紫外超短脉冲激光放大过程中脉宽压缩的方案设计

采用放电泵浦KrF准分子激光放大器放大波长为248.4 nm的紫外超短脉冲激光。对于能量为0.7 mJ、脉宽为550 fs的输入脉冲,在光束直径保持10 mm不变的条件下,能量放大到15 mJ,脉宽展宽到1 200 fs。为了压缩输出脉冲宽度,分析了群速度色散和自相位调制效应对脉宽展宽的影响。利用棱镜对,采用4种不同的实验方案对脉冲引入负的线性频率啁啾,以补偿KrF准分子激光放大器CaF2窗镜中的群速度色散和自相位调制对脉冲引入的正的线性频率啁啾。结果表明：在放大器之前放置棱镜对的方式可以在保持输出脉冲能量为15 mJ的同时,在棱镜对间距为110 cm的条件下,将输出脉冲宽度压缩到370 fs,输出波长为248.4 nm、带宽为0.4 nm。     

半导体量子点结构的特性及力学研究进展

量子点结构具有独特而优异的光学和电学等性能, 是当前国际研究的热点问题之一.量子点异质结构中的弹性场会对量子点结构的制备、加工及其光学和电学等物理性能产生重要影响. 本文以此为背景, 从低维量子限制系统所遵循的量子力学规律及其特点、半导体量子点的物理性能及表征、半导体量子点制备技术等方面较为全面地介绍半导体量子点结构的研究进展, 并着重介绍在半导体量子点结构的力学研究方面以及力学性能与物理性能耦合研究等方面的一些研究结果.      

0.6-eV bandgap In0.69Ga0.31As thermophotovoltaic devices with compositionally undulating step-graded InAsyP1-y buffers

Single-junction,lattice-mismatched In0.69Ga0.31As thermophotovoltaic(TPV) devices each with a bandgap of 0.6 eV are grown on InP substrate by metal-organic chemical vapour deposition(MOCVD).Compositionally undulating stepgraded InAsyP1-y buffer layers with a lattice mismatch of ～1.2% are used to mitigate the effect of lattice mismatch between the device layers and the InP substrate.With an optimized buffer thickness,the In0.69Ga0.31As active layers grown on the buffer display a high crystal quality with no measurable tetragonal distortion.High-performance single-junction devices are demonstrated,with an open-circuit voltage of 0.215 V and a photovoltaic conversion efficiency of 6.9% at a short-circuit current density of 47.6 mA/cm2,which are measured under the standard solar simulator of air mass 1.5-global(AM 1.5 G).     

InGaAsP／InP异质结构材料组分,结构的准确测定与综合分析

采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构金属有机化学蒸发沉积（ＭＯＣＶＤ）外延晶片作了表面元素组分定性、定量和深度分布分析。将其组分定量数据代入带隙经验公式，发现带隙的计算与用光压谱（ＰＶＳ）实验值十分吻合；但是代入晶体常数经验计算公式计算得到的失配率与由Ｘ射线双晶衍射（ＤＣＤ）测定的失配率却有明显差别。抽检的两个外延晶片的ＸＰＳ元素分析和元素的深度分布分析，以对比的方式展示两者元素的组成、化学状态在其表面和沿着深度方向的变化及其差异，由此得到的有关片子质量的正确判断，有力地证明了ＸＰＳ是研究ＭＯＣＶＤ外延膜材料的得力工具。     

光能够走多慢?——极慢光速研究若干进展

首先介绍了光波群速度，介质的色散性质，电磁感应透明技术等基本概念和理论，对国外极慢光速研究的进展情况做了概括性介绍，并就几个主要实验及结果进行了较为详细的描述，其中包括L.V.Hau小组于1999年完成的“光速每秒17m”实验和D.F.Phillips小组于2001年发表的“在原子气中储存光”实验，文章最后就极慢光速研究在科学和应用两方面的意义及价值进行了讨论。     

三维光存储中折射率失配引起的球差补偿

为实现三维光存储中折射率失配引起的球差补偿,建立了光学存储系统模型,获得了折射率失配引起的波前偏差函数与存储深度的表达式.采用泽尔尼克循环多项式对波前偏差函数进行补偿展开.在双光子荧光和单光子共焦荧光读出方式下,均可获得读出荧光强度与存储深度的关系:在折射率失配引起的球差未得到补偿矫正的情况下,存储深度在200μm左右读出荧光强度基本上下降为零;当折射率失配引起的初级球差被补偿矫正后,读出荧光强度随存储深度的下降得到较好改善;当折射率失配引起的二级球差被补偿矫正后,存储深度在1mm内存储点强度随深度基本上没有明显地变化.并且对像差补偿方法进行了具体地分析.     

Dispersion characteristics of nanometer-scaled silicon rib waveguides

<正>We investigate the dispersion properties of nanometer-scaled silicon waveguides with channel and rib cross section around the optical fiber communication wavelength and systematically study their relationship with the key structural parameters of the waveguide.The simulation results show that the introduction of an extra degree of freedom in the rib depth enables the rib waveguide more flexible in engineering the group velocity dispersion(GVD) compared with the channel waveguide.Besides,we get the structural parameters of the waveguides that can realize zero-GVD at 1550 nm.     

晶格失配应力对单晶(BiTm)_3(GaFe)_5O_(12)膜磁畴结构的影响

利用液相外延工艺在钆镓石榴石衬底上制得了单晶(BiTm)_3(GaFe)_5O_(12)膜,研究了晶格失配应力对其磁畴结构的影响.研究发现,生长速率越快,膜的晶格常数越大;晶格失配应力可以在一定范围内调整膜的垂直各向异性;随着晶格失配应力由较大张应力逐渐转变为较大压应力,磁畴形状先由磁泡畴转变成迷宫畴,然后转变为过渡态部分弯曲的条状畴,最终转变为整齐排列的条状畴;失配应力同时对畴宽也有影响,膜受到的失配应力越大,畴宽越大.这一实验研究对基于控制晶格失配应力来调控单晶膜的各向异性和磁畴结构有指导意义.     

耗散紧致格式的频谱特性研究与应用

采用Fourier分析方法,给出线性耗散紧致格式和基于m级Runge-Kutta时间积分方法的全离散格式的频谱特性,并应用五阶耗散紧致格式模拟典型高频波传播和超声速平面Couette流动的特征值问题及其稳定性边值问题,展示耗散紧致差分格式良好的频谱特性.