阵列馈源偏置抛物面天线合成高功率微波的研究

 运用物理光学分析方法，对使用7单元的扇形喇叭一维阵列和角锥喇叭或圆锥喇叭三角形阵列喇叭束作为单偏置抛物面天线的馈源，空间合成高功率微波进行了比较研究，数值分析表明在阵元输入功率、口面最大场强、天线口径、净空间及天线边缘照度相同,且阵列馈源具有准轴对称主瓣条件下，扇形喇叭构成的一维阵列馈源与单偏置抛物面组成的天线系统的方向性系数和溢出效率优于采用角锥喇叭三角形阵列馈源或圆锥喇叭三角形阵列馈源的天线系统。若将喇叭束直接作为辐射天线使用，由于圆锥喇叭三角形阵列方向性系数对阵元间相位波动的稳定性较好，而更具优势。     

弱耦合条件下g玻色子效应的重整化

基于Druce等人的方法,提出了一种新的g玻色子效应重整化微扰论方法.对使用此两种方法的前提条件一弱耦合条件,作了考察,并给出了满足前提条件下,两种方法的g玻色子效应的重整化计算结果.对比分析表明,提出的方法克服了Druce等人方法的局限性,对g玻色子效应的考虑更充分.     

考虑液面波动和液体压缩时一侧受液作用悬臂梁的横振分析

本文分析一侧部分受有液体作用悬臂梁的横向自由振动，同时考虑了液面波动和液体可压缩性对悬臂梁自振特性的影响。利用一组广义三角级数的正交完备性，求得了悬臂梁与液体耦联振动的振型函数和频率方程的精确解析解，最后给出了几个数值算例。     

IBM4中的强耦合SU(3)极限

将IBM推广应用于轻核时收IBM4.本文讨论了其中的下述群链.U(36)U₆(sd)×U₆(ST) SU₃(sd)×SU₃(S)×SU₃(T) SU₃(sdS)×SU₃(T)× O₃(J)× O₃(T)的约化、典型能说与E2跃迁,并用它对sd壳的核基态进行了分类.     

红外焦平面技术的重要进展—单片式SiGe红外焦平面阵列的物理基础和关键技

由ＳｉＧｅ合金与Ｓｉ构成的应变层异质结构、量子阱是８０年代中期发展起来的一种新型半导体材料。本文着重讨论了单片式ＳｉＧｅ红外焦平面阵列的物理基础、高质量ＳｉＧｅ材料的制备以及低温ＳｉＧｅ器件研制中的几个关键技术。     

用等效电路求完全耦合互感电路的暂态过程

本文利用全耦合电路的等效电路和等效电源定理求解完全耦合互感电路的暂态过程，所得结果与其它文献相同。     

光学微球腔谐振模式研究

使用时域有限差分法对近场耦合状态下的光学微腔进行了计算。系统地研究了微腔中不同阶径向模式的各方面性能的差异。并在此基础上讨论了通过改变耦合参数，选择性增强特定模式的途径。研究了数种非均匀介质微腔的性能改变，指出选择性增强特定模式，可以通过以下两类方法：一是对于均匀介质分布的微腔，通过改变耦合参数来改变修逝波场的场强和相位分布，例如改变入射波的入射角，改变耦合间距。二是通过区域性改变微腔的折射率分布来改变微腔的修逝波场的场强和相位分布，如折射率改变（△n）折射率梯度（dn/dr）。探讨选择性抑制高阶模形成改善微腔性能的途径。使得基模获得到高能量密度，和更低的模式体积为研究原子或离子与微腔的相互作用提供更好的环境。     

出口镁质耐火材料的ICP-AES测定

本文采用和LI2B4O7熔样、MgO基体匹配、ICP－AES法同时测定出口镁质耐火材料的主要成分及杂质元素。RSD＜2．7％，加标回收率为97．6％。方法快速、简便，结果准确。     

电感耦合等离子体原子发射光谱法直接测定高纯氧化铈中14个稀土杂质的研究

本文研究了电感耦合等离子体原子发射光谱直接测定99.95%氧化铈中14种稀土杂质的方法。讨论了基体线和光带对分析线的干扰及扣除、并加入70％乙醇提高灵敏度,方法简单,再现性好,准确度高,得到了满意的结果。