新型无象差展宽器色散量的光线追迹计算法

对无象差展宽器的结构进行了改进，利用光线追迹法计算出其色散量，分析了展宽结果与展宽器各参量的关系，数值模拟了飞秒脉冲的展宽过程，为该展宽器的优化设计与精细调节提供了依据。     

浅海波导环境失配下的协方差矩阵拟合稳健匹配场声源功率估计

实际浅海波导中环境噪声为相干噪声,最小方差匹配场声源功率估计方法能在相干噪声背景下准确估计声源辐射功率,但该方法受环境不确定性影响较大;此外,由于最小方差匹配场声源功率估计方法使用信号幅度作为中间量估计声源功率,信号幅度估计误差会二次放大并传递到声源功率估计结果中。本文提出一种协方差矩阵拟合稳健最小方差匹配场声源功率估计方法,该方法引入信道传递函数不确定集,结合协方差矩阵拟合思想将声源功率估计问题建模为在信道传递函数不确定集约束下对函数取极值的问题,使用Lagrange乘子法求解该问题得到信道传递函数估计值和声源辐射功率估计值。环境失配影响声源辐射功率估计性能的根本原因在于信道传递函数偏差较大,协方差矩阵拟合稳健匹配场声源功率估计方法有效减小了环境失配时信道传递函数的偏差,从而显著提升环境失配稳健性。此外,该方法使用权值直接估计声源功率,无需使用信号幅度作为中间量,避免了估计误差的传递。仿真验证了协方差矩阵拟合稳健匹配场声源功率估计方法的环境失配稳健性。     

关于物理学中几种速度的含义和理解

本文分析了两类速度定义的实质和物理学中几速度的不同含义,指出了数学中应注意之处,也有助于加深对波粒二角性的理解。     

半导体外延层晶格失配度的计算

比较了晶格失配度的各种定义,建议统一使用同一定义。采用简化模型系统地探讨了各种情况下半导体外延生长层和衬底的二维晶格失配度的计算,最后讨论了结合XRD衍射图谱确定失配度的方法。结果表明,正三角形晶格和长方形晶格匹配,长方形晶格的宽列原子的匹配具有优先性,不受长列原子匹配的影响。长方形的长宽比接近匹配比时,整体匹配较好。     

光强对短脉冲在准周期光学超晶格中传输的影响

 在考虑自相位调制和高阶群速色散的情况下,分析了超短脉冲在准周期Fibonacci超晶格中传输时,入射光强对脉冲传输特性的影响。结果表明：入射光强度对脉冲传输特性影响很大,不但使频谱展宽,而且限制超晶格的有效长度,是超短脉冲进行频率转换的主要考虑因素之一。     

GdBa2Cu3O7超导薄膜在晶格失配的MgO衬底上的生长

我们采用直流磁控溅射快速原位处理的方法,在(100)MgO 衬底上制备了一系列的GdBa_2Cu_3O_7超导薄膜样品.我们发现,在800℃左右的衬底温度下制备的超导薄膜样品,为纯 C 轴垂直膜面生长的外延膜,(005)峰摇摆曲线的半高峰宽△ψ为0.4°—0.5°,但其零电阻转变温度 T_(co)只有84—85K,转变宽度ΔT_c 为1.5—2K.而在670℃左右衬底温度下制备的超导薄膜,有的为纯 c 轴垂直膜面生长的外延膜,有的为 c 轴垂直膜面取向为主,含少量(110)取向和 a 取向,(005)峰摇摆曲线的半高峰宽Δψ为0.6°—0.9°,但其零电阻转变温度 T_(co)达89—91K,转变宽度ΔT_c 为0.6—1K.     

FCC晶体外延薄膜中失配位错形成的动力学条件

运用分子动力学方法对面心立方(FCC)晶体铝外延膜的高温弛豫过程进行了三维计算机模拟.铝原子间的相互作用势采用嵌入原子法(EAM)多体势来计算.模拟结果表现了失配位错的形成现象与动力学条件的关系.分析表明,模拟中所给的动力学条件对薄膜性能有很大的影响.在失配度大小为0.06时,负失配下的铝膜比正失配下的更易于形成失配位错;失配度大小分别为0.05和0.04时,温度低于铝的熔点时不会形成失配位错;温度高于铝的熔点时负失配的铝膜比正失配的更难熔化.研究发现失配位错的形成不仅与失配度的大小和生长的温度有关,而且还与失配度符号有密切关系.     

增强工艺偏差容忍度的带隙基准电压源设计

随着CMOS工艺特征尺寸的减小,带隙基准电压源在制造过程中因器件失配和工艺波动易导致实际输出电压和目标值发生偏离,降低芯片成品率.为此提出将Pelgrom失配模型引入电路设计中,分别从器件参数、电路结构、版图布局三方面对亚微米级的电路进行工艺偏差优化.基于华润上华（CSMC）0.5 μm工艺以及Hspice软件仿真,显示基准源输出电压为1.232 54 V,偏差小于5 mV.流片测试结果表明,应用此设计的三通道LED驱动控制芯片成品率达到96.8%,输出电流达到（18±0.5）mA的芯片占99.6%以上.     

Structural and Photoluminescence Properties for Highly Strain-Compensated InGaAs/InA1As Superlattice ＊

The effects of strain compensation are investigated by using twenty periods of highly strain-compensated InGaAs/InA1As superlattice. The lattice mismatches of individual layers are as high as about 1%, and the thicknesses are close to critical thicknesses. X-ray diffraction measurements show that lattice imperfectness is not serious but still present, though the structural parameters are within the range of theoretical design criteria for structural stability. Rough interfaces and composition fluctuations are the primary causes for lattice imperfecthess. Photoluminescence measurements show the large thermally activated nonradiative recombination in the sample. In addition, the recombination process gradually evolves from exeitonic recombination at lower temperatures to band-to-band recombination at higher temperatures, which should be considered in device applications.     

二倍频晶体温升分布对输出光场分布的影响

利用分步快速傅里叶变换和四阶龙格-库塔法,对具有一定温升分布的倍频晶体的二次谐波转换过程进行了研究。综合考虑了谐波转换过程中的离散、衍射、二阶、三阶非线性等效应,着重讨论了倍频晶体吸收光能后,晶体内温升分布对晶体内o光和e光的折射率分布的影响,定量分析了温度分布引起的相位失配量、输出光场分布、二次谐波转换效率随倍频晶体温度分布变化的规律。结果表明:在高功率倍频系统中,倍频晶体温升分布引起基频光、倍频光的相位失配,相位失配导致输出光场光强分布的变化以及谐波转换效率的降低。