研究

电感储能型脉冲功率调制器中的一个关键部件是断路开关。电爆炸金属丝（箔）断路开关是使用最广泛的一种。为了给今后开展更高功率断路开关研究奠定基础，开展了电爆炸箔断路开关的理论和实验研究。     

等厚双层涂层材料受集中力作用的平面问题理论解

界面应力的正确评价是分析薄膜涂层材料力学特性的难题之一。利用镜像点法和Dirichlet等值性原理，本文推导了等厚双层薄膜涂层材料受表面集中力作用的平面问题理论解。该显式理论解是以固定在各镜像点上的局部坐标系下的Goursat应力函数的形式给出的。对应于高阶镜像点的应力函数，可通过递推的方法，从对应于低阶镜像点的应力函数求得，而且也易于计算机编程。随着镜像点阶数的增大，它与界面的距离也越来越大，因而相对应的应力函数对界面应力的影响越来越小。最后的算例表明，只需考虑前面有限个镜像点，便可获得足够精度的解。该理论解可作为格林函数，以求解复杂问题的理论解，也可用作边界元法的基本解，提高数值计算的精度和效率。     

轴线起爆式螺线管型爆磁压缩发生器理论模型

 对轴线起爆式螺线管型爆磁压缩发生器进行了理论模型研究，建立了爆炸管的一维爆轰驱动模型、螺线管内空间磁场强度分布模型、爆炸管外表面磁压力模型和发生器系统的等效电路模型等，对此类发生器的物理过程进行系统描述。在此基础上，编制了相应的零维数值模拟程序CEMG 1.0，利用该程序分别对四种不同模型参数的发生器进行了理论计算和参数优化，并对其中一模型发生器爆炸管外表面的磁压力及其引起的剩余电感进行了计算，给出了剩余电感与初始输入条件及负载电感的关系，从而得到该模型的输出性能极限。对理论模型的正确性进行了实例验算证明。     

IPv4/IPv6翻译网关的研究

In this paper, a model of translation gateway is proposed. The communications between IPv4 network and IPv6 network are realized by using the Microsoft intermediate driver technology in environment of Windows 2000.     

Vapour Recoil Effect on a Vapour Liquid System with a Deformable Interface

A new two-sided model of vapour-liquid layer system with a deformable interface is proposed. In this model, the vapour recoil effect on the Marangoni-Bénard instability of a thin evaporating liquid layer can be examined only when the interface deflexion is considered. The instability of a liquid layer undergoing steady evaporation induced by the coupling of vapour recoil effect and the Marangoni effect is analysed using a linear stability theory. We modify and develop the Chebyshev-Tau method to solve the instability problem of a deformable interface system by introducing a new equation at interface boundary. New instability behaviour of the system has been found and the self-amplification mechanism between the evaporation flux and the interface deflexion is discussed.