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851.
多边形链图的完美匹配数(即多边形碳氢链状聚合物的Kekule结构数)是数学化学研究的重要内容之一。我们给出了一个求该数的简洁算法,并证明该数是一个多项式。做为应用,对于一类特殊的多边形链图,给出了具体的表达式。  相似文献   
852.
边无关数为q的n阶树的谱半径的第二大值   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文给出了边无关数为q的n阶树的谱半径的第二大值,并确定取得该值的树。  相似文献   
853.
制备了周期为13.64 μm方形格子二维周期性极化的LiNbO3,利用二阶准相位匹配实现了波长为1.064μm二倍频,二次谐波的内部转换效率高达42%.测量了二次谐波输出功率随晶体温度及入射光入射方向的变化,实验值与模拟计算一致.制备二阶准相位匹配掩模板,解决了在制备一阶准相位匹配掩模板中遇到周期尺寸太小、数据量大的难题,同时还降低了因周期太小造成的极化难度.  相似文献   
854.
关于E0的Steiner邮路问题   总被引:1,自引:0,他引:1  
给定图G=(V,E,ω),E0真包含于E是是一个指定通过的边子集,本文讨论了关于E0的Steiner邮路问题的特殊情况,即由E0导出的子图仅有两个连通分支.我们分别考虑了三种不同的情形,并给出了子闭迹消去算法和带限制的最短链算法,前者是一个基于整数规划的精确算法,而后者是一个近似算法.  相似文献   
855.
Lattice-matched InGaP on GaAs (001) was successfully grown by solid-source molecular beam epitaxy witha GaP decomposition source. A 0.5-μm-thick InGaP epilayer shows photoluminescence peak energy as large as 1.991eV at 15K, the full width at half maximum as small as 9.4meV and x-ray diffraction rocking curve linewidth as narrow as 25 arcsec. The electron mobilities of undoped and Si-doped InGaP layers obtained by Hall measurements are comparable to similar InGaP/GaAs heterojunction grown by solid-source molecular beamepitaxy with other sources or other growth techniques. The results reveal that the InGaP/GaAs heterojunction grown bY the present growth way have great potential applications for semiconductor devices.  相似文献   
856.
 考虑角向均匀谐波与非翼片区角向高次谐波的影响,运用场匹配法参考脊加载环板慢波结构的边界条件,推导得到翼片加载螺旋慢波结构的色散特性方程,在此基础上推导得到有限翼片加载下的耦合阻抗和衰减常数。运用MAFIA软件对该结构进行模拟计算,将理论结果与模拟计算和部分实验数据进行比较,其曲线趋势基本一致,反映了该结构的物理本质,本方法为各种类型的翼片加载螺旋慢波特性的计算提供了一种参考手段。  相似文献   
857.
The control of core plasma and impurity level of edge plasma has been greatly improved with the development of controlled fusion technology. Refractory metal tungsten or its alloy was paid more attentions owing to its high melting temperature, good thermal  相似文献   
858.
陈宁 《应用声学》2015,23(12):73-73
针对某型飞机研制要求,设计了一种基于四分之一波长平面单极子的机载通信天线,重点阐述了天线辐射体设计、匹配网络设计和闪电防护设计等内容。通过地面测试和装机试飞验证,表明了该机载通信天线性能良好,完全能够取代现役英国37R-2型通信天线。  相似文献   
859.
结合紫外光电子能谱(UPS)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)等实验手段系统研究了C8-BTBT沉积在层状Mo S2基底上的界面能级匹配、薄膜生长和分子取向。研究发现C8-BTBT分子竖直生长在Mo S2上,生长过程中界面的真空能级(VL)、最高占据态轨道(HOMO)和电离能(IP)都出现了非常规的弯曲现象。这种能级弯曲行为可归因于直立分子从界面相到体相的转变过程中,其分子倾斜角(θ)存在一定的渐变,这种渐变会在沿表面法线方向诱导出一系列的层间电偶极,最终导致能级的弯曲。同时θ的变化也会改变薄膜的表面极化强度,引起IP的逐渐减小。能级的弯曲在界面处形成类P-N结的效应会对C8-BTBT基电子器件的性能有很大的影响。  相似文献   
860.
以G(a, 4, b)(a 1, b 1)表示a+b+4个点的心形图.从匹配多项式的定义出发,通过递推关系式刻画出了这类心形图的匹配能级和它们的Hosoya指标的全排序.  相似文献   
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