食品污染有了监测预报系统

由福建省疾病预防控制中心承担的“福建省食品主要污染物监测系统与预报研究”项目,不久前通过了福建省科技厅组织的成果鉴定。     

水体溶解有机物的激光诱导荧光与浊度的激光散射实验研究

以Nd：YAG的二倍频532 nm激光为激发光源,用激光诱导荧光(LIF)方法对几种不同水体中溶解有机物(DOM)和叶绿素a(Chl-a)的荧光光谱进行了测量和分析;并以水体对532 nm激发光的散射进行了水体浊度特性的研究,给出了散射光强度与浊度的关系曲线;研究结果表明,用此种方法测量水体浊度和污染物浓度可对水体质量进行有效的监测。     

石墨和纳米碳中缺陷和电子动量的研究

用正电子湮没技术研究了石墨和纳米碳中的缺陷和电子动量. 结果表明, 纳米碳中缺陷的开空间和缺陷浓度分别大于和高于石墨晶体. 纳米碳中存在开空间小于单空位的自由体积以及开空间相当于约10个空位聚集体的微孔洞. 石墨晶体中的自由电子动量分布表现出显著的各向异性: 沿石墨晶体的\[0 001\]晶向的自由电子(即2Pz电子)的动量最大; 偏离该方向越大, 自由电子的动量越小; 垂直于\[0 001\]晶向的自由电子的动量最小. 而纳米碳中自由电子动量的分布表现出各向同性. The defects and electronic momenta in graphite and nanocrystalline carbon have been studied by positron annihilation techniques. The results show that the concentration and open volume of defects in nanocrystalline carbon are higher/larger than that in graphite. Two kinds of microdefects were found in the nanocrystalline carbon: free volume (with a size of smaller than that of a monovacancy) and microvoids (with a size of about ten monovacancies). The anisotropic distribution of electronic momentum was found in single crystalline graphite, the momentum of free electron shows a maximum value in \[0001\] direction, and decreases with the increase of the angle deviation from \[0001\] direction and then reaches a minimum value in the direction perpendicular to \[0001\]. However, this phenomenon was not found in nanocrystalline carbon since the distribution of electronic momentum is isotropic.     

微流控芯片操纵传输及实时监测单细胞量子释放

微流控芯片技术用于细胞生化分析已引起了广泛关注.Harrison等首次在微流控芯片上对细胞群体进行操纵、传输及反应.yang等在微流控芯片上操纵细胞群体的排列,并用荧光检测细胞群体摄取钙的反应.至今还未见到微流控芯片对单个细胞进行操纵传输、定位及实时监测的报道.单细胞受激释放的监测对探索生物体神经传导具有重要意义.     

硅酸镥闪烁晶体的生长与缺陷研究

本文采用提拉法生长出了硅酸镥闪烁晶体,讨论了晶体生长中遇到的问题,所生长的硅酸镥晶体有开裂、解理、多晶、回熔现象等宏观生长缺陷和包裹物、位错等微观缺陷.开裂是由热应力和晶体解理两种因素引起的,其中热应力是导致开裂的主要因素,优化生长工艺条件可完全避免开裂.晶体中存在两种包裹物,成份分别为氧化镥和坩埚材料铱,氧化镥很可能是未参加反应的原料,也有可能是氧化硅挥发而导致氧化镥析出.     

锗酸铅(Pb5Ge3O11)铁电单晶的生长与缺陷研究

采用坩埚下降法成功生长了铁电锗酸铅(Pb5Ce3O11)单晶.所用Pt坩埚尺寸为φ25mm × 200mm和φ10mm×60mi,炉温控制在高于熔点50～80℃,固液界面温度梯度小于25℃/cm,生长速率小于0.5mm/h.所得晶体呈浅棕色,最大尺寸达φ25mm×60mm.采用光学显微镜(OM)及电子探针(EPMA)研究了所得晶体的生长缺陷(气泡、包裹体等),讨论了产生这些缺陷的原因,提出了控制及减少此类缺陷的方法.     

快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响

本文利用快速退火对 8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了 FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N2、N2/O2(3;)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理.对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180s可以显著降低硅片表面的FPDs.     

He离子注入单晶Si纳米气泡形成生长及其应用探讨

首先简述了He离子注入单晶Si引起的气泡形成、生长以及其它缺陷对其生长的影响,介绍了Si中He气泡生长的可能微观机制以及它们在现代半导体技术中潜在的应用前景,提出了该领域研究有待解决的关键问题.He ion implantation induced bubbles or cavities in silicon have been paid more and more attentions due to their potential applications in modern semiconductor technology. In this paper, He ion implantation induced formation and growth of bubbles in silicon together with their interactions with other defects were first briefly reviewed. Then the possible growth mechanisms of He bubbles in silicon and their potential applications in modern semiconductor technology were described. Finally, we presented the ke...     

温度和电压对双层有机发光二极管复合效率的影响

提出了双层有机电致发光二极管ITO/PPV/PBD/Ca复合的理论模型。计算并讨论了温度和电压对其复合效率的影响：在电压为6～7.5 V时,复合效率随温度变化出现两个峰值,但随着电压升高,两峰值相互靠拢,当电压达到9 V时,峰值位置重叠,我们认为这一现象除了浅缺陷能级和深缺陷能级贡献的结果以外,还由于复合区域发生变化引起的。该模型较好地解释了有关实验现象。     

基于InSAR的西安地面沉降与地裂缝发育特征研究

哺乳动物细胞胞质分裂过程中伴随着一系列形态学改变,随着分裂沟不断收缩,形成连接两 个子细胞的细胞间桥. 间桥不断拉长、变细,直至断裂、生成两个子细胞. 采用细胞力学 和形态学测量及分析方法,通过施加肌球蛋白II抑制剂,定量研究了NRK细胞间桥变细动力 学; 采用细胞免疫荧光技术, 检测了早期胞质分裂肌动蛋白的分布,揭示肌球蛋白II缺失细 胞胞质分裂可能的机制. 结果表明：施加肌球蛋白II抑制剂的NRK细胞, 其整体形态学和细胞 间桥形态学曲线明显不同于0.3%DMSO组. 根据流体力学特性和所测量的力学参数对曲线 进行模拟发现,表面张力对肌球蛋白II抑制组细胞的间桥动力学曲线轨迹影响很大. 研究结 果提示由细胞力学特性决定的拉普拉斯压力和细胞运动共同参与了肌球蛋白II缺失细胞胞 质分裂的调节.