在ILC上用γγ→Z过程检验非对易时空标度

讨论关于在ILC用γγ到Z过程检验非对易时空能标(原文发在hep-ph/0604115). 在通常时空量子场论中, 由杨氏定理可知一个自旋为1的粒子不可能衰变为两个光子. 但在非对易时空中此过程是允许的. 因此这个过程能作为检验非对易时空的工具. ILC的光子对撞模式能实现这个过程. 如果总亮度能达到500fb^－1, 我们证明对Gamma (Z to gamma gamma)宽度的测量精度将比现有限制(<5.2×10^－5GeV)好3—4个数量级. 对非对易时空能标的检测可高达几个TeV.     

对合的分解

Using the notion of biconnected sum we define the biconnected sum (T₁, M₁)§(T₂,M₂) of two involutions (T1M1) and (T2,M2) which is an involution on the biconnected sum M₁,§M₂. A connected involution is said to be reducible if it can be expressed as a biconnected sum of two connected involutions.Theorem Each connected involution (T, M) can be decomposed into a bi-connected sum of connected irreducible involutions (T, M)=(T₁, M₁)§…§(T_q,M_q),and (?) where the coefficients of H_{n_1}(M) are in Z/2 Z if M is unoriented, in Z if is oriented .     

置换环上的稳定矩阵

本文证明了置换环上的正则稳定矩阵是幂等矩阵和可逆矩阵的积,进一步证明了置换环上的正则稳定矩阵可以对角化。     

High—Efficiency Organic Double—Quantum—Well Light—Emitting Devices Using 5,6,11,12—Tetraphenylnaphthacene Sub—monolayer as Potential Well

The double-quantum-well organic light-emitting devices of indium-tin-oxide (ITO)/NPB (50nm)/rubrene (0.05nm)/NPB (4nm)/rubrene (0.05nm)/Alq3 (50nm)/LiF (0.5nm)/Al were fabricated, in which N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N‘-diphenyl-1,1‘-biphenyl-4,4‘‘‘‘‘‘‘‘-diamine (NPB) is used as a barrier potential or hole transport layer, tris (8-hydroxyquinoline) aluminium (Alq3) used as electron transport layer, and 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene (rubrene) as a potential well and emitter. The brightness can reach 18610cd/m^2 at 13V. The maximum electroluminescent efficiency of the device was 6.61cd/A at 7V, which was higher than that of common dope-type devices. In addition, the electroluminescence efficiency is relatively independent of the drive voltage in the range from 5 to 13V.     

ECR-SFC轴向注入系统聚束器效率的研究

为了减少目前SFC轴向注入系统中聚束器杂散电场对束流轴向注入效率的影响, 提高新系统中SFC的束流俘获效率, 参考原始设计, 对目前聚束器的电极结构进行了设计改进. 两种情况下的聚束器杂散场对注入效率影响的计算表明, 改进后0B02的聚束效率较目前有较大提高. 同时计算了束流空间电荷效应对聚束效率的影响, 据此对新SFC轴向注入系统中聚束器的位置进行了重新调整.     

PPG侧链修饰聚酰亚胺的制备与表征

以可溶性聚酰亚胺为反应底物，经氯甲基化反应制得氯甲基化聚酰亚胺，再以氯甲基为活性反应中心，在聚酰亚胺侧链上接枝聚丙二醇单丁醚（PPG），从而得到PPG侧链修饰聚酰亚胺．所制备的产物结构经红外光谱和核磁共振氢谱得以证实．介电常数及吸附脱附测试结果表明：经过大体积侧链PPG修饰后，聚合物的介电常数明显降低，由3．147降低至2．976；比体积和比表面积增大．同时，所制得的聚合物具有优良的溶解性能，在微电子工业中易于加工应用．     

SD对壳模型: 偶偶Pt核低激发态性质

利用SD对壳模型讨论了偶偶Pt核低激发态的集体性质. 结果发现在该模型下, 利用一个仅含有3个参数的哈密顿量, 可以很好地再现偶偶Pt核低激发谱的集体性质.     

利用г—X混合在AlAs／GaAs异质结构实现光生电子、空穴对的持久存储

利用GaAs量子阱中г谷束缚态与AlAs层中X谷束缚态在异质结界面处的共振г-X混合，使得光生电子不仅在实空间而且在K窨 与光生空穴分离开来，从而在结构中形成了持久的电荷极化。这一效应已被C-V特性上所观察到的电容阶跃和正反扫描时所出现的双稳滞迟现象所证实。如果将我们的器件用作光存储单元，预期可以获得很长的存储时间Ts。同时，由于г-X混合隧穿速率很快，光子“读出”仍可以保持很快。     

聚偏氟乙烯辐射效应的研究——II.晶区辐射损伤点的研究

研究了聚偏氟乙烯 (PVDF)晶体结构与辐射效应的关系 .利用不同的热处理条件 ,获得了 7种不同规整性、不同结晶度的样品 ;通过对其辐射效应的研究 ,探讨了材料结晶区和晶区内不同部位的辐射效应以及这些不同的结构对材料辐射效应的影响 .使用示差扫描量热分析 (DSC)测量样品零熵产生相变温度、结晶度等随吸收剂量的改变 ,以及不同退火条件样品的辐射效应 .讨论了PVDF样品晶体辐射损伤与样品结构的关系 .利用电子自旋共振谱仪 (ESR)测量不同辐照后样品残余自由基的浓度及这些残余自由基加热条件下的不同命运 .结合DSC分析及X射线衍射分析得到晶体辐射损伤是从晶体表面折叠圈区和晶体茎杆内部缺陷区同时开始的结论